接觸蝕刻停止層與矽鍺通道之機械性質對具偽閘極陣列N型短通道奈米元件之影響
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論文名稱接觸蝕刻停止層與矽鍺通道之機械性質對具偽閘極陣列N型短通道奈米元件之影響的作者是李典勇, 指導教授是劉傳璽鄭慶民李昌駿, 學位類別是碩士, 畢業學年度是104, 論文名稱(外文)是The Effect of Contact-Etch-Stop-Layer and Si1-xGex Channel Mechanical Properties on Nano-Scaled Short Channel NMOSFETs with Dummy Gate Array, 系所名稱是機電工程學系, 學校名稱是國立臺灣師範大學.

論文名稱	接觸蝕刻停止層與矽鍺通道之機械性質對具偽閘極陣列N型短通道奈米元件之影響
論文名稱(外文)	The Effect of Contact-Etch-Stop-Layer and Si1-xGex Channel Mechanical Properties on Nano-Scaled Short Channel NMOSFETs with Dummy Gate Array
學校名稱	國立臺灣師範大學
系所名稱	機電工程學系
畢業學年度	104
學位類別	碩士
作者	李典勇
指導教授	劉傳璽鄭慶民李昌駿
博碩士論文網址	https://hdl.handle.net/11296/z66k79

論文名稱

接觸蝕刻停止層與矽鍺通道之機械性質對具偽閘極陣列N型短通道奈米元件之影響

論文名稱(外文)

The Effect of Contact-Etch-Stop-Layer and Si1-xGex Channel Mechanical Properties on Nano-Scaled Short Channel NMOSFETs with Dummy Gate Array

學校名稱

國立臺灣師範大學

系所名稱

機電工程學系

畢業學年度

104

學位類別

碩士

作者

李典勇

指導教授

劉傳璽鄭慶民李昌駿

博碩士論文網址

https://hdl.handle.net/11296/z66k79

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李典勇	職稱: 監察人 \| 持有股份數: 4566500 \| 所代表法人: 威永盛國際投資開發事業有限公司 \| 京鑽國際股份有限公司 \| 統一編號: 80631731 @ 董監事資料集

李典勇

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