基於鉿氧化物之金氧半導體電容中不同鐵電層組成及製程條件之探討
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論文名稱基於鉿氧化物之金氧半導體電容中不同鐵電層組成及製程條件之探討的作者是王冠奇, 指導教授是吳添立, 學位類別是碩士, 畢業學年度是111, 論文名稱(外文)是Investigation of Different Processing Conditions and Various Compositions of Ferroelectric-layer in HfO2-based MOSCAPs, 系所名稱是國際半導體產業學院, 學校名稱是國立陽明交通大學.

論文名稱	基於鉿氧化物之金氧半導體電容中不同鐵電層組成及製程條件之探討
論文名稱(外文)	Investigation of Different Processing Conditions and Various Compositions of Ferroelectric-layer in HfO2-based MOSCAPs
學校名稱	國立陽明交通大學
系所名稱	國際半導體產業學院
畢業學年度	111
學位類別	碩士
作者	王冠奇
指導教授	吳添立
博碩士論文網址	https://hdl.handle.net/11296/uua8p7

論文名稱

基於鉿氧化物之金氧半導體電容中不同鐵電層組成及製程條件之探討

論文名稱(外文)

Investigation of Different Processing Conditions and Various Compositions of Ferroelectric-layer in HfO2-based MOSCAPs

學校名稱

國立陽明交通大學

系所名稱

國際半導體產業學院

畢業學年度

111

學位類別

碩士

作者

王冠奇

指導教授

吳添立

博碩士論文網址

https://hdl.handle.net/11296/uua8p7

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