磊晶基板的製造方法<雷射破壞>(國立中興大學工學院材料系)
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技術名稱-中文磊晶基板的製造方法<雷射破壞>(國立中興大學工學院材料系)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：首先形成一圖樣化膜層於一基板上，並繼續形成一第一磊晶層，接著利用雷射破壞第一磊晶層對應位於基板上方的預定區域，進而形成一液化犧牲層於第一磊晶層與基板間，再自第一磊晶層磊晶形成一第二磊晶層，接續地蝕刻移除圖樣化膜層，弱化第一磊晶層的結構，以利蝕刻移除該第一磊晶膜，最..., 潛力預估是具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場.

序號	3705
產出年度	99
技術名稱-中文	磊晶基板的製造方法<雷射破壞>(國立中興大學工學院材料系)
執行單位	學界科專辦公室
產出單位	(空)
計畫名稱	學界科專計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	已申請專利
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：首先形成一圖樣化膜層於一基板上，並繼續形成一第一磊晶層，接著利用雷射破壞第一磊晶層對應位於基板上方的預定區域，進而形成一液化犧牲層於第一磊晶層與基板間，再自第一磊晶層磊晶形成一第二磊晶層，接續地蝕刻移除圖樣化膜層，弱化第一磊晶層的結構，以利蝕刻移除該第一磊晶膜，最後蝕刻移除液化犧牲膜，以將基板自第二磊晶膜剝離，有效提高移除效率。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	半導體/光電
潛力預估	具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場
聯絡人員	武東星老師
電話	(04)-22851811
傳真	(04)-22851672
電子信箱	tlo@nchu.edu.tw
參考網址	http://caic.nchu.edu.tw/GroupIndex.aspx?SystemGroupCode=SG01
所須軟硬體設備	無資料
需具備之專業人才	半導體/光電元件產業製造背景
同步更新日期	2024-09-03

序號

3705

產出年度

技術名稱-中文

磊晶基板的製造方法<雷射破壞>(國立中興大學工學院材料系)

執行單位

學界科專辦公室

產出單位

(空)

計畫名稱

學界科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

已申請專利

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：首先形成一圖樣化膜層於一基板上，並繼續形成一第一磊晶層，接著利用雷射破壞第一磊晶層對應位於基板上方的預定區域，進而形成一液化犧牲層於第一磊晶層與基板間，再自第一磊晶層磊晶形成一第二磊晶層，接續地蝕刻移除圖樣化膜層，弱化第一磊晶層的結構，以利蝕刻移除該第一磊晶膜，最後蝕刻移除液化犧牲膜，以將基板自第二磊晶膜剝離，有效提高移除效率。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

半導體/光電

潛力預估

具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場

聯絡人員

武東星老師

電話

(04)-22851811

傳真

(04)-22851672

電子信箱

tlo@nchu.edu.tw

參考網址

http://caic.nchu.edu.tw/GroupIndex.aspx?SystemGroupCode=SG01

所須軟硬體設備

無資料

需具備之專業人才

半導體/光電元件產業製造背景

同步更新日期

2024-09-03

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低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
磊晶基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：先形成一圖樣化膜層於一基板上，使基板露出部分預定區域，接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層，然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩，將光阻圖樣化... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
低表面缺陷密度之磊晶基板及其製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
磊晶基板的製造方法<塗佈光阻>(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：先形成一圖樣化膜層於一基板上，使基板露出部分預定區域，接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層，然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩，將光阻圖樣化... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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低表面缺陷密度之磊晶基板(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊，該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配，包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞，及一圍繞界定該等第一凹洞... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
磊晶用基板(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
光電元件的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種光電元件的製造方法，是先自一基材形成一犧牲膜，且犧牲膜包括複數與周緣連通的通道，接著自圖樣化的犧牲膜磊晶成長一光電半導體磊晶膜，並在光電半導體磊晶膜上貼覆一第一基板後，將蝕刻劑由周緣通入通道以蝕刻... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
發光元件模組的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種發光元件模組的製作方法，包含(a)準備磊晶用基材，(b)在基材表面形成犧牲層，(c)在犧牲層上形成與犧牲層具有高蝕刻選擇比的磊晶層，(d)定義出多數彼此間隔且交錯排列並將磊晶層界定出多數發光單元的... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
磊晶用基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種磊晶用基板的製造方法，包含以下步驟製備一磊晶用基材，並自基材沉積一犧牲膜，接著自犧牲膜成長一第一半導體磊晶膜，基材在發光元件的後續製程將被移除，犧牲膜呈圖樣化且包括複數第一通道及複數分別由一奈米材... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
結合RFID於零售業存貨管理之安全監控應用系統(國立中興大學社管院資管系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種結合RFID於零售業存貨管理之安全監控應用系統，利用RFID以實施盤點效率更佳、更精確、更安全的存貨監控機制。零售通路必須實施良好的存貨控管才能反應實際上的銷售利潤，本發明提出的存貨監控模式可發揮... \| 潛力預估: 就目前來說RFID仍有價格上的考量，若要推廣至較屬於低價的一般零售業，會有不少的困難，但是就長遠的市場來說，先以高價商品如3C專賣店或是精品店為現行目標，配合RFID的發展進程，逐漸朝向普遍性零售業來... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統(國立中興大學社管院資管系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統，設計了新型態的影音光碟多次傳租模式，讓消費者多了能夠方便租片與分享的管道，使租賃光碟變得更方便，解決目前線上出租服務中消費者等待光碟寄達的時間成本以及業... \| 潛力預估: 依據系統中執照所授權的播放限制，能夠成為一個合理的DRM機制設計，在現今提供影音光碟線上租賃服務之電子商務發展下具有更大的優勢，而更具特色的「影音光碟多次傳租」模式能提高影音光碟的租賃流通性，除了使業... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

