磊晶基板的製造方法<塗佈光阻>(國立中興大學工學院材料系)
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技術名稱-中文磊晶基板的製造方法<塗佈光阻>(國立中興大學工學院材料系)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：先形成一圖樣化膜層於一基板上，使基板露出部分預定區域，接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層，然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩，將光阻圖樣化進而形成複數第一凹洞於第一磊晶層，利用複數阻擋塊填滿第一凹洞，再自第一磊晶層與阻擋塊共同構成的平面磊..., 潛力預估是具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場.

序號	3706
產出年度	99
技術名稱-中文	磊晶基板的製造方法<塗佈光阻>(國立中興大學工學院材料系)
執行單位	學界科專辦公室
產出單位	(空)
計畫名稱	學界科專計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	已申請專利
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：先形成一圖樣化膜層於一基板上，使基板露出部分預定區域，接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層，然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩，將光阻圖樣化進而形成複數第一凹洞於第一磊晶層，利用複數阻擋塊填滿第一凹洞，再自第一磊晶層與阻擋塊共同構成的平面磊晶形成一第二磊晶層，接續蝕刻移除阻擋塊與該圖樣化膜層，弱化該第一磊晶層的結構，以利蝕刻移除第一磊晶膜並將基板自第二磊晶膜剝離，利用弱化結構的第一磊晶膜有效提高移除效率。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	半導體/光電
潛力預估	具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場
聯絡人員	武東星老師
電話	(04)-22851811
傳真	(04)-22851672
電子信箱	tlo@nchu.edu.tw
參考網址	http://caic.nchu.edu.tw/GroupIndex.aspx?SystemGroupCode=SG01
所須軟硬體設備	無資料
需具備之專業人才	半導體/光電元件產業製造背景
同步更新日期	2024-09-03

序號

3706

產出年度

技術名稱-中文

磊晶基板的製造方法<塗佈光阻>(國立中興大學工學院材料系)

執行單位

學界科專辦公室

產出單位

(空)

計畫名稱

學界科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

已申請專利

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：先形成一圖樣化膜層於一基板上，使基板露出部分預定區域，接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層，然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩，將光阻圖樣化進而形成複數第一凹洞於第一磊晶層，利用複數阻擋塊填滿第一凹洞，再自第一磊晶層與阻擋塊共同構成的平面磊晶形成一第二磊晶層，接續蝕刻移除阻擋塊與該圖樣化膜層，弱化該第一磊晶層的結構，以利蝕刻移除第一磊晶膜並將基板自第二磊晶膜剝離，利用弱化結構的第一磊晶膜有效提高移除效率。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

半導體/光電

潛力預估

具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場

聯絡人員

武東星老師

電話

(04)-22851811

傳真

(04)-22851672

電子信箱

tlo@nchu.edu.tw

參考網址

http://caic.nchu.edu.tw/GroupIndex.aspx?SystemGroupCode=SG01

所須軟硬體設備

無資料

需具備之專業人才

半導體/光電元件產業製造背景

同步更新日期

2024-09-03

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磊晶基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：先形成一圖樣化膜層於一基板上，使基板露出部分預定區域，接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層，然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩，將光阻圖樣化... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
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低表面缺陷密度之磊晶基板(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊，該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配，包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞，及一圍繞界定該等第一凹洞... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
磊晶用基板(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
光電元件的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種光電元件的製造方法，是先自一基材形成一犧牲膜，且犧牲膜包括複數與周緣連通的通道，接著自圖樣化的犧牲膜磊晶成長一光電半導體磊晶膜，並在光電半導體磊晶膜上貼覆一第一基板後，將蝕刻劑由周緣通入通道以蝕刻... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
發光元件模組的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種發光元件模組的製作方法，包含(a)準備磊晶用基材，(b)在基材表面形成犧牲層，(c)在犧牲層上形成與犧牲層具有高蝕刻選擇比的磊晶層，(d)定義出多數彼此間隔且交錯排列並將磊晶層界定出多數發光單元的... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
磊晶用基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種磊晶用基板的製造方法，包含以下步驟製備一磊晶用基材，並自基材沉積一犧牲膜，接著自犧牲膜成長一第一半導體磊晶膜，基材在發光元件的後續製程將被移除，犧牲膜呈圖樣化且包括複數第一通道及複數分別由一奈米材... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
結合RFID於零售業存貨管理之安全監控應用系統(國立中興大學社管院資管系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種結合RFID於零售業存貨管理之安全監控應用系統，利用RFID以實施盤點效率更佳、更精確、更安全的存貨監控機制。零售通路必須實施良好的存貨控管才能反應實際上的銷售利潤，本發明提出的存貨監控模式可發揮... \| 潛力預估: 就目前來說RFID仍有價格上的考量，若要推廣至較屬於低價的一般零售業，會有不少的困難，但是就長遠的市場來說，先以高價商品如3C專賣店或是精品店為現行目標，配合RFID的發展進程，逐漸朝向普遍性零售業來... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統(國立中興大學社管院資管系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統，設計了新型態的影音光碟多次傳租模式，讓消費者多了能夠方便租片與分享的管道，使租賃光碟變得更方便，解決目前線上出租服務中消費者等待光碟寄達的時間成本以及業... \| 潛力預估: 依據系統中執照所授權的播放限制，能夠成為一個合理的DRM機制設計，在現今提供影音光碟線上租賃服務之電子商務發展下具有更大的優勢，而更具特色的「影音光碟多次傳租」模式能提高影音光碟的租賃流通性，除了使業... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

