從含硼廢水中將硼移除的方法
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專利名稱-中文從含硼廢水中將硼移除的方法的核准國家是中華民國, 執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是105, 專利性質是發明, 計畫名稱是高值化碳素材料開發與應用技術計畫, 專利發明人是黃耀輝、林睿彥、劉佳勳、王紹宇、陳柏延、蔡惠美、翁炳志, 證書號碼是I540103.

序號18496
產出年度105
領域別民生福祉
專利名稱-中文從含硼廢水中將硼移除的方法
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱高值化碳素材料開發與應用技術計畫
專利發明人黃耀輝、林睿彥、劉佳勳、王紹宇、陳柏延、蔡惠美、翁炳志
核准國家中華民國
獲證日期105/07/01
證書號碼I540103
專利期間起105/07/01
專利期間訖123/05/21
專利性質發明
技術摘要-中文本發明有關一種從含硼廢水中將硼移除的方法。該方法利用一道添加氧化劑(例如過氧化氫)及混凝劑(例如氫氧化鋇)之氧化/混凝處理，大幅降低硼含量後，再配合離子交換樹脂法或逆滲透法去除殘留低濃度部份，使高濃度之含硼廢水能被處理達到放流水標準之目標。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員翁炳志
電話02-26712711-313804
傳真02-26721134
電子信箱fungo6412@gmail.com
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特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

18496

產出年度

105

領域別

民生福祉

專利名稱-中文

從含硼廢水中將硼移除的方法

執行單位

中科院材料暨光電研究所

產出單位

中科院材料暨光電研究所

計畫名稱

高值化碳素材料開發與應用技術計畫

專利發明人

黃耀輝、林睿彥、劉佳勳、王紹宇、陳柏延、蔡惠美、翁炳志

核准國家

中華民國

獲證日期

105/07/01

證書號碼

I540103

專利期間起

105/07/01

專利期間訖

123/05/21

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明有關一種從含硼廢水中將硼移除的方法。該方法利用一道添加氧化劑(例如過氧化氫)及混凝劑(例如氫氧化鋇)之氧化/混凝處理，大幅降低硼含量後，再配合離子交換樹脂法或逆滲透法去除殘留低濃度部份，使高濃度之含硼廢水能被處理達到放流水標準之目標。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