低表面缺陷密度之磊晶基板(國立中興大學工學院材料系)

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磊晶用基板(國立中興大學工學院材料系)

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光電元件的製造方法(國立中興大學工學院材料系)

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發光元件模組的製造方法(國立中興大學工學院材料系)

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磊晶用基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系)

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結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統(國立中興大學社管院資管系)

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矽酮壓克力改質技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: OH/NCO＝2：1~2.3：1，NCO-Siloxane/acrylic acid/OH-acrylate＝1：0.6：0.4~1：0.4：0.6 \| 潛力預估: 提升壓克力產品性能、增加其副加價值增進產品應用換範圍。
氟西汀原料藥微粒化製程精進	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 比表面積：>1 m2/g。 \| 潛力預估: 原料藥之微粒化可提升人體之吸收率，促進藥效，市場需求日益增加。
導電複合材料開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 微晶一次粒徑：<50 nm；Surface Resistivity：~200 /□。 \| 潛力預估: 導電複材導電性佳，可塗佈於絕緣體上，主要成份為銀/鎳、銀/鋁、銀/銅等混合金為主，產品單價從每公斤數萬台幣至十幾萬台幣不等，屬高單價產品，年需求量保守估計也在十萬公噸以上(且逐年增加)，惟目前大部份仍...
半導體製程有害氣體過濾器研製技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 依製程進行各項氣體之定量校正曲線；建立現廠分析裝備之佈線及檢測參數；建立半導體乾式蝕刻製程相關氣體分析鑑測及功能驗證技術。 \| 潛力預估: 由於半導體廠或一般化工廠之排放氣體需符合環保規範，此項分析監測技術既可定量檢測排放氣體；進而可執行其吸附濾槽之功能驗證，作為濾材配方調配之指標。可同時推廣至檢測單位、半導體廠、一般化工廠、及吸附濾材廠...
藍色磷光材料FIrpic及新紅色磷光材料CSPHR1技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 昇華後之成品純度>99%。 \| 潛力預估: 磷光OLED材料因發光效率高，未來具有強大商機，昇華純化設備可應用在多種OLED材料之純化製程。
聚苯基乙烯系電激發光化學品(Phenyl PPV)合成技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 聚苯基乙烯電激發光化學品：OC1C10-PPV﹐Phenyl PPVs、terPhenyl PPVs，產品分子量(Mw)≧105 Daltons，發光波長(max) 500～590 nm，發光顏色... \| 潛力預估: 除可應用於手機、PDA、數位相機、車用面板等平面顯示器民生用途產品外，亦可應用於及軍用可撓式攜帶型電子地圖、頭盔顯示器、軍用通訊器材及相關儀表面板等國防應用。
酸性TiO2 Anatase溶膠應用技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鍍膜空氣中有機物分解能力：乙酸丁酯分解能力0.1～1.0μg/min.×W ×cm2；鍍膜品質：1.附?性：膠帶實驗不脫落；2.硬度≧H；3.耐刮力≧100g。 \| 潛力預估: 約新台幣30億元/年。
電激光液晶混成溶膠技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 聚合物分散液晶薄膜中之液晶微粒大小～1μm，電子窗簾元件具有控制透明度之功能，經電場on-off形成之光線穿透率差ΔT(Ton-Toff)＞30%，耐用性＞10,000 cycle。 \| 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年。
光敏材料應用技術開發之建立	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: CdSe光敏材料粒徑：2~6nm。 \| 潛力預估: LED、生物標籤及太陽能電池市場產值持續成長中。
77GHz防撞雷達研發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Target detection range : 3m～200m˙Range Resolution : ±1m˙Relative Velocity : 150Km/Hr±1.5Km/Hr˙Failur... \| 潛力預估: 根據Frost & Sullivan預測2005年歐洲市場之銷售量將可達22.6萬輛、市場規模約為4,944萬歐元，較2001年的96萬歐元大幅成長了50倍以上。根據IMS的估計，2003年日本適應...
汽車用前/後乘客座氣囊袋技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.氣囊袋容積：100 ~ 120 公升。2. 75 -- 210單尼薄型Nylon布。3. 0.1mm TPU薄型高分子膜。 \| 潛力預估: 原料為現有商品，無缺貨之虞。每年可製作數萬枚。
防側/後撞空氣囊裝置開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 充填氣體溫度：＜200℃。防側撞空氣囊裝置：充氣時間＜30msec，維持壓力時間＞5sec，氣囊袋容積10-12公升。後座防撞空氣囊裝置：充氣時間＜60msec，氣囊袋容積100-120公升。 \| 潛力預估: 2010年啟美國與歐洲將立法要求加裝防側撞之防護裝置，簾幕型空氣囊系統預估每年有數千萬組之市場需求。中/高級車將以具有後座乘客防護空氣囊系統為訴求，預估每年需求量達數百萬組。
先進充氣模組開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 氣囊袋維持充氣狀態時間＞5 sec。噴嘴耐壓＞2000 psi，短期耐溫＞2000℃。 \| 潛力預估: 全球每年數萬組。
產品安全可靠度鑑測技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本項技術為一品質保證技術，重點在於KNOW-HOW，並無技術規格可資描述。 \| 潛力預估: 經濟部於93年8月5日所召開的「第二季促進投資擴大招商推動會議」，亦指示工業局提出「壯大汽車零組件產業發展策略」─預期 2008 年台灣的汽車零組件產業產值可達新台幣3784億元，其中電子零組件可達...
電腦模擬技術在方向盤Body Block試驗之應用	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 模擬結果與試驗比對，趨勢須一致，關鍵數值誤差在10％以內。 \| 潛力預估: 承受衝擊環境之產品設計皆可使用此技術。