低表面缺陷密度之磊晶基板(國立中興大學工學院材料系)

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磊晶用基板(國立中興大學工學院材料系)

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光電元件的製造方法(國立中興大學工學院材料系)

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發光元件模組的製造方法(國立中興大學工學院材料系)

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磊晶用基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系)

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結合RFID於零售業存貨管理之安全監控應用系統(國立中興大學社管院資管系)

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結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統(國立中興大學社管院資管系)

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共用型軍用發射箱架操作控制器研製技術開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1．單一元件失效不可導致誤激發安全事故的射控介面控制電路研製技術。2．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。3．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 \| 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會
氮化鋁鎵紫外線偵檢器磊晶技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: AlGaN 偵檢元件鋁含量可達26%,響應波長<325nm \| 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性
氮化鋁鎵紫外線偵檢器製程技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: responsivity >0.05A/W；response time <10ms；cutoff wavelength <325nm \| 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性
太陽光紫外線強度量測技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 搭配氮化鎵紫外線偵檢元件，UVI可量測0-10 \| 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性
焦平面紅外線模組製程技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 128x128、256x256、320x240三規格中紅外波段感測模組製程與光電驗證 \| 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性
繞射光學鏡片設計與製程技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 最小環距13μm；深度1.1μm。 \| 潛力預估: 數位相機與照相手機為資訊時代熱門光電影像產品，本技術提供塑膠繞射鏡片設計與量產製程技術，有助於提升成像品質、縮小產品尺寸及降低成本。
電鑄模仁低溫增厚技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)接合溫度200-400℃；(2)結合強度3000psi以上；(3)變形量<0.5μm/㎝；(4)增厚厚度10mm以上。 \| 潛力預估: 光電、通訊、生技及電腦週邊產品對模具開發之需求日殷，本技術可縮短製模時程，提升模具使用壽命，市場前景可期。
CMOS影像IC設計及影像處理像技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Resolution:10萬-2百萬像素，Pixel Pitch：10-4.5μm，Process: 0.5-0.25um CMOS \| 潛力預估: 隨著3G手機之推廣，CIS照相機將成為標準配備，預估在2007年手機全球產量達2.37億支，市場十分龐大，加上PC Camera，光學滑鼠等等商品應用，在2007年全球CMOS Image Sens...
影像物件追蹤技術演算法	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可偵測物件: 255個，可追蹤物件:2個 \| 潛力預估: 影像監控系統在社區、大樓及路口等等已非常普及，具影像移動物偵測及追蹤功能之監控系統將逐步取代目前之系統。
GSM/GPRS模組與GPS車機	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. GSM/GPRS Module: Dual-Band EGSM 900 and GSM 1800, Open softwares (J2ME); 2. GPS Receiver and Ante... \| 潛力預估: 明年可生產GPRS Remote Controller 1000台、產值500萬。
紅外光無線數位電子錢包付款技術與IrFM通訊協定	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: IrDA 1.0, IrFM 1.0 \| 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制，以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能，創造新的附加價值。另IrDA模組、系統驅動軟體、系統介面...
音效即時傳輸與播放系統	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 系統頻率響應 System Frequency Response : 30 Hz ~ 20k Hz (min) \| 潛力預估: 紅外光發射接收模組 IR Transmitting & Receiving Module : IrDA 4Mbps
晶片型陶瓷感溫元件加工技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 生胚直徑50-100mm，長度30-80mm。晶片直徑50-76mm，厚度0.5-1mm。 \| 潛力預估: 用於電路保護與溫度感測元件，國內產值可達數億元
準分子雷射微結構加工技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 微結構厚度可達500um以上，加工精度可達1μm，可製造立體3D的細微結構與零組件 \| 潛力預估: 可搶攻精密模具市場，極具市場潛力
奈米濕式分散研磨技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: TiO2、ZnO等奈米粉體可分散至D(90)=90nm \| 潛力預估: 可進入奈米粉體分散應用市場