40奈米製程技術操縱在低電壓的 256Kb 8T 雙埠隨機存取記憶體
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論文名稱40奈米製程技術操縱在低電壓的 256Kb 8T 雙埠隨機存取記憶體的作者是鄭銘慶, 指導教授是莊景德, 學位類別是碩士, 畢業學年度是103, 論文名稱(外文)是40nm 256Kb Low VDDMIN 8T Dual-Port SRAM Design, 系所名稱是電子工程學系 電子研究所, 學校名稱是國立交通大學.

論文名稱40奈米製程技術操縱在低電壓的 256Kb 8T 雙埠隨機存取記憶體
論文名稱(外文)40nm 256Kb Low VDDMIN 8T Dual-Port SRAM Design
學校名稱國立交通大學
系所名稱電子工程學系 電子研究所
畢業學年度103
學位類別碩士
作者鄭銘慶
指導教授莊景德
博碩士論文網址https://hdl.handle.net/11296/n76mmq

論文名稱

40奈米製程技術操縱在低電壓的 256Kb 8T 雙埠隨機存取記憶體

論文名稱(外文)

40nm 256Kb Low VDDMIN 8T Dual-Port SRAM Design

學校名稱

國立交通大學

系所名稱

電子工程學系 電子研究所

畢業學年度

103

學位類別

碩士

作者

鄭銘慶

指導教授

莊景德

博碩士論文網址

https://hdl.handle.net/11296/n76mmq

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鄭銘慶

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彰化縣花壇鄉花壇村中山路2段23號
鄭銘慶72383603歇業 - 獨資 (核准文號: 1090823235)

雲林縣土庫鎮西平里馬光路360號
鄭銘慶82375687核准設立 - 獨資 (核准文號: 1090044317)

登記地址: 彰化縣花壇鄉花壇村中山路2段23號 | 負責人: 鄭銘慶 | 統編: 72383603 | 歇業 - 獨資 (核准文號: 1090823235)

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