階梯溝渠式金氧半場效電晶體及其製造方法
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專利名稱-中文階梯溝渠式金氧半場效電晶體及其製造方法的核准國家是美國, 證書號碼是8841721, 專利期間起是122/05/06, 專利期間訖是一種階梯溝渠式金氧半場效電晶體，包括漂移層、第一半導體區、階梯式閘極以及浮置區。漂移層具有第一導電型。第一半導體區具有第二導電型，位於漂移層的第一表面上，其中漂移層與第一半導體區之中具有階梯式閘極溝渠。階梯式閘極溝渠至少包括第一凹槽與第二凹槽，其中第一凹槽自第一半導體區延伸到漂移層，第二凹槽位於漂移..., 專利性質是發明, 執行單位是工研院資通所, 產出年度是103, 計畫名稱是智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫, 專利發明人是顏誠廷 ,洪建中 ,陳永祥 ,李傳英.

序號	14223
產出年度	103
領域別	智慧科技
專利名稱-中文	階梯溝渠式金氧半場效電晶體及其製造方法
執行單位	工研院資通所
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫
專利發明人	顏誠廷 \| 洪建中 \| 陳永祥 \| 李傳英
核准國家	美國
獲證日期	103/09/23
證書號碼	8841721
專利期間起	122/05/06
專利期間訖	一種階梯溝渠式金氧半場效電晶體，包括漂移層、第一半導體區、階梯式閘極以及浮置區。漂移層具有第一導電型。第一半導體區具有第二導電型，位於漂移層的第一表面上，其中漂移層與第一半導體區之中具有階梯式閘極溝渠。階梯式閘極溝渠至少包括第一凹槽與第二凹槽，其中第一凹槽自第一半導體區延伸到漂移層，第二凹槽位於漂移層中且位於第一凹槽的底部，且第二凹槽的尺寸小於第一凹槽的尺寸。階梯式閘極位於階梯式閘極溝渠之中。浮置區具有第二導電型，位於第二凹槽的底部的漂移層中。
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種階梯溝渠式金氧半場效電晶體，包括漂移層、第一半導體區、階梯式閘極以及浮置區。漂移層具有第一導電型。第一半導體區具有第二導電型，位於漂移層的第一表面上，其中漂移層與第一半導體區之中具有階梯式閘極溝渠。階梯式閘極溝渠至少包括第一凹槽與第二凹槽，其中第一凹槽自第一半導體區延伸到漂移層，第二凹槽位於漂移層中且位於第一凹槽的底部，且第二凹槽的尺寸小於第一凹槽的尺寸。階梯式閘極位於階梯式閘極溝渠之中。浮置區具有第二導電型，位於第二凹槽的底部的漂移層中。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	曾斌凱
電話	03-5914409
傳真	03-5820202
電子信箱	BinKaiTseng@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

14223

產出年度

103

領域別

智慧科技

專利名稱-中文

階梯溝渠式金氧半場效電晶體及其製造方法

執行單位

工研院資通所

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫

專利發明人

顏誠廷 | 洪建中 | 陳永祥 | 李傳英

核准國家

美國

獲證日期

103/09/23

證書號碼

8841721

專利期間起

122/05/06

專利期間訖

一種階梯溝渠式金氧半場效電晶體，包括漂移層、第一半導體區、階梯式閘極以及浮置區。漂移層具有第一導電型。第一半導體區具有第二導電型，位於漂移層的第一表面上，其中漂移層與第一半導體區之中具有階梯式閘極溝渠。階梯式閘極溝渠至少包括第一凹槽與第二凹槽，其中第一凹槽自第一半導體區延伸到漂移層，第二凹槽位於漂移層中且位於第一凹槽的底部，且第二凹槽的尺寸小於第一凹槽的尺寸。階梯式閘極位於階梯式閘極溝渠之中。浮置區具有第二導電型，位於第二凹槽的底部的漂移層中。

