利用氮化鋁/氮化矽作為閘極介電質及鈍化層之低電流崩潰氮化鎵金屬絕緣層半導體高速電子遷移率電晶體
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論文名稱利用氮化鋁/氮化矽作為閘極介電質及鈍化層之低電流崩潰氮化鎵金屬絕緣層半導體高速電子遷移率電晶體的作者是戴谷銘, 指導教授是張翼張俊彥, 學位類別是碩士, 畢業學年度是102, 論文名稱(外文)是Low Current Collapse GaN MIS-HEMT Using AlN/SiN as Gate Dielectric and Passivation Layer, 系所名稱是電子工程學系電子研究所, 學校名稱是國立交通大學.

論文名稱	利用氮化鋁/氮化矽作為閘極介電質及鈍化層之低電流崩潰氮化鎵金屬絕緣層半導體高速電子遷移率電晶體
論文名稱(外文)	Low Current Collapse GaN MIS-HEMT Using AlN/SiN as Gate Dielectric and Passivation Layer
學校名稱	國立交通大學
系所名稱	電子工程學系電子研究所
畢業學年度	102
學位類別	碩士
作者	戴谷銘
指導教授	張翼張俊彥
博碩士論文網址	https://hdl.handle.net/11296/uzdk2t

論文名稱

利用氮化鋁/氮化矽作為閘極介電質及鈍化層之低電流崩潰氮化鎵金屬絕緣層半導體高速電子遷移率電晶體

論文名稱(外文)

Low Current Collapse GaN MIS-HEMT Using AlN/SiN as Gate Dielectric and Passivation Layer

學校名稱

國立交通大學

系所名稱

電子工程學系電子研究所

畢業學年度

102

學位類別

碩士

作者

戴谷銘

指導教授

張翼張俊彥

博碩士論文網址

https://hdl.handle.net/11296/uzdk2t

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