環形供料導流裝置
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文環形供料導流裝置的核准國家是中國大陸, 執行單位是精機中心, 產出年度是105, 專利性質是發明, 計畫名稱是先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫, 專利發明人是宋艾倫;林建華;劉憲鋒, 證書號碼是201210505573.0.

序號19137
產出年度105
領域別綠能科技
專利名稱-中文環形供料導流裝置
執行單位精機中心
產出單位精機中心
計畫名稱先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫
專利發明人宋艾倫;林建華;劉憲鋒
核准國家中國大陸
獲證日期105/04/20
證書號碼201210505573.0
專利期間起101/11/30
專利期間訖121/11/30
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種環形供料導流裝置,使超音波噴頭與供料系統能夠拆解方便維修並解決變輻桿線型出料影響噴塗面積大小問題並藉此裝置可增大噴塗範圍與增進噴塗效率。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員宋艾倫
電話05-2919925#6105
傳真05-2351732
電子信箱e10025@mail.pmc.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

19137

產出年度

105

領域別

綠能科技

專利名稱-中文

環形供料導流裝置

執行單位

精機中心

產出單位

精機中心

計畫名稱

先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫

專利發明人

宋艾倫;林建華;劉憲鋒

核准國家

中國大陸

獲證日期

105/04/20

證書號碼

201210505573.0

專利期間起

101/11/30

專利期間訖

121/11/30

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明提供一種環形供料導流裝置,使超音波噴頭與供料系統能夠拆解方便維修並解決變輻桿線型出料影響噴塗面積大小問題並藉此裝置可增大噴塗範圍與增進噴塗效率。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

宋艾倫

電話

05-2919925#6105

傳真

05-2351732

電子信箱

e10025@mail.pmc.org.tw

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同步更新日期

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# 環形供料導流裝置 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號17201
產出年度104
領域別綠能科技
專利名稱-中文環形供料導流裝置
執行單位精機中心
產出單位精機中心
計畫名稱先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫
專利發明人宋艾倫;林建華;劉憲鋒
核准國家中華民國
獲證日期104/08/01
證書號碼I494169
專利期間起104/08/01
專利期間訖121/11/22
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種環形供料導流裝置,上座具有入料孔連通凹槽,凹槽中隆起第一環牆且與第一穿孔相通;下座之上半部具有第一錐孔與第二環牆,下半部具有第二錐孔與第二環牆間形成環形間隙,下座具有形成在上半部與下半部之間的進氣孔連通環形間隙且進氣方向朝向第二環牆;頂蓋具第三環牆而於蓋合上座時縱向地穿入第一穿孔,墊片被夾設於上座與下座之間;凹槽可連通至第一錐孔,且變幅桿可伸入第一錐孔中,藉此構成本發明。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員宋艾倫
電話05-2919925#6105
傳真05-2351732
電子信箱e10025@mail.pmc.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 17201
產出年度: 104
領域別: 綠能科技
專利名稱-中文: 環形供料導流裝置
執行單位: 精機中心
產出單位: 精機中心
計畫名稱: 先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫
專利發明人: 宋艾倫;林建華;劉憲鋒
核准國家: 中華民國
獲證日期: 104/08/01
證書號碼: I494169
專利期間起: 104/08/01
專利期間訖: 121/11/22
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種環形供料導流裝置,上座具有入料孔連通凹槽,凹槽中隆起第一環牆且與第一穿孔相通;下座之上半部具有第一錐孔與第二環牆,下半部具有第二錐孔與第二環牆間形成環形間隙,下座具有形成在上半部與下半部之間的進氣孔連通環形間隙且進氣方向朝向第二環牆;頂蓋具第三環牆而於蓋合上座時縱向地穿入第一穿孔,墊片被夾設於上座與下座之間;凹槽可連通至第一錐孔,且變幅桿可伸入第一錐孔中,藉此構成本發明。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 宋艾倫
電話: 05-2919925#6105
傳真: 05-2351732
電子信箱: e10025@mail.pmc.org.tw
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# 環形供料導流裝置 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號8716
產出年度105
技術名稱-中文薄膜塗佈設備技術開發
執行單位精機中心
產出單位(空)
計畫名稱先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家中華民國;中國大陸
已獲得專利之國家中華民國;中國大陸
技術現況敘述-中文1.本設備技術主要藉由精機中心發展多年的超音波噴塗技術為基礎,整合關鍵技術開發設備,並擴展至R2R、單機型、實驗型等領域及用途,其最大特點為具有可以在非真空狀態下,將漿料均勻塗佈於基材上,來達到連續精密鍍膜,實現大面積量產功能性薄膜產品之目標,符合產業界需求。此技術包含「導氣流場應用技術」、「低脈衝穩壓供料系統」、「狹縫供料系統內部流道開發技術」、「非真空製程整合技術」及「自清式噴塗設備技術」。 2.中華民國「超音波噴塗模組」、中華民國及中國大陸「複合型的超音波塗佈龍門機構」,共3案已取得申請案號。 3.中華民國「桌上立型噴塗機」、「壓力供料閉迴路控制系統」、「具自清潔的超音波塗佈設備」、中國大陸「具有自清潔的超聲波塗佈設備」、「環形供料導流裝置」,共5案已取得證號。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.28kHz超音波模組一型 2.14W功率驅動器 3.設備可噴塗區域:100cm 4.材料利用率95%以上 5.自動清潔噴塗模組設計 6.PLC人機介面
技術成熟度雛型
可應用範圍廣泛應用於多種功能性之漿料噴塗如CIGS薄膜、易潔膜、節能隔熱膜、透明導電膜、抗UV漿料、防霧(AF)、抗污(AS)以及無線射頻辨識等,可大面積量產製作,有效提高產能。
潛力預估非真空超音波噴塗設備不但可用來取代昂貴的真空製程,大幅降低設備建置成本,藉由均勻噴塗製程,有效提高產能,從而增加廠商投入發展意願以活化整體產業鏈。
聯絡人員李佶峰
電話05-2919925#8873
傳真05-2351732 05-2351732
電子信箱e10116@mail.pmc.org.tw
參考網址http://www.pmc.org.tw/achievement.aspx
所須軟硬體設備粒子影像測速儀(PIV)、結構力學分析軟體、流體模擬分析軟體、3D繪圖軟體、可程式控制(PLC)
需具備之專業人才機械工程師、熱流工程師、機電整合工程師、自動控制工程師、軟體工程師
序號: 8716
產出年度: 105
技術名稱-中文: 薄膜塗佈設備技術開發
執行單位: 精機中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 先進薄膜塗佈整線製程技術暨設備技術開發計畫
領域: 綠能科技
已申請專利之國家: 中華民國;中國大陸
已獲得專利之國家: 中華民國;中國大陸
技術現況敘述-中文: 1.本設備技術主要藉由精機中心發展多年的超音波噴塗技術為基礎,整合關鍵技術開發設備,並擴展至R2R、單機型、實驗型等領域及用途,其最大特點為具有可以在非真空狀態下,將漿料均勻塗佈於基材上,來達到連續精密鍍膜,實現大面積量產功能性薄膜產品之目標,符合產業界需求。此技術包含「導氣流場應用技術」、「低脈衝穩壓供料系統」、「狹縫供料系統內部流道開發技術」、「非真空製程整合技術」及「自清式噴塗設備技術」。 2.中華民國「超音波噴塗模組」、中華民國及中國大陸「複合型的超音波塗佈龍門機構」,共3案已取得申請案號。 3.中華民國「桌上立型噴塗機」、「壓力供料閉迴路控制系統」、「具自清潔的超音波塗佈設備」、中國大陸「具有自清潔的超聲波塗佈設備」、「環形供料導流裝置」,共5案已取得證號。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.28kHz超音波模組一型 2.14W功率驅動器 3.設備可噴塗區域:100cm 4.材料利用率95%以上 5.自動清潔噴塗模組設計 6.PLC人機介面
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 廣泛應用於多種功能性之漿料噴塗如CIGS薄膜、易潔膜、節能隔熱膜、透明導電膜、抗UV漿料、防霧(AF)、抗污(AS)以及無線射頻辨識等,可大面積量產製作,有效提高產能。
潛力預估: 非真空超音波噴塗設備不但可用來取代昂貴的真空製程,大幅降低設備建置成本,藉由均勻噴塗製程,有效提高產能,從而增加廠商投入發展意願以活化整體產業鏈。
聯絡人員: 李佶峰
電話: 05-2919925#8873
傳真: 05-2351732 05-2351732
電子信箱: e10116@mail.pmc.org.tw
參考網址: http://www.pmc.org.tw/achievement.aspx
所須軟硬體設備: 粒子影像測速儀(PIV)、結構力學分析軟體、流體模擬分析軟體、3D繪圖軟體、可程式控制(PLC)
需具備之專業人才: 機械工程師、熱流工程師、機電整合工程師、自動控制工程師、軟體工程師
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可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和 | 證書號碼: 185849

