在量子物質中長程磁有序消失時的湧現現象
- 國家科學及技術委員會物理學門專題計畫補助清冊 @ 國家科學及技術委員會

開發晶圓級凡德瓦磊晶與多物理模型用以 0.5T0.5R 類神經網路陣列之運算架構

機關名稱: 國立清華大學電機工程學系（所） | 學門: M0315 半導體物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20221001 | 執行期限(迄): 20230930

開發高壓低溫顯微鏡以臨場操控與探索二維材料之層間耦合與莫瑞效應

機關名稱: 國立清華大學物理學系（所） | 學門: M0315 半導體物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220301 | 執行期限(迄): 20230228

開發直接無縫生長二維雙異質結構的激子凝態電晶體

機關名稱: 中央研究院原子與分子科學研究所 | 學門: M0315 半導體物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20230731

零維量子點和二維材料異質接面用於氣體偵測：實驗和第一原理模擬研究

機關名稱: 國立中興大學物理學系（所） | 學門: M0315 半導體物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20231031

電漿輔助分子束磊晶生長III族氮化物半導體/磁性體-超導體混合結構和分析

機關名稱: 國立中山大學物理學系（所） | 學門: M0315 半導體物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20240731

高效率有機太陽能板之戶外穩定性

機關名稱: 國立交通大學物理研究所 | 學門: M0315 半導體物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20230731

高效率熱電能源材料之探索

機關名稱: 國立中興大學物理學系（所） | 學門: M0315 半導體物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20240731

CMOS金屬與SiGe(001)-2×1介面之電子結構研究

機關名稱: 財團法人國家同步輻射研究中心研究組 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20221230

二維材料物理性質研究(2/3)

機關名稱: 國立政治大學應用物理研究所 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20231231

二維材料的缺陷，電子態與應用

機關名稱: 國立臺灣師範大學物理學系（所） | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20240731

二維凡得瓦系統之即場催化研究分析

機關名稱: 財團法人國家同步輻射研究中心研究組 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20230731

二維凡德瓦薄膜的物理特性研究 – 分子束磊晶技術發展與晶體結構、電子結構解析

機關名稱: 國立中央大學物理學系 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20221101 | 執行期限(迄): 20231031

以光電子繞射探討單層凡得瓦材料之相變(1/3)

機關名稱: 財團法人國家同步輻射研究中心研究組 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20231031

以掃描穿隧電子顯微鏡研究本性磁