堆疊三氧化二鋁/二氧化鋯閘極介電層研製氮化鋁鎵/氮化鎵金氧半高電子遷移率電晶體之電性及可靠度分析
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論文名稱堆疊三氧化二鋁/二氧化鋯閘極介電層研製氮化鋁鎵/氮化鎵金氧半高電子遷移率電晶體之電性及可靠度分析的作者是黃晟瑜, 指導教授是王永和, 學位類別是碩士, 畢業學年度是107, 論文名稱(外文)是AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistors Performance with Al2O3/ZrO2 Stacked Gate Dielectric Layers, 系所名稱是微電子工程研究所, 學校名稱是國立成功大學.

論文名稱堆疊三氧化二鋁/二氧化鋯閘極介電層研製氮化鋁鎵/氮化鎵金氧半高電子遷移率電晶體之電性及可靠度分析
論文名稱(外文)AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistors Performance with Al2O3/ZrO2 Stacked Gate Dielectric Layers
學校名稱國立成功大學
系所名稱微電子工程研究所
畢業學年度107
學位類別碩士
作者黃晟瑜
指導教授王永和
博碩士論文網址https://hdl.handle.net/11296/5wyf69

論文名稱

堆疊三氧化二鋁/二氧化鋯閘極介電層研製氮化鋁鎵/氮化鎵金氧半高電子遷移率電晶體之電性及可靠度分析

論文名稱(外文)

AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistors Performance with Al2O3/ZrO2 Stacked Gate Dielectric Layers

學校名稱

國立成功大學

系所名稱

微電子工程研究所

畢業學年度

107

學位類別

碩士

作者

黃晟瑜

指導教授

王永和

博碩士論文網址

https://hdl.handle.net/11296/5wyf69

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黃晟瑜

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