dynamic random access memory
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英文名稱dynamic random access memory的中文名稱是動態隨機存取記憶體, 中國大陸譯名是动态随机[存取]存储器.

序號	248
英文名稱	dynamic random access memory
中文名稱	動態隨機存取記憶體
中國大陸譯名	动态随机[存取]存储器
來源網站	https://terms.naer.edu.tw/

序號

248

英文名稱

dynamic random access memory

中文名稱

動態隨機存取記憶體

中國大陸譯名

动态随机[存取]存储器

來源網站

https://terms.naer.edu.tw/

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85421990205	中文貨名: 動態隨機存取記憶體積體電路 \| 英文貨名: Dynamic random access memory integrated circuits (DRAM) \| 實施日期: 0860601 \| 截止日期: 0921218 @ 貨品基本資料 (統計參考用)
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85422190201	中文貨名: 動態隨機存取記憶體積體電路 \| 英文貨名: Dynamic random access memory integrated circuits (DRAM) \| 實施日期: 0921219 \| 截止日期: 0971231 @ 貨品基本資料 (統計參考用)
85423200216	中文貨名: 動態隨機存取記憶體積體電路晶粒 \| 英文貨名: Chips of dynamic random access memory integrated circuits (DRAM) \| 實施日期: 0980101 \| 截止日期: @ 貨品基本資料 (統計參考用)
85423200225	中文貨名: 動態隨機存取記憶體積體電路晶圓 \| 英文貨名: Wafers of dynamic random access memory integrated circuits (DRAM) \| 實施日期: 0980101 \| 截止日期: @ 貨品基本資料 (統計參考用)

85421910916

中文貨名: 動態隨機存取記憶體積體電路晶粒 | 英文貨名: Chips of dynamic random access memory integrated circuits (DRAM) | 實施日期: 0900301 | 截止日期: 0921218

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85421910925

中文貨名: 動態隨機存取記憶體積體電路晶圓 | 英文貨名: Wafers of dynamic random access memory integrated circuits (DRAM) | 實施日期: 0900301 | 截止日期: 0921218

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85421990205

中文貨名: 動態隨機存取記憶體積體電路 | 英文貨名: Dynamic random access memory integrated circuits (DRAM) | 實施日期: 0860601 | 截止日期: 0921218

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85422110912

中文貨名: 動態隨機存取記憶體積體電路晶粒 | 英文貨名: Chips of dynamic random access memory integrated circuits (DRAM) | 實施日期: 0921219 | 截止日期: 0971231

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中文貨名: 動態隨機存取記憶體積體電路晶圓 | 英文貨名: Wafers of dynamic random access memory integrated circuits (DRAM) | 實施日期: 0921219 | 截止日期: 0971231

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85422190201

中文貨名: 動態隨機存取記憶體積體電路 | 英文貨名: Dynamic random access memory integrated circuits (DRAM) | 實施日期: 0921219 | 截止日期: 0971231

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85423200216

中文貨名: 動態隨機存取記憶體積體電路晶粒 | 英文貨名: Chips of dynamic random access memory integrated circuits (DRAM) | 實施日期: 0980101 | 截止日期:

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85423200225

中文貨名: 動態隨機存取記憶體積體電路晶圓 | 英文貨名: Wafers of dynamic random access memory integrated circuits (DRAM) | 實施日期: 0980101 | 截止日期:

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