技術名稱-中文磊晶基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：首先形成一圖樣化膜層於一基板上，並繼續形成一第一磊晶層，接著利用雷射破壞第一磊晶層對應位於基板上方的預定區域，進而形成一液化犧牲層於第一磊晶層與基板間，再自第一磊晶層磊晶形成一第二磊晶層，接續地蝕刻移除圖樣化膜層，弱化第一磊晶層的結構，以利蝕刻移除該第一磊晶膜，最..., 潛力預估是具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場.
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：先形成一圖樣化膜層於一基板上，使基板露出部分預定區域，接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層，然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩，將光阻圖樣化... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：先形成一圖樣化膜層於一基板上，使基板露出部分預定區域，接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層，然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩，將光阻圖樣化... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：先形成一圖樣化膜層於一基板上，使基板露出部分預定區域，接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層，然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩，將光阻圖樣化... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：先形成一圖樣化膜層於一基板上，使基板露出部分預定區域，接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層，然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩，將光阻圖樣化... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種光電元件的製造方法，是先自一基材形成一犧牲膜，且犧牲膜包括複數與周緣連通的通道，接著自圖樣化的犧牲膜磊晶成長一光電半導體磊晶膜，並在光電半導體磊晶膜上貼覆一第一基板後，將蝕刻劑由周緣通入通道以蝕刻... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種發光元件模組的製作方法，包含(a)準備磊晶用基材，(b)在基材表面形成犧牲層，(c)在犧牲層上形成與犧牲層具有高蝕刻選擇比的磊晶層，(d)定義出多數彼此間隔且交錯排列並將磊晶層界定出多數發光單元的... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種磊晶用基板的製造方法，包含以下步驟製備一磊晶用基材，並自基材沉積一犧牲膜，接著自犧牲膜成長一第一半導體磊晶膜，基材在發光元件的後續製程將被移除，犧牲膜呈圖樣化且包括複數第一通道及複數分別由一奈米材... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種結合RFID於零售業存貨管理之安全監控應用系統，利用RFID以實施盤點效率更佳、更精確、更安全的存貨監控機制。零售通路必須實施良好的存貨控管才能反應實際上的銷售利潤，本發明提出的存貨監控模式可發揮... | 潛力預估: 就目前來說RFID仍有價格上的考量，若要推廣至較屬於低價的一般零售業，會有不少的困難，但是就長遠的市場來說，先以高價商品如3C專賣店或是精品店為現行目標，配合RFID的發展進程，逐漸朝向普遍性零售業來... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統，設計了新型態的影音光碟多次傳租模式，讓消費者多了能夠方便租片與分享的管道，使租賃光碟變得更方便，解決目前線上出租服務中消費者等待光碟寄達的時間成本以及業... | 潛力預估: 依據系統中執照所授權的播放限制，能夠成為一個合理的DRM機制設計，在現今提供影音光碟線上租賃服務之電子商務發展下具有更大的優勢，而更具特色的「影音光碟多次傳租」模式能提高影音光碟的租賃流通性，除了使業... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊，該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配，包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞，及一圍繞界定該等第一凹洞... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種光電元件的製造方法，是先自一基材形成一犧牲膜，且犧牲膜包括複數與周緣連通的通道，接著自圖樣化的犧牲膜磊晶成長一光電半導體磊晶膜，並在光電半導體磊晶膜上貼覆一第一基板後，將蝕刻劑由周緣通入通道以蝕刻... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種發光元件模組的製作方法，包含(a)準備磊晶用基材，(b)在基材表面形成犧牲層，(c)在犧牲層上形成與犧牲層具有高蝕刻選擇比的磊晶層，(d)定義出多數彼此間隔且交錯排列並將磊晶層界定出多數發光單元的... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種磊晶用基板的製造方法，包含以下步驟製備一磊晶用基材，並自基材沉積一犧牲膜，接著自犧牲膜成長一第一半導體磊晶膜，基材在發光元件的後續製程將被移除，犧牲膜呈圖樣化且包括複數第一通道及複數分別由一奈米材... | 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種結合RFID於零售業存貨管理之安全監控應用系統，利用RFID以實施盤點效率更佳、更精確、更安全的存貨監控機制。