翁炳志

電話

02-26712711-313804

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# 02-26712711-313804 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號18495
產出年度105
領域別民生福祉
專利名稱-中文一種瀝青製作介相負極材料之方法
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱高值化碳素材料開發與應用技術計畫
專利發明人翁炳志、黃金堂、葉增爐、林慶章、郭榮和
核准國家中華民國
獲證日期105/07/01
證書號碼I540094
專利期間起105/07/01
專利期間訖123/11/27
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係提供一種瀝青製作介相負極材料方法，步驟包括:(A)提供一瀝青及一多層石墨薄片進行一加熱攪拌混合製程而形成一第一溶液；(B)混合該第一溶液及一瀝青蒸餾出之低分子液進行萃取，分離為萃取物及萃取液；(C)以一清洗液清洗該萃取物；(D)對該萃取物進行一三階段加熱處理而得一介相負極材料。藉由多層石墨薄片本身就有助孕核成長液晶介相的功效，製備出高品質之液晶介相(mesophase)負極材料。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員翁炳志
電話02-26712711-313804
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序號: 18495
產出年度: 105
領域別: 民生福祉
專利名稱-中文: 一種瀝青製作介相負極材料之方法
執行單位: 中科院材料暨光電研究所
產出單位: 中科院材料暨光電研究所
計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫
專利發明人: 翁炳志、黃金堂、葉增爐、林慶章、郭榮和
核准國家: 中華民國
獲證日期: 105/07/01
證書號碼: I540094
專利期間起: 105/07/01
專利期間訖: 123/11/27
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明係提供一種瀝青製作介相負極材料方法，步驟包括:(A)提供一瀝青及一多層石墨薄片進行一加熱攪拌混合製程而形成一第一溶液；(B)混合該第一溶液及一瀝青蒸餾出之低分子液進行萃取，分離為萃取物及萃取液；(C)以一清洗液清洗該萃取物；(D)對該萃取物進行一三階段加熱處理而得一介相負極材料。藉由多層石墨薄片本身就有助孕核成長液晶介相的功效，製備出高品質之液晶介相(mesophase)負極材料。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 翁炳志
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# 02-26712711-313804 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號18490
產出年度105
領域別民生福祉
專利名稱-中文一種鋰離子二次電池電極材料
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱高值化碳素材料開發與應用技術計畫
專利發明人翁炳志、林慶章、葛平亞、薄慧雲、王正煥、郭榮和、黃金堂
核准國家中華民國
獲證日期105/05/01
證書號碼I532236
專利期間起105/05/01
專利期間訖122/08/07
專利性質發明
技術摘要-中文一種鋰離子二次電池電極材料，其包括：一多層石墨烯，其係藉由機械方式粉碎蠕虫狀石墨溶液轉換為一多層石墨烯溶液後生成; 一電極材料粉體; 其中，該電極材料粉體藉由與該多層石墨烯溶液混合及乾燥而製成該多層石墨烯黏著於該電極材料粉體上之鋰離子二次電池電極材料。藉此，可快速、有效製備出一鋰離子二次電池電極材料。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員翁炳志
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特殊情形(空)
序號: 18490
產出年度: 105
領域別: 民生福祉
專利名稱-中文: 一種鋰離子二次電池電極材料
執行單位: 中科院材料暨光電研究所
產出單位: 中科院材料暨光電研究所
計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫
專利發明人: 翁炳志、林慶章、葛平亞、薄慧雲、王正煥、郭榮和、黃金堂
核准國家: 中華民國
獲證日期: 105/05/01
證書號碼: I532236
專利期間起: 105/05/01
專利期間訖: 122/08/07
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種鋰離子二次電池電極材料，其包括：一多層石墨烯，其係藉由機械方式粉碎蠕虫狀石墨溶液轉換為一多層石墨烯溶液後生成; 一電極材料粉體; 其中，該電極材料粉體藉由與該多層石墨烯溶液混合及乾燥而製成該多層石墨烯黏著於該電極材料粉體上之鋰離子二次電池電極材料。藉此，可快速、有效製備出一鋰離子二次電池電極材料。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 翁炳志
電話: 02-26712711-313804
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# 02-26712711-313804 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號18491
產出年度105
領域別民生福祉
專利名稱-中文一種互動式兒童餐盤
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱高值化碳素材料開發與應用技術計畫
專利發明人張信評、蔣謹安、陳麗薇、方友清、徐立、閻建政、阮濰超
核准國家中華民國
獲證日期105/05/01
證書號碼M520851
專利期間起105/05/01
專利期間訖114/12/28
專利性質新型
技術摘要-中文本新型專利係一種具備快速加熱、音樂播放等功能之一種互動式兒童餐盤。含碳材之軟性可撓曲矽膠加熱器提供不同熱源給予餐盤內的不銹鋼盒，使其盒內之食材可以繼續維持在某一個固定溫度，並可避免喪失食材美味。為了增加兒童進餐過程樂趣，餐盤亦可以提供音樂播放功能，使兒童與盤餐之間產生互動，提高兒童進餐速度與效率。本新型專利具備快速加熱功能與音樂播放功能之智慧型餐盤，藉此提高兒童進餐時的樂趣與進餐效率。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員張信評
電話02-26712711-313804
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序號: 18491
產出年度: 105
領域別: 民生福祉
專利名稱-中文: 一種互動式兒童餐盤
執行單位: 中科院材料暨光電研究所
產出單位: 中科院材料暨光電研究所
