以硫化銨鈍化SiGe表面之金氧半電容製程
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論文名稱以硫化銨鈍化SiGe表面之金氧半電容製程的作者是莊喆翔, 指導教授是莊文魁, 學位類別是碩士, 畢業學年度是108, 論文名稱(外文)是SiGe MOS capacitors fabricated by passivating surface with ammonium sulfide, 系所名稱是微電子工程研究所, 學校名稱是國立成功大學.

論文名稱	以硫化銨鈍化SiGe表面之金氧半電容製程
論文名稱(外文)	SiGe MOS capacitors fabricated by passivating surface with ammonium sulfide
學校名稱	國立成功大學
系所名稱	微電子工程研究所
畢業學年度	108
學位類別	碩士
作者	莊喆翔
指導教授	莊文魁
博碩士論文網址	https://hdl.handle.net/11296/yx8388

論文名稱

以硫化銨鈍化SiGe表面之金氧半電容製程

論文名稱(外文)

SiGe MOS capacitors fabricated by passivating surface with ammonium sulfide

學校名稱

國立成功大學

系所名稱

微電子工程研究所

畢業學年度

108

學位類別

碩士

作者

莊喆翔

指導教授

莊文魁

博碩士論文網址

https://hdl.handle.net/11296/yx8388

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