零售通路必須實施良好的存貨控管才能反應實際上的銷售利潤，本發明提出的存貨監控模式可發揮... | 潛力預估: 就目前來說RFID仍有價格上的考量，若要推廣至較屬於低價的一般零售業，會有不少的困難，但是就長遠的市場來說，先以高價商品如3C專賣店或是精品店為現行目標，配合RFID的發展進程，逐漸朝向普遍性零售業來... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 學界科專辦公室 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 學界科專計畫 | 領域: | 技術規格: 一種結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統，設計了新型態的影音光碟多次傳租模式，讓消費者多了能夠方便租片與分享的管道，使租賃光碟變得更方便，解決目前線上出租服務中消費者等待光碟寄達的時間成本以及業... | 潛力預估: 依據系統中執照所授權的播放限制，能夠成為一個合理的DRM機制設計，在現今提供影音光碟線上租賃服務之電子商務發展下具有更大的優勢，而更具特色的「影音光碟多次傳租」模式能提高影音光碟的租賃流通性，除了使業... @ 技術司可移轉技術資料集 |
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與磊晶基板的製造方法<雷射破壞>(國立中興大學工學院材料系)同分類的技術司可移轉技術資料集
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距13μm；深度1.1μm。 | 潛力預估: 數位相機與照相手機為資訊時代熱門光電影像產品，本技術提供塑膠繞射鏡片設計與量產製程技術，有助於提升成像品質、縮小產品尺寸及降低成本。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃；(2)結合強度3000psi以上；(3)變形量 | 潛力預估: 光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，本技術可縮短製模時程，提升模具使用壽命，市場前景可期。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution:10萬-2百萬像素，Pixel Pitch：10-4.5μm，Process: 0.5-0.25um CMOS | 潛力預估: 隨著3G手機之推廣，CIS照相機將成為標準配備，預估在2007年手機全球產量達2.37億支，市場十分龐大，加上PC Camera，光學滑鼠等等商品應用，在2007年全球CMOS Image Sens... |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可偵測物件: 255個，可追蹤物件:2個 | 潛力預估: 影像監控系統在社區、大樓及路口等等已非常普及，具影像移動物偵測及追蹤功能之監控系統將逐步取代目前之系統。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. GSM/GPRS Module: Dual-Band EGSM 900 and GSM 1800, Open softwares (J2ME); 2. GPS Receiver and Ante... | 潛力預估: 明年可生產GPRS Remote Controller 1000台、產值500萬。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0, IrFM 1.0 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制，以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能，創造新的附加價值。另IrDA模組、系統驅動軟體、系統介面... |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 系統頻率響應 System Frequency Response : 30 Hz ~ 20k Hz (min) | 潛力預估: 紅外光發射接收模組 IR Transmitting & Receiving Module : IrDA 4Mbps |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 生胚直徑50-100mm，長度30-80mm。晶片直徑50-76mm，厚度0.5-1mm。 | 潛力預估: 用於電路保護與溫度感測元件，國內產值可達數億元 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構厚度可達500um以上，加工精度可達1μm，可製造立體3D的細微結構與零組件 | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: TiO2、ZnO等奈米粉體可分散至D(90)=90nm | 潛力預估: 可進入奈米粉體分散應用市場 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合組件強度可耐12kg/cm2之壓力 | 潛力預估: 可搶攻散熱元件市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 白金觸媒:觸媒含量20wt%Pt/C、20%Pt-10%Ru/C ，氯離子含量小於200ppm。膜電極組:白金含量小於0.5mg/cm2，功率大於0.6W/cm2。高壓儲氫桶:以HDPE為內襯，直徑... | 潛力預估: 當石油逐漸耗竭時，以氫為能源的燃料電池，為最被看好的潔淨能源，未來大有機會取代現有發電機、電廠及電池。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米尺度表面形貌分析技術、奈米尺度組成與結構分析技術、奈米尺度微觀組織分析技術、奈米尺度機械與物理性質分析技術。 | 潛力預估: 奈米材料檢測技術為快速擴散奈米核心技術於各種產業的不二路徑，能使產業界的創意構想獲得立即的驗證，並藉由這些產業普遍具有完整上下游供應鏈的特性，將技術迅速轉化成產品，未來極富潛力。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 被動控制:依設計減振效果可達10%以上；主動控制:依設計減振效果可達20%以上 | 潛力預估: 可搶攻專業型金字塔頂端消費市場如碳纖維複材自行車、網球拍、球杆等。 |
