內鑲自組裝金屬奈米晶之MOS記憶體結構的製程與單電子現象研究(3/3)
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計畫名稱內鑲自組裝金屬奈米晶之MOS記憶體結構的製程與單電子現象研究(3/3)的計畫編號是NSC96-2221-E-007-017-, 日期是20070801, 序號是104081.

序號	104081
計畫編號	NSC96-2221-E-007-017-
計畫名稱	內鑲自組裝金屬奈米晶之MOS記憶體結構的製程與單電子現象研究(3/3)
日期	20070801
報告網址	http://www.etop.org.tw/index.php?c=adm11252&m=getReportFile&d=adm&i=104081

序號

104081

計畫編號

NSC96-2221-E-007-017-

計畫名稱

內鑲自組裝金屬奈米晶之MOS記憶體結構的製程與單電子現象研究(3/3)

日期

20070801

報告網址

http://www.etop.org.tw/index.php?c=adm11252&m=getReportFile&d=adm&i=104081

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計畫編號: NSC96-2221-E-017-007- | 日期: 20070801 | 序號: 118211

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應用Kano品質模型探討數位遊戲設計之魅力因子研究－以角色扮演遊戲為例

計畫編號: NSC96-2221-E-017-007- | 日期: 20070801 | 序號: 118211

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