具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹 | 證書號碼: 3533205

具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩 | 證書號碼: 223402

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 | 證書號碼: 184677

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 | 證書號碼: 6651325

矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 盧慧娟 | 證書號碼: 184681

3D堆疊封裝散熱模組

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉君愷, 姜信騰 | 證書號碼: 6700783

應用奈米管增加半導體元件電容之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 崔秉鉞, 李正中 | 證書號碼: 6759305

改進之場發射型顯示器驅動方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚 | 證書號碼: 6741039

氣體吸附式晶圓保護裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蘇慧琪, 江松燦 | 證書號碼: 188211

形成薄膜電晶體於透明基板上之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東 | 證書號碼: 6764887

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 | 證書號碼: 187289

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 | 證書號碼: 6773870

電流驅動元件主動陣列的畫素電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳建儒, 陳尚立, 施俊任 | 證書號碼: 197219

高密度資料讀寫器及其讀寫方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李裕文, 蔡晴翔, 吳清沂 | 證書號碼: 200381

可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和 | 證書號碼: 185849

具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹 | 證書號碼: 3533205

具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩 | 證書號碼: 223402

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 | 證書號碼: 184677

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 | 證書號碼: 6651325

矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 盧慧娟 | 證書號碼: 184681

3D堆疊封裝散熱模組

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉君愷, 姜信騰 | 證書號碼: 6700783

應用奈米管增加半導體元件電容之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 崔秉鉞, 李正中 | 證書號碼: 6759305

改進之場發射型顯示器驅動方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚 | 證書號碼: 6741039

氣體吸附式晶圓保護裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蘇慧琪, 江松燦 | 證書號碼: 188211

形成薄膜電晶體於透明基板上之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東 | 證書號碼: 6764887

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 | 證書號碼: 187289

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 | 證書號碼: 6773870

電流驅動元件主動陣列的畫素電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳建儒, 陳尚立, 施俊任 | 證書號碼: 197219

高密度資料讀寫器及其讀寫方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李裕文, 蔡晴翔, 吳清沂 | 證書號碼: 200381

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