以矽基板之高發光效率之III-nitride藍綠光LED之研製
- 技術司業界開發產業技術計畫補助計畫 @ 經濟部

計畫名稱以矽基板之高發光效率之III-nitride藍綠光LED之研製的公司名稱是元砷光電科技股份有限公司, 計畫起訖時間是93年 9月1 日 至 95 年 8 月 31 日(共 24 個月), 計畫總經費是45370, 計畫補助款是17250, 計畫自籌款是28120, 計畫摘要是(一)公司簡介  創立日期:2000年 4 月 12 日負責人:鄭朝元實收資本額:( 2000年) 1,080,000仟元公司總人數: 406 人研發人員數: 24 人主要營業項目:紅光、藍光及綠光LED磊晶片及晶粒。 (二)申請政府補助原因說明   本計畫主要目的在開發於矽基板上成長氮化鎵材料的技....

公司名稱元砷光電科技股份有限公司
計畫名稱以矽基板之高發光效率之III-nitride藍綠光LED之研製
計畫起訖時間93年 9月1 日 至 95 年 8 月 31 日(共 24 個月)
計畫總經費45370
計畫補助款17250
計畫自籌款28120
計畫摘要(一)公司簡介  創立日期:2000年 4 月 12 日負責人:鄭朝元實收資本額:( 2000年) 1,080,000仟元公司總人數: 406 人研發人員數: 24 人主要營業項目:紅光、藍光及綠光LED磊晶片及晶粒。 (二)申請政府補助原因說明   本計畫主要目的在開發於矽基板上成長氮化鎵材料的技術,預計開發的磊晶成長技術將有助於白光發光二極體的發展,因矽基板可為一導電基板,此一特性將使的氮化鎵發光二極體的製程簡化,使良率提升並增加其應用性。又其矽基板具有較佳的導熱性,因此具有相當大之潛力應用於高功率白光照明。在此研發的同時將可培育此方面的人才,此研究之初期需要龐大的研發經費及人才的投入,因此需申請政府補助來完成此項研發。 (三)計畫概述   由於照明市場蓬勃發展,高功率及抗靜電氮化鎵發光二極體的研發是迫切需要的,矽基板本身其導熱性及導電度皆優於藍寶石基板,對於開發高功率及抗靜電氮化鎵發光二極體有絕對之優勢。本計主要目的在開發以矽(111)基板成長氮化鎵材料發光二極體磊晶及製程技術。主要包括:1. GaN-based LED on Si(111)2. Vertical structure Nitride-based LED on Si(111)3. High Power Nitride-based LED on Si(111) (四)預期效益(包括對產業之貢獻)  1.提昇公司研發能力,進而創造更多利潤。2.在照明市場的研發能有領先之技術。3.解決高功率白光LED之散熱問題。4.簡化生產製程及提升生產良率。

公司名稱

元砷光電科技股份有限公司

計畫名稱

以矽基板之高發光效率之III-nitride藍綠光LED之研製

計畫起訖時間

93年 9月1 日 至 95 年 8 月 31 日(共 24 個月)

計畫總經費

45370

計畫補助款

17250

計畫自籌款

28120

計畫摘要

(一)公司簡介  創立日期:2000年 4 月 12 日負責人:鄭朝元實收資本額:( 2000年) 1,080,000仟元公司總人數: 406 人研發人員數: 24 人主要營業項目:紅光、藍光及綠光LED磊晶片及晶粒。 (二)申請政府補助原因說明   本計畫主要目的在開發於矽基板上成長氮化鎵材料的技術,預計開發的磊晶成長技術將有助於白光發光二極體的發展,因矽基板可為一導電基板,此一特性將使的氮化鎵發光二極體的製程簡化,使良率提升並增加其應用性。又其矽基板具有較佳的導熱性,因此具有相當大之潛力應用於高功率白光照明。在此研發的同時將可培育此方面的人才,此研究之初期需要龐大的研發經費及人才的投入,因此需申請政府補助來完成此項研發。 (三)計畫概述   由於照明市場蓬勃發展,高功率及抗靜電氮化鎵發光二極體的研發是迫切需要的,矽基板本身其導熱性及導電度皆優於藍寶石基板,對於開發高功率及抗靜電氮化鎵發光二極體有絕對之優勢。本計主要目的在開發以矽(111)基板成長氮化鎵材料發光二極體磊晶及製程技術。主要包括:1. GaN-based LED on Si(111)2. Vertical structure Nitride-based LED on Si(111)3. High Power Nitride-based LED on Si(111) (四)預期效益(包括對產業之貢獻)  1.提昇公司研發能力,進而創造更多利潤。2.在照明市場的研發能有領先之技術。3.解決高功率白光LED之散熱問題。4.簡化生產製程及提升生產良率。

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元砷光電科技股份有限公司

統一編號: 70769216 | 公司狀態: 合併解散 | 公司地址: 新竹科學工業園區

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