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 吸音係數量測,500Hz吸音係數0.73, 噪音減衰係數0.81 | 潛力預估: 可運用於環境空間中減少聲波對人體造成生心理的影響，整合不同領域的產業與材料，拓展與提昇傳統產業商機與技術。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 最小環距13μm；深度1.1μm。 | 潛力預估: 數位相機與照相手機為資訊時代熱門光電影像產品，本技術提供塑膠繞射鏡片設計與量產製程技術，有助於提升成像品質、縮小產品尺寸及降低成本。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)接合溫度200-400℃；(2)結合強度3000psi以上；(3)變形量 | 潛力預估: 光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，本技術可縮短製模時程，提升模具使用壽命，市場前景可期。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution:10萬-2百萬像素，Pixel Pitch：10-4.5μm，Process: 0.5-0.25um CMOS | 潛力預估: 隨著3G手機之推廣，CIS照相機將成為標準配備，預估在2007年手機全球產量達2.37億支，市場十分龐大，加上PC Camera，光學滑鼠等等商品應用，在2007年全球CMOS Image Sens... |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可偵測物件: 255個，可追蹤物件:2個 | 潛力預估: 影像監控系統在社區、大樓及路口等等已非常普及，具影像移動物偵測及追蹤功能之監控系統將逐步取代目前之系統。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. GSM/GPRS Module: Dual-Band EGSM 900 and GSM 1800, Open softwares (J2ME); 2. GPS Receiver and Ante... | 潛力預估: 明年可生產GPRS Remote Controller 1000台、產值500萬。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0, IrFM 1.0 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制，以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能，創造新的附加價值。另IrDA模組、系統驅動軟體、系統介面... |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 系統頻率響應 System Frequency Response : 30 Hz ~ 20k Hz (min) | 潛力預估: 紅外光發射接收模組 IR Transmitting & Receiving Module : IrDA 4Mbps |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 生胚直徑50-100mm，長度30-80mm。晶片直徑50-76mm，厚度0.5-1mm。 | 潛力預估: 用於電路保護與溫度感測元件，國內產值可達數億元 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構厚度可達500um以上，加工精度可達1μm，可製造立體3D的細微結構與零組件 | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: TiO2、ZnO等奈米粉體可分散至D(90)=90nm | 潛力預估: 可進入奈米粉體分散應用市場 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合組件強度可耐12kg/cm2之壓力 | 潛力預估: 可搶攻散熱元件市場，極具市場潛力 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 白金觸媒:觸媒含量20wt%Pt/C、20%Pt-10%Ru/C ，氯離子含量小於200ppm。膜電極組:白金含量小於0.5mg/cm2，功率大於0.6W/cm2。高壓儲氫桶:以HDPE為內襯，直徑... | 潛力預估: 當石油逐漸耗竭時，以氫為能源的燃料電池，為最被看好的潔淨能源，未來大有機會取代現有發電機、電廠及電池。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米尺度表面形貌分析技術、奈米尺度組成與結構分析技術、奈米尺度微觀組織分析技術、奈米尺度機械與物理性質分析技術。 | 潛力預估: 奈米材料檢測技術為快速擴散奈米核心技術於各種產業的不二路徑，能使產業界的創意構想獲得立即的驗證，並藉由這些產業普遍具有完整上下游供應鏈的特性，將技術迅速轉化成產品，未來極富潛力。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 被動控制:依設計減振效果可達10%以上；主動控制:依設計減振效果可達20%以上 | 潛力預估: 可搶攻專業型金字塔頂端消費市場如碳纖維複材自行車、網球拍、球杆等。 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 吸音係數量測,500Hz吸音係數0.73, 噪音減衰係數0.81 | 潛力預估: 可運用於環境空間中減少聲波對人體造成生心理的影響，整合不同領域的產業與材料，拓展與提昇傳統產業商機與技術。 |
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