volatile memory
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英文名稱volatile memory的中文名稱是揮發性記憶體, 中國大陸譯名是易失性存储器.

序號	824
英文名稱	volatile memory
中文名稱	揮發性記憶體
中國大陸譯名	易失性存储器
來源網站	https://terms.naer.edu.tw/

序號

824

英文名稱

volatile memory

中文名稱

揮發性記憶體

中國大陸譯名

易失性存储器

來源網站

https://terms.naer.edu.tw/

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RFID記憶體之電流源控制	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院辨識中心 \| 產出年度: 95 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 無線射頻辨識系統關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 布魯斯、羅聖尼、彼得、納拿瓦 \| 證書號碼: I248034 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
三維積體電路(3DIC)導通孔(TSV)技術	執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: "12吋矽晶圓的TSV 製程整合開發；完成TSV電性量測驗證。 TSV 之規格為： ‧Via size ≦5 um ‧TSV depth ≦ 50um ‧scallop ≦ 100nm ‧void ... \| 潛力預估: 國內具有完整的半導體產業鏈(design, foundry, packaging)，配合上中下游的整合開發3DIC關鍵技術，包含模組整合設計、散熱技術、TSV 電性設計與製程技術、堆疊組裝技術及專利佈... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
TSV製程開發及整合技術	執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 104 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 領域: 智慧科技 \| 技術規格: 12吋矽晶圓的TSV 製程整合開發(Via size≦10um)；完成TSV電性量測驗證。 \| 潛力預估: 與未來多功能整合、高效能、低功浩及小體積的半導體發展趨勢相符，因此頗具潛力 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
TSV製程開發及整合技術	執行單位: 工研院電光系統所 \| 產出年度: 105 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 領域: 智慧科技 \| 技術規格: 12吋矽晶圓的TSV 製程整合開發(Via size≦10um)；完成TSV電性量測驗證。 \| 潛力預估: 與未來多功能整合、高效能、低功浩及小體積的半導體發展趨勢相符，因此頗具潛力 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
三維積體電路(3DIC)導通孔(TSV)技術	執行單位: 工研院電光系統所 \| 產出年度: 105 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 領域: 智慧科技 \| 技術規格: ‧TSV Via size ≦20um的製程模組開發 ‧Via last製程整合開發。 \| 潛力預估: 3DIC可以整合不同元件高度整合設計，使得模組構裝體積縮小，晶片經由三維堆疊並藉由TSV 的導通，使得訊號路徑縮短，模組效能增加，應用於高效能整合性系統模組必然成為趨勢。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
非揮發性記憶體及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 95 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 林哲歆、李隆盛、曾培哲 \| 證書號碼: I267944 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
高性能非揮發性記憶體技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 104 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 智慧手持裝置核心技術攻堅計畫 \| 領域: 智慧科技 \| 技術規格: (1)電阻式記憶體元件操作電壓<2.5V，寫入電流<300uA，寫入時間<500ns，endurance>10^6 (2)晶片之規格達到4Mb, 8IO, Read throughput 10MB/s... \| 潛力預估: 電阻式記憶體(RRAM)為次世代非揮發性記憶體中的一種，結構簡單並與CMOS製程高度相容，具有操作電壓低、寫入與抹除時間短、記憶時間長、多位準記憶、與元件面積可持續縮小等優點，是未來新興記憶體中具備高... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
可應用於三維堆疊式架構之固態記憶體技術	執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: "‧Write time ? 20ns,Endurance ? 10^12 cycles@20ns or equivalent ‧?6F²/bit(F:Bitline Half-pitch)... \| 潛力預估: "‧垂直式自旋傳輸記憶體技術，其研究結果已顯示極低的寫入電流密度以及國際首見對稱的寫入電壓，具有45nm以下的embedded應用潛力。 ‧電阻式記憶體是一種新興的非揮發性記憶體技術，其儲存核心是一個... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

高性能非揮發性記憶體技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧手持裝置核心技術攻堅計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: (1)電阻式記憶體元件操作電壓<2.5V，寫入電流<300uA，寫入時間<500ns，endurance>10^6 (2)晶片之規格達到4Mb, 8IO, Read throughput 10MB/s... | 潛力預估: 電阻式記憶體(RRAM)為次世代非揮發性記憶體中的一種，結構簡單並與CMOS製程高度相容，具有操作電壓低、寫入與抹除時間短、記憶時間長、多位準記憶、與元件面積可持續縮小等優點，是未來新興記憶體中具備高...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

可應用於三維堆疊式架構之固態記憶體技術

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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