氧化釔摻鋯堆疊閘極介電層之特性以及漏電機制研究分析
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論文名稱氧化釔摻鋯堆疊閘極介電層之特性以及漏電機制研究分析的作者是柯智馨, 指導教授是劉傳璽 屠名正, 學位類別是碩士, 畢業學年度是102, 論文名稱(外文)是The characteristics and leakage current mechanism analysis of MOS structure with Zr incorporated Y2O3 stack high-k dielectric layer, 系所名稱是機電科技學系, 學校名稱是國立臺灣師範大學.

論文名稱氧化釔摻鋯堆疊閘極介電層之特性以及漏電機制研究分析
論文名稱(外文)The characteristics and leakage current mechanism analysis of MOS structure with Zr incorporated Y2O3 stack high-k dielectric layer
學校名稱國立臺灣師範大學
系所名稱機電科技學系
畢業學年度102
學位類別碩士
作者柯智馨
指導教授劉傳璽 屠名正
博碩士論文網址https://hdl.handle.net/11296/jsf93x

論文名稱

氧化釔摻鋯堆疊閘極介電層之特性以及漏電機制研究分析

論文名稱(外文)

The characteristics and leakage current mechanism analysis of MOS structure with Zr incorporated Y2O3 stack high-k dielectric layer

學校名稱

國立臺灣師範大學

系所名稱

機電科技學系

畢業學年度

102

學位類別

碩士

作者

柯智馨

指導教授

劉傳璽 屠名正

博碩士論文網址

https://hdl.handle.net/11296/jsf93x

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