以射頻磁控濺鍍研製HfO2 & TiO2電阻式記憶體
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論文名稱以射頻磁控濺鍍研製HfO2 & TiO2電阻式記憶體的作者是陳奐宇, 指導教授是陳世志, 學位類別是碩士, 畢業學年度是110, 論文名稱(外文)是The Study on Fabrication of HfO2 & TiO2 Resistive Random Access Memories by RF Magnetron Sputtering, 系所名稱是電子工程系, 學校名稱是國立雲林科技大學.
論文名稱 | 以射頻磁控濺鍍研製HfO2 & TiO2電阻式記憶體 |
論文名稱(外文) | The Study on Fabrication of HfO2 & TiO2 Resistive Random Access Memories by RF Magnetron Sputtering |
學校名稱 | 國立雲林科技大學 |
系所名稱 | 電子工程系 |
畢業學年度 | 110 |
學位類別 | 碩士 |
作者 | 陳奐宇 |
指導教授 | 陳世志 |
博碩士論文網址 | https://hdl.handle.net/11296/d5cxfg |
論文名稱以射頻磁控濺鍍研製HfO2 & TiO2電阻式記憶體 |
論文名稱(外文)The Study on Fabrication of HfO2 & TiO2 Resistive Random Access Memories by RF Magnetron Sputtering |
學校名稱國立雲林科技大學 |
系所名稱電子工程系 |
畢業學年度110 |
學位類別碩士 |
作者陳奐宇 |
指導教授陳世志 |
博碩士論文網址https://hdl.handle.net/11296/d5cxfg |