機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法
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專利名稱-中文機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法的核准國家是美國, 證書號碼是8397584, 專利期間起是102/03/19, 專利期間訖是120/03/06, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是102, 計畫名稱是3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫, 專利發明人是謝明哲 ,劉漢誠 ,譚瑞敏.

序號	12043
產出年度	102
領域別	電資通光
專利名稱-中文	機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法
執行單位	工研院電光所
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人	謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏
核准國家	美國
獲證日期	102/04/22
證書號碼	8397584
專利期間起	102/03/19
專利期間訖	120/03/06
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法。製造方法包括下列步驟。提供一待測物。待測物包括一晶圓、一絕緣層與多個導電柱。晶圓包括多個晶片區。晶圓的表面具有多個第一與第二盲孔。第一盲孔位於晶片區外，第二盲孔位於晶片區內。絕緣層覆蓋晶圓的表面及第一與第二盲孔的孔壁。導電柱填充於第一與第二盲孔內，且絕緣層位於導電柱與第一盲孔的孔壁及第二盲孔的孔壁之間。進行一機械強度測試，以測試絕緣層、導電柱與第一盲孔的孔壁之間的結合強度。在合格通過機械強度測試後，將晶片區的導電柱電性連接一元件。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	鍾佩翰
電話	03-5912777
傳真	03-5917690
電子信箱	stephen.chung@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

12043

產出年度

102

領域別

電資通光

專利名稱-中文

機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法

執行單位

工研院電光所

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫

專利發明人

謝明哲 | 劉漢誠 | 譚瑞敏

核准國家

美國

獲證日期

102/04/22

證書號碼

8397584

專利期間起

102/03/19

專利期間訖

120/03/06

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法。製造方法包括下列步驟。提供一待測物。待測物包括一晶圓、一絕緣層與多個導電柱。晶圓包括多個晶片區。晶圓的表面具有多個第一與第二盲孔。第一盲孔位於晶片區外，第二盲孔位於晶片區內。絕緣層覆蓋晶圓的表面及第一與第二盲孔的孔壁。導電柱填充於第一與第二盲孔內，且絕緣層位於導電柱與第一盲孔的孔壁及第二盲孔的孔壁之間。進行一機械強度測試，以測試絕緣層、導電柱與第一盲孔的孔壁之間的結合強度。在合格通過機械強度測試後，將晶片區的導電柱電性連接一元件。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

鍾佩翰

電話

03-5912777

傳真

03-5917690

電子信箱

stephen.chung@itri.org.tw

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機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8673658 \| 專利期間起: 120/02/08 \| 專利期間訖: 一種機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法。製造方法包括下列步驟。提供一待測物。待測物包括一晶圓、一絕緣層與多個導電柱。晶圓包括多個晶片區。晶圓的表面具有多個第一與第二盲孔。第一盲孔位於晶片... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,397,584 \| 專利期間起: 102/03/19 \| 專利期間訖: 120/03/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I405303 \| 專利期間起: 102/08/11 \| 專利期間訖: 119/11/25 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集