專利性質

發明

技術摘要-中文

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

曾斌凱

電話

03-5914409

傳真

03-5820202

電子信箱

BinKaiTseng@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

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特殊情形

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溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8835935 \| 專利期間起: 121/07/21 \| 專利期間訖: 一種溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法，其中所述溝槽式金氧半導體電晶體元件包括第一型基材、第一型漂移區、第二型深溝槽摻雜區、第二型磊晶區、溝槽式閘極、閘極絕緣層、源極區、汲極電極以及源極電極。第一... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 陳永祥 \| 顏誠廷 \| 李傳英 @ 技術司專利資料集
碳化矽溝槽式蕭基能障元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,766,279 \| 專利期間起: 122/01/08 \| 專利期間訖: 本發明揭示一種碳化矽溝槽式蕭基能障元件，其包括：一碳化矽半導體基板，具有上表面及下表面；一第一接觸金屬，形成於該碳化矽半導體基板的下表面，並形成歐姆接觸；一碳化矽半導體飄移層，形成於該碳化矽半導體基板... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 顏誠廷 \| 陳永祥 \| 洪建中 \| 李傳英 \| 莊喬舜 \| 陳開宇 \| 黃正鑫 @ 技術司專利資料集
碳化矽溝槽式蕭基能障元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8766279 \| 專利期間起: 122/01/08 \| 專利期間訖: 本發明揭示一種碳化矽溝槽式蕭基能障元件，其包括：一碳化矽半導體基板，具有上表面及下表面；一第一接觸金屬，形成於該碳化矽半導體基板的下表面，並形成歐姆接觸；一碳化矽半導體飄移層，形成於該碳化矽半導體基板... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 顏誠廷 \| 陳永祥 \| 洪建中 \| 李傳英 \| 莊喬舜 \| 陳開宇 \| 黃正鑫 @ 技術司專利資料集
溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I470802 \| 專利期間起: 104/01/21 \| 專利期間訖: 120/12/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 陳永祥 \| 顏誠廷 \| 李傳英 @ 技術司專利資料集
碳化矽溝槽式蕭基能障元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I469341 \| 專利期間起: 104/01/11 \| 專利期間訖: 121/12/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 顏誠廷 \| 陳永祥 \| 洪建中 \| 李傳英 \| 莊喬舜 \| 陳開宇 \| 黃正鑫 @ 技術司專利資料集
接面位障蕭特基二極體嵌於金氧半場效電晶體單元陣列之整合元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I521718 \| 專利期間起: 105/02/11 \| 專利期間訖: 121/12/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 陳永祥 \| 顏誠廷 \| 李傳英 @ 技術司專利資料集
接面位障蕭特基二極體嵌於金氧半場效電晶體單元陣列之整合元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 9,209,293 \| 專利期間起: 104/12/08 \| 專利期間訖: 122/05/05 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 陳永祥 \| 顏誠廷 \| 李傳英 @ 技術司專利資料集
接面位障蕭特基二極體嵌於金氧半場效電晶體單元陣列之整合元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 9209293 \| 專利期間起: 104/12/08 \| 專利期間訖: 122/05/05 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 陳永祥 \| 顏誠廷 \| 李傳英 @ 技術司專利資料集