計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫
專利發明人: 張信評、蔣謹安、陳麗薇、方友清、徐立、閻建政、阮濰超
核准國家: 中華民國
獲證日期: 105/05/01
證書號碼: M520851
專利期間起: 105/05/01
專利期間訖: 114/12/28
專利性質: 新型
技術摘要-中文: 本新型專利係一種具備快速加熱、音樂播放等功能之一種互動式兒童餐盤。含碳材之軟性可撓曲矽膠加熱器提供不同熱源給予餐盤內的不銹鋼盒，使其盒內之食材可以繼續維持在某一個固定溫度，並可避免喪失食材美味。為了增加兒童進餐過程樂趣，餐盤亦可以提供音樂播放功能，使兒童與盤餐之間產生互動，提高兒童進餐速度與效率。本新型專利具備快速加熱功能與音樂播放功能之智慧型餐盤，藉此提高兒童進餐時的樂趣與進餐效率。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 張信評
電話: 02-26712711-313804
傳真: 04-26721134
電子信箱: fungo6412@gmail.com
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# 02-26712711-313804 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號18492
產出年度105
領域別民生福祉
專利名稱-中文一種石墨膜之製作方法
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱高值化碳素材料開發與應用技術計畫
專利發明人張信評、柯政榮、郭志偉、葛春明、王百祿、林慶章、邱道明
核准國家中華民國
獲證日期105/05/01
證書號碼I531531
專利期間起105/05/01
專利期間訖122/12/12
專利性質發明
技術摘要-中文本發明是一種石墨膜之製作方法，係用介相瀝青、高分子材料與有機溶劑等調製出碳材前驅體漿料，並刮刀塗佈成石墨膜。由於天然石墨為原材料時，需要經過多道次純化與製作膨脹石墨粉，才能製作成石墨膜，其製程成本非常高。其它高單價的材料，例如聚醯亞胺(PI)或石墨烯，都會增加整體成本。本發明主要目的以介相瀝青為原料，製作出成本低廉、快速成型、品質優異之石墨膜。本發明另一目的是節省製程操作成本之一種石墨膜之製作方法。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員張信評
電話02-26712711-313804
傳真04-26721134
電子信箱fungo6412@gmail.com
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備註(空)
特殊情形(空)
序號: 18492
產出年度: 105
領域別: 民生福祉
專利名稱-中文: 一種石墨膜之製作方法
執行單位: 中科院材料暨光電研究所
產出單位: 中科院材料暨光電研究所
計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫
專利發明人: 張信評、柯政榮、郭志偉、葛春明、王百祿、林慶章、邱道明
核准國家: 中華民國
獲證日期: 105/05/01
證書號碼: I531531
專利期間起: 105/05/01
專利期間訖: 122/12/12
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明是一種石墨膜之製作方法，係用介相瀝青、高分子材料與有機溶劑等調製出碳材前驅體漿料，並刮刀塗佈成石墨膜。由於天然石墨為原材料時，需要經過多道次純化與製作膨脹石墨粉，才能製作成石墨膜，其製程成本非常高。其它高單價的材料，例如聚醯亞胺(PI)或石墨烯，都會增加整體成本。本發明主要目的以介相瀝青為原料，製作出成本低廉、快速成型、品質優異之石墨膜。本發明另一目的是節省製程操作成本之一種石墨膜之製作方法。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 張信評
電話: 02-26712711-313804
傳真: 04-26721134
電子信箱: fungo6412@gmail.com
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# 02-26712711-313804 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號18493
產出年度105
領域別民生福祉
專利名稱-中文一種石墨薄片之製作方法
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱高值化碳素材料開發與應用技術計畫
專利發明人王崇安、林君翰、葛春明、王百祿、林慶章、廖家偉
核准國家中華民國
獲證日期105/05/01
證書號碼I531530
專利期間起105/05/01
專利期間訖122/12/12
專利性質發明
技術摘要-中文"本發明是一種石墨薄片運用於奈米石墨材料之製作方法，係用介相瀝青與有機溶劑等調製出碳材前驅體漿料，並刮刀塗佈成石墨薄片。由於天然石墨為原材料時，需要經過多道次純化與製作膨脹石墨粉，才能製作成石墨薄片，其製程成本非常高。其它高單價的材料，例如聚醯亞胺(PI)或石墨烯，都會增加整體成本。本發明主要目的以介相瀝青為原料，製作出成本低廉、快速成型、品質優異之石墨薄片。本發明另一目的是節省製程操作成本之一種石墨薄片之製作方法。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員王崇安
電話02-26712711-313804
傳真04-26721134
電子信箱fungo6412@gmail.com
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 18493
產出年度: 105
領域別: 民生福祉
專利名稱-中文: 一種石墨薄片之製作方法
執行單位: 中科院材料暨光電研究所
產出單位: 中科院材料暨光電研究所
計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫
專利發明人: 王崇安、林君翰、葛春明、王百祿、林慶章、廖家偉
核准國家: 中華民國
獲證日期: 105/05/01
證書號碼: I531530
專利期間起: 105/05/01
專利期間訖: 122/12/12
專利性質: 發明
技術摘要-中文: "本發明是一種石墨薄片運用於奈米石墨材料之製作方法，係用介相瀝青與有機溶劑等調製出碳材前驅體漿料，並刮刀塗佈成石墨薄片。由於天然石墨為原材料時，需要經過多道次純化與製作膨脹石墨粉，才能製作成石墨薄片，其製程成本非常高。其它高單價的材料，例如聚醯亞胺(PI)或石墨烯，都會增加整體成本。本發明主要目的以介相瀝青為原料，製作出成本低廉、快速成型、品質優異之石墨薄片。本發明另一目的是節省製程操作成本之一種石墨薄片之製作方法。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 王崇安
電話: 02-26712711-313804
傳真: 04-26721134
電子信箱: fungo6412@gmail.com
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備註: (空)
特殊情形: (空)