機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法

直通矽晶穿孔結構及其製程	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I436466 \| 專利期間起: 120/04/26 \| 專利期間訖: 一種直通矽晶穿孔結構及其製程。透過添加填充高導熱與低熱膨脹係數顆粒於銅基材裡面，並使用填補的方法將複合材料填充於通孔內，不但可以降低直通矽晶穿孔結構的熱膨脹係數與其應力，亦可提升直通矽晶穿孔結構製程裡... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 戴明吉 \| 簡恆傑 \| 謝明哲 \| 洪瑞鋒 \| 譚瑞敏 \| 劉漢誠 @ 技術司專利資料集
直通矽晶穿孔結構及其製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,456,017 \| 專利期間起: 102/06/04 \| 專利期間訖: 120/07/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 戴明吉 \| 簡恆傑 \| 謝明哲 \| 洪瑞鋒 \| 譚瑞敏 \| 劉漢誠 @ 技術司專利資料集
直通矽晶穿孔結構及其製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8456017 \| 專利期間起: 102/06/04 \| 專利期間訖: 120/07/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 戴明吉 \| 簡恆傑 \| 謝明哲 \| 洪瑞鋒 \| 譚瑞敏 \| 劉漢誠 @ 技術司專利資料集
測量裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,502,224 \| 專利期間起: 102/08/06 \| 專利期間訖: 120/03/27 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 譚瑞敏 \| 劉漢誠 \| 謝明哲 \| 李暐 \| 戴明吉 @ 技術司專利資料集
測量裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL201110160053.6 \| 專利期間起: 120/06/14 \| 專利期間訖: 一種測量裝置，包括一第一晶片、一第一線路層、一第一加熱元件、一第一應力感測器以及一第二線路層。第一晶片具有一第一導通孔及相對的一第一表面與一第二表面。第一線路層配置於第一表面。第一加熱元件配置於第一表... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 譚瑞敏 \| 劉漢誠 \| 謝明哲 \| 李暐 \| 戴明吉 @ 技術司專利資料集
測量裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8502224 \| 專利期間起: 102/08/06 \| 專利期間訖: 120/03/27 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 譚瑞敏 \| 劉漢誠 \| 謝明哲 \| 李暐 \| 戴明吉 @ 技術司專利資料集

用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610058803.8 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 李元仁 \| 王連昌 @ 技術司專利資料集
讀?放大器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610071485.9 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/03/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯 \| 林志昇 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,577,017 \| 專利期間起: 98/08/18 \| 專利期間訖: 115/10/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 李元仁 \| 高明哲 @ 技術司專利資料集
磁性記憶體之資料讀取電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,646,635 \| 專利期間起: 99/01/12 \| 專利期間訖: 117/08/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳永祥 \| 王丁勇 @ 技術司專利資料集
磁電阻性隨機存取記憶體裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I330844 \| 專利期間起: 1999/9/21 \| 專利期間訖: 116/05/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 李元仁 \| 高明哲 @ 技術司專利資料集
用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I343574 \| 專利期間起: 100/06/11 \| 專利期間訖: 115/03/02 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 李元仁 \| 王連昌 @ 技術司專利資料集
栓扣式磁性穿隧接面元件之模擬電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I337355 \| 專利期間起: 100/02/11 \| 專利期間訖: 116/06/28 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 陳永祥 @ 技術司專利資料集

具有主動控制之可調式場發射顯示器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202493 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王右武 \| 李鈞道 \| 李正中
氣動式微流體驅動裝置及方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6682311 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾永強 \| 吳得群 \| 郭遠峰 \| 黃士豪
用於陽極接合間隙物之SOG材料	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 184703 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蕭名君 \| 蘇凱農 \| 李正中 \| 林鵬 \| 陳三元
用於陽極接合間隙物之SOG材料	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6617264 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蕭名君 \| 蘇凱農 \| 李正中 \| 林鵬 \| 陳三元
熱性能量測系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191653 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 簡恆傑 \| 曾明溪 \| 柯文旺 \| 王志耀 \| 陳宜孝
熱性能量測系統及其方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6663278 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 簡恆傑 \| 曾明溪 \| 柯文旺 \| 王志耀 \| 陳宜孝
接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200260 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 楊學安 \| 李正中 \| 蕭名君 \| 黃榮堂
形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6692983 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳志強 \| 莊景桑 \| 張鈞傑
可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 184717 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張志祥 \| 王文通 \| 戴遠東 \| 林炯暐 \| 陳麒麟 \| 廖宗能 \| 李啟聖
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220265 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚 \| 鄭華琦 \| 許志榮 \| 趙慶勳 \| 陳光中
一種場發射顯示器之三極結構的製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6769945 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚 \| 鄭華琦 \| 許志榮 \| 趙慶勳 \| 陳光中
場發射顯示器之三極結構及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206590 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道 \| 李正中 \| 許志榮 \| 張悠揚 \| 何家充 \| 王右武
主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202661 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任 \| 陳尚立 \| 陳建儒
主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6753655 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任 \| 陳尚立 \| 陳建儒
形成具有分子排列之有機半導體層的方法，以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6737303 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆 \| 周維揚 \| 許財源 \| 王右武 \| 何家充 \| 廖奇璋

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