低電壓高密?之氧化鉿鋯鐵電非揮發性靜態隨機存取記憶體
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論文名稱低電壓高密?之氧化鉿鋯鐵電非揮發性靜態隨機存取記憶體的作者是黃筱珊, 指導教授是盧達生, 學位類別是碩士, 畢業學年度是110, 論文名稱(外文)是Low-Voltage and High-Density Non-Volatile SRAM with Hafnium Zirconium Oxide Ferroelectric Memory, 系所名稱是微電子工程研究所, 學校名稱是國立成功大學.
論文名稱 | 低電壓高密?之氧化鉿鋯鐵電非揮發性靜態隨機存取記憶體 |
論文名稱(外文) | Low-Voltage and High-Density Non-Volatile SRAM with Hafnium Zirconium Oxide Ferroelectric Memory |
學校名稱 | 國立成功大學 |
系所名稱 | 微電子工程研究所 |
畢業學年度 | 110 |
學位類別 | 碩士 |
作者 | 黃筱珊 |
指導教授 | 盧達生 |
博碩士論文網址 | https://hdl.handle.net/11296/9b2tee |
論文名稱低電壓高密?之氧化鉿鋯鐵電非揮發性靜態隨機存取記憶體 |
論文名稱(外文)Low-Voltage and High-Density Non-Volatile SRAM with Hafnium Zirconium Oxide Ferroelectric Memory |
學校名稱國立成功大學 |
系所名稱微電子工程研究所 |
畢業學年度110 |
學位類別碩士 |
作者黃筱珊 |
指導教授盧達生 |
博碩士論文網址https://hdl.handle.net/11296/9b2tee |