# 02-26712711-313804 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號18501
產出年度105
領域別民生福祉
專利名稱-中文一種金屬基薄片複合石墨薄片
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱高值化碳素材料開發與應用技術計畫
專利發明人翁炳志、葛平亞、林慶章、薄慧雲、王正煥、黃金堂、蔡惠美
核准國家中華民國
獲證日期105/11/11
證書號碼I556953
專利期間起105/11/11
專利期間訖122/10/17
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係提供一種金屬基薄片複合石墨薄片，包括：一有孔金屬基薄片；一高導熱石墨紙；一蓬鬆石墨片，其係設置於該金屬基薄片與該熱裂解石墨紙之間；其中，該金屬基薄片、該熱裂解石墨紙與該蓬鬆石墨片經加壓成型製成金屬基薄片複合石墨薄片。藉此，可快速、有效製備出一金屬基薄片複合石墨薄片。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員翁炳志
電話02-26712711-313804
傳真04-26721134
電子信箱fungo6412@gmail.com
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 18501
產出年度: 105
領域別: 民生福祉
專利名稱-中文: 一種金屬基薄片複合石墨薄片
執行單位: 中科院材料暨光電研究所
產出單位: 中科院材料暨光電研究所
計畫名稱: 高值化碳素材料開發與應用技術計畫
專利發明人: 翁炳志、葛平亞、林慶章、薄慧雲、王正煥、黃金堂、蔡惠美
核准國家: 中華民國
獲證日期: 105/11/11
證書號碼: I556953
專利期間起: 105/11/11
專利期間訖: 122/10/17
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明係提供一種金屬基薄片複合石墨薄片，包括：一有孔金屬基薄片；一高導熱石墨紙；一蓬鬆石墨片，其係設置於該金屬基薄片與該熱裂解石墨紙之間；其中，該金屬基薄片、該熱裂解石墨紙與該蓬鬆石墨片經加壓成型製成金屬基薄片複合石墨薄片。藉此，可快速、有效製備出一金屬基薄片複合石墨薄片。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 翁炳志
電話: 02-26712711-313804
傳真: 04-26721134
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與從含硼廢水中將硼移除的方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

