優化沉積條件以改善DRAM產品之鈦薄膜阻值
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論文名稱優化沉積條件以改善DRAM產品之鈦薄膜阻值的作者是林家銘, 指導教授是林勻蔚, 學位類別是碩士, 畢業學年度是109, 論文名稱(外文)是Optimization of the Deposition Condition for Improving the Ti film Resistance of DRAM Products, 系所名稱是智慧系統與應用研究所, 學校名稱是國立陽明交通大學.
論文名稱 | 優化沉積條件以改善DRAM產品之鈦薄膜阻值 |
論文名稱(外文) | Optimization of the Deposition Condition for Improving the Ti film Resistance of DRAM Products |
學校名稱 | 國立陽明交通大學 |
系所名稱 | 智慧系統與應用研究所 |
畢業學年度 | 109 |
學位類別 | 碩士 |
作者 | 林家銘 |
指導教授 | 林勻蔚 |
博碩士論文網址 | https://hdl.handle.net/11296/j9r97p |
論文名稱優化沉積條件以改善DRAM產品之鈦薄膜阻值 |
論文名稱(外文)Optimization of the Deposition Condition for Improving the Ti film Resistance of DRAM Products |
學校名稱國立陽明交通大學 |
系所名稱智慧系統與應用研究所 |
畢業學年度109 |
學位類別碩士 |
作者林家銘 |
指導教授林勻蔚 |
博碩士論文網址https://hdl.handle.net/11296/j9r97p |