銅銦鎵硒膜層硒化燒結裝置
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

經濟部公告：訂定「中華民國一百十四年度再生能源電能躉購費率及其計算公式」，自114年1月1日生效

Date_Published: 中華民國114年1月2日 | PubGovName: 經濟部 | Keyword: 再生能源;費率(資費);發電設備;發電業;太陽光電發電系統;主管機關;躉購;離島;原住民族地區(原住民地區) | 經濟部公告中華民國114年1月2日經能字第11358040460號主　　旨：訂定「中華民國一百十四年度再生能源電能躉購費率及其計算公式」，並自中華民國一百十四年一月一日生效。依　　據：「再生能源發展條...

國立臺灣科學教育館令：修正「中華民國中小學科學展覽會實施要點」、「臺灣國際科學展覽會實施要點」部分規定，自即日生效

Date_Published: 中華民國114年1月16日 | PubGovName: 國立臺灣科學教育館 | Keyword: 國中小學(國中，國小);科學教育;科學展覽(科展);高級中等學校(高中，高中職);選拔(評選);國民中學(初中，國中);國民小學(國小，小學);科學研究;評審委員(評選委員);獎勵;國際展覽 | 國立臺灣科學教育館令中華民國114年1月16日科實字第11402000350號修正「中華民國中小學科學展覽會實施要點」暨「臺灣國際科學展覽會實施要點」部分規定，並自即日生效。附修正「中華民國中小學科學...

19291230

公發布日: 19291230 | 生效日期: | 法規名稱: 保險法 | 法規體系: 通用目 | 法規類別: 法律 | 發文字號: 華總一經字第11100101171號令 | 法規內容: 第 一 章 總則 　　　　 第 一 節 定義及分類 第 1 條 本法所稱保險，謂當事人約定，一方交付保險費於他方，他方對於因不可 預料，或不可抗力之事故所致之損害，負...

文化部令：訂定「第四十九屆金鼎獎報名須知」，自即日生效

Date_Published: 中華民國114年4月1日 | PubGovName: 文化部 | Keyword: 金鼎獎;出版品(出版物);雜誌(期刊);出版事業(出版業);出版發行;書籍(圖書);數位出版品;數位創新;數位創作;推薦;政府出版品;網路報名;獎勵 | 文化部令中華民國114年4月1日文版字第11430088661號訂定「第四十九屆金鼎獎報名須知」，並自即日生效。附「第四十九屆金鼎獎報名須知」   部　　長　李遠   ...

文化部影視及流行音樂產業局令：訂定「中華民國一百十四年度國產電影長片輔導金辦理要點」，自即日生效

Date_Published: 中華民國114年2月27日 | PubGovName: 文化部影視及流行音樂產業局 | Keyword: 國片(台灣電影);國片輔導金;電影影片;政府補助;經費補助;申請資格;審查審核;電影片製作業;導演;口述影像 | 文化部影視及流行音樂產業局令中華民國114年2月27日局影（輔）字第11430007952號訂定「中華民國一百十四年度國產電影長片輔導金辦理要點」，並自即日生效。附「中華民國一百十四年度國產電影長片輔...

19930306

公發布日: 19930306 | 生效日期: | 法規名稱: 保險業辦理國外投資管理辦法 | 法規體系: 保險業管理目 | 法規類別: 法規命令 | 發文字號: 金管保財字第11304917001號令 | 法規內容: 第 1 條 本辦法依據保險法（以下簡稱本法）第一百四十六條之四第三項規定訂定 之。 第 2 條 本辦法用詞定義如下： 一、外國政府：指外國之中央政府或地方政府。 ...

20060901

公發布日: 20060901 | 生效日期: 20260101 | 法規名稱: 人身保險商品審查應注意事項 | 法規體系: 人身保險目 | 法規類別: 行政規則 | 發文字號: 金管保壽字第11404900041號令 | 法規內容: 第 一 章 總則 一、為便利人身保險商品審查，依據保險商品銷售前程序作業準則（以下 簡稱本準則）第十八條規定，訂定本注意事項。 二、人身保險商品定名，應表明商品之主要性質。 ...

20060901

公發布日: 20060901 | 生效日期: 20240701 | 法規名稱: 人身保險商品審查應注意事項 | 法規體系: 人身保險目 | 法規類別: 行政規則 | 發文字號: 金管保壽字第11304921171號令 | 法規內容: 第 一 章 總則 一、為便利人身保險商品審查，依據保險商品銷售前程序作業準則（以下 簡稱本準則）第十八條規定，訂定本注意事項。 二、人身保險商品定名，應表明商品之主要...

銅銦鎵硒膜層硒化燒結裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I440204 | 專利期間起: 120/07/06 | 專利期間訖: 一種銅銦鎵硒膜層硒化燒結裝置，係包含一具有外管體及導管之容置單元；一設於外管體內且位於導管一側之載體；多數設於載體一面上之反應體；設於外管體內且位於導管另一側之硒粉；以及一用以對容置單元進行多段式加熱... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 專利發明人: 張百鎔 | 胡松城 | 盧永添

釕金屬錯合物染料及其太陽能電池

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I385215 | 專利期間起: 102/02/11 | 專利期間訖: 106/12/19 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 專利發明人: 胡松城 | 張百鎔 | 盧永添 | 張淑美 | 黃威凱

二氧化鈦光觸媒太陽電池元件

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.二氧化鈦薄膜(工作電極)：孔隙度>50%、膜層不剝落。_x000D_2.白金薄膜(對電極)：膜層均勻、反光性強。_x000D_3.元件(5cells，並聯)：25W鹵素燈照射下，VOC≒0.670... | 潛力預估: 3C產業、汽車太陽能天窗、攜帶型電源等

太陽電池緩衝層CdS薄膜

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.透光率≧80%。 2.薄膜～100nm。 3.N-junction。 | 潛力預估: 3C產業、太陽能電池產業等

薄膜太陽電池研製

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: "1.結構：glass/Mo/CIGS/CdS/iZO/AZO 2.CIGS膜厚目標：1.5～2μm" | 潛力預估: 以低成本之化學濕法製程導入，應用簡易覆膜技術，製備最適化薄膜結構太陽能電池元件，提昇電池之光電轉換效率。應用於3C電子產品、太陽能光電產業及綠色節能建築發展。

化學浴沈積法(CBD)製作硫化鎘(CdS)薄膜

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代能源材料關鍵技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: "1.透光率≧85% 2.膜厚～100nm" | 潛力預估: 因化學濕法CBD製程之低成本及便利性，可應用覆膜於較大面積與不規則性之基材。

氮化鋁基板材料與熱傳導研究

作者: 張百鎔 | 指導教授: 蔣孝澈 劉正毓 | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 109 | 論文名稱(外文): Study on the substrates and heat conduction of aluminum nitride | 系所名稱: 化學工程與材料工程學系 | 學校名稱: 國立中央大學