以矽為基材之微機電射頻開關製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 陳振頤 | 證書號碼: 220142

覆晶構裝接合結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋 | 證書號碼: 222725

於基板上形成空間支撐物的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 李正中, 何家充, 蕭名君 | 證書號碼: 223307

具內藏電容之基板結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鍾佩翰, 李明林, 賴信助, 吳仕先, 張慧如, 鄭玉美 | 證書號碼: 205395

塑膠基板彩色濾光片製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 何家充, 廖奇璋, 辛隆賓 | 證書號碼: 206792

熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌 | 證書號碼: 220305

液晶顯示器製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 林英哲, 翁逸君, 許家榮, 辛隆賓, 劉康弘, 詹景翔, 沙益安, 黃鑫茂 | 證書號碼: 223113

電泳顯示器之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生 | 證書號碼: 203568

薄膜電晶體陣列製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 陳政忠, 陳麒麟, 許財源 | 證書號碼: 220534

導電薄膜形成的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 孫裕昌, 湯景萱, 李啟聖, 許財源 | 證書號碼: 220770

可撓式面板之製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張榮芳, 張志祥, 陳麒麟 | 證書號碼: 206791

薄膜電晶體元件主動層之半導體材料與其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 何家充, 李仁豪, 李正中, 王右武, 李鈞道, 林鵬 | 證書號碼: 221341

複合凸塊的接合結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張世明, 黃元璋, 陳文志, 楊省樞 | 證書號碼: 223363

高分子膠體顯示器、其製法與顯示機制

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 沙益安, 林英哲, 翁逸君, 辛隆賓, 廖奇璋, 江欣峻, 范揚宜, 吳仲文 | 證書號碼: 200444

液晶顯示器之製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 范揚宜, 江欣峻, 林英哲, 翁逸君, 何璨佑, 辛隆賓, 劉康弘, 吳仲文, 沙益安 | 證書號碼: 206803

以矽為基材之微機電射頻開關製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 陳振頤 | 證書號碼: 220142

覆晶構裝接合結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋 | 證書號碼: 222725

於基板上形成空間支撐物的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 李正中, 何家充, 蕭名君 | 證書號碼: 223307

具內藏電容之基板結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鍾佩翰, 李明林, 賴信助, 吳仕先, 張慧如, 鄭玉美 | 證書號碼: 205395

塑膠基板彩色濾光片製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 何家充, 廖奇璋, 辛隆賓 | 證書號碼: 206792

熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌 | 證書號碼: 220305

液晶顯示器製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 林英哲, 翁逸君, 許家榮, 辛隆賓, 劉康弘, 詹景翔, 沙益安, 黃鑫茂 | 證書號碼: 223113

電泳顯示器之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生 | 證書號碼: 203568

薄膜電晶體陣列製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 陳政忠, 陳麒麟, 許財源 | 證書號碼: 220534

導電薄膜形成的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 孫裕昌, 湯景萱, 李啟聖, 許財源 | 證書號碼: 220770

可撓式面板之製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張榮芳, 張志祥, 陳麒麟 | 證書號碼: 206791

薄膜電晶體元件主動層之半導體材料與其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 何家充, 李仁豪, 李正中, 王右武, 李鈞道, 林鵬 | 證書號碼: 221341

複合凸塊的接合結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張世明, 黃元璋, 陳文志, 楊省樞 | 證書號碼: 223363

高分子膠體顯示器、其製法與顯示機制

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 沙益安, 林英哲, 翁逸君, 辛隆賓, 廖奇璋, 江欣峻, 范揚宜, 吳仲文 | 證書號碼: 200444

液晶顯示器之製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 范揚宜, 江欣峻, 林英哲, 翁逸君, 何璨佑, 辛隆賓, 劉康弘, 吳仲文, 沙益安 | 證書號碼: 206803

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