超薄層異質通道場效電晶體及單石三維靜態隨機存取記憶體考慮負交疊設計之研究
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論文名稱超薄層異質通道場效電晶體及單石三維靜態隨機存取記憶體考慮負交疊設計之研究的作者是黃子承, 指導教授是胡璧合, 學位類別是碩士, 畢業學年度是105, 論文名稱(外文)是Analysis of Ultra-Thin-Body Hetero-channel MOSFETs and Monolithic 3D SRAM Cells Considering the Impact of Underlap Design, 系所名稱是電機工程學系, 學校名稱是國立中央大學.
論文名稱 | 超薄層異質通道場效電晶體及單石三維靜態隨機存取記憶體考慮負交疊設計之研究 |
論文名稱(外文) | Analysis of Ultra-Thin-Body Hetero-channel MOSFETs and Monolithic 3D SRAM Cells Considering the Impact of Underlap Design |
學校名稱 | 國立中央大學 |
系所名稱 | 電機工程學系 |
畢業學年度 | 105 |
學位類別 | 碩士 |
作者 | 黃子承 |
指導教授 | 胡璧合 |
博碩士論文網址 | https://hdl.handle.net/11296/zx64y3 |
論文名稱超薄層異質通道場效電晶體及單石三維靜態隨機存取記憶體考慮負交疊設計之研究 |
論文名稱(外文)Analysis of Ultra-Thin-Body Hetero-channel MOSFETs and Monolithic 3D SRAM Cells Considering the Impact of Underlap Design |
學校名稱國立中央大學 |
系所名稱電機工程學系 |
畢業學年度105 |
學位類別碩士 |
作者黃子承 |
指導教授胡璧合 |
博碩士論文網址https://hdl.handle.net/11296/zx64y3 |