光纖網路故障復原方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,971,699 \| 專利期間起: 104/03/03 \| 專利期間訖: 122/11/07 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 寬頻匯流系統與整合技術發展計畫 \| 專利發明人: 李詩偉 \| 彭耀民 \| 沈惠如 \| 蕭翊弘 \| 張綺倩 @ 技術司專利資料集
雲端平台之監測資料調控方法及系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I476584 \| 專利期間起: 104/03/11 \| 專利期間訖: 122/12/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 寬頻匯流系統與整合技術發展計畫 \| 專利發明人: 高詠証 \| 李國徵 @ 技術司專利資料集
光纖網路故障復原方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8971699 \| 專利期間起: 104/03/03 \| 專利期間訖: 122/11/07 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 寬頻匯流系統與整合技術發展計畫 \| 專利發明人: 李詩偉 \| 彭耀民 \| 沈惠如 \| 蕭翊弘 \| 張綺倩 @ 技術司專利資料集
光分波節點	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,682,164 \| 專利期間起: 121/03/23 \| 專利期間訖: 一種光分波節點，係包括光分路器、複數個光循環器、及無色光源模組，其中，光分路器係接收光纜終端設備傳送之下傳訊號光源並將其分為第一路及第二路訊號光源，光循環器之首順位者係接收第一路訊號光源並將其傳送至光... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 寬頻匯流系統與整合技術發展計畫 \| 專利發明人: 田伯隆 \| 楊啟瑞 \| 陳星宇 \| 陳智弘 @ 技術司專利資料集
具有限度變動位元率控制之感興趣區域編碼方法與系統以及相關之儲存媒體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I429294 \| 專利期間起: 118/06/03 \| 專利期間訖: 一種具有限度變動位元率控制之感興趣區域編碼方法及系統，可以在有限的位元率下，提高動態區域和人眼感興趣區域的影像畫面品質，並藉由捨棄較多背景影像的高頻係數資訊，達到節省編碼位元率的目的。相較於以傳統位元... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 寬頻匯流系統與整合技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃崇明 \| 林群惟 \| 沈志聖 @ 技術司專利資料集
數位內容次序調整方法和數位內容匯流器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I475412 \| 專利期間起: 104/03/01 \| 專利期間訖: 121/04/01 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 人本感知與智慧生活整合服務發展計畫 \| 專利發明人: 吳欣怡 \| 蕭宇翔 \| 高崎鈞 \| 丁柏元 \| 陳翊銓 \| 葉文熙 @ 技術司專利資料集
更新電子貨架標籤的系統與方法以及一電子貨架標籤的更新裝置與方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I475491 \| 專利期間起: 104/03/01 \| 專利期間訖: 122/04/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 人本感知與智慧生活整合服務發展計畫 \| 專利發明人: 戴源助 \| 吳俊賢 \| 李岳峰 \| 李泱融 @ 技術司專利資料集
燈號觸發事件偵測方法與裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I476701 \| 專利期間起: 104/03/11 \| 專利期間訖: 121/12/10 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 寬頻匯流系統與整合技術發展計畫 \| 專利發明人: 陳敦裕 \| 何健鵬 \| 彭彥傑 \| 游人諭 @ 技術司專利資料集

電腦視窗界面的快速多工控制系統	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL98125165.X \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 許文通 \| 郭文章 \| 王國光 \| 葉昭蘭
雙螺旋轉子總成	核准國家: 英國 \| 證書號碼: GB2352777 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 方宏聲 \| 馮展華 \| 王漢聰 \| 蔡政展 \| 陳俊宏 \| 陳明豐
無電鍍形成雙層以上金屬凸塊的製備方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01118735.2 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 梁沐旺 \| 曾乙修 \| 蔣邦民
無電鍍形成雙層以上金屬凸塊之製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6653235 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 梁沐旺 \| 曾乙修 \| 蔣邦民
微工件之選料裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6817465 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 潘正堂 \| 吳東權
潔淨容器之氣孔裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6732877 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 吳宗明 \| 蔡昇富 \| 蘇戊成
應用于工具機直結式主軸的松刀機構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL03251417.4 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 胡志揚 \| 黃鴻傑 \| 張恩生 \| 蔡坤龍
應用於工具機直結式主軸之鬆刀機構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 216588 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 胡志揚 \| 黃鴻傑 \| 張恩生 \| 蔡坤龍
應用於工具機直結式主軸之鬆刀機構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,675,683 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 胡志揚 \| 黃鴻傑 \| 張恩生 \| 蔡坤龍
旋轉蝕刻機用之化學液回收再生裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6712926 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 江源遠 \| 董福慶 \| 王家康 \| P. Mahneke
熱幅射式鑽石薄膜化學研磨拋光裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 211401 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 謝浚豪 \| 賴華堂 \| 張永明 \| 林宏彝
一種長管內表面電解拋光裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 218376 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林春宏 \| 蔡陳德 \| 鍾允昇 \| 吳錦清 \| 陳裕豐 \| 王漢聰
一種長管內表面電解拋光裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6660138 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林春宏 \| 蔡陳德 \| 鍾允昇 \| 吳錦清 \| 陳裕豐 \| 王漢聰
一種金屬內外表面電解拋光裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6776884 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林春宏 \| 吳錦清 \| 鍾允昇 \| 涂運泉 \| 吳清吉 \| 彭永振
手持式光纖切割裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6754426 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李文宇 \| 周大鑫

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