有效改善高功率GaN-基LED光電特性之新潁表面工程與金屬基座技術之開發研究
- 國家科學及技術委員會工程科技研究成果報告清冊 @ 國家科學及技術委員會

計畫名稱有效改善高功率GaN-基LED光電特性之新潁表面工程與金屬基座技術之開發研究的計畫編號是NSC96-2221-E-006-081-MY2, 日期是20070801, 序號是94660.

序號	94660
計畫編號	NSC96-2221-E-006-081-MY2
計畫名稱	有效改善高功率GaN-基LED光電特性之新潁表面工程與金屬基座技術之開發研究
日期	20070801
報告網址	http://www.etop.org.tw/index.php?c=adm11252&m=getReportFile&d=adm&i=94660

序號

94660

計畫編號

NSC96-2221-E-006-081-MY2

計畫名稱

有效改善高功率GaN-基LED光電特性之新潁表面工程與金屬基座技術之開發研究

日期

20070801

報告網址

http://www.etop.org.tw/index.php?c=adm11252&m=getReportFile&d=adm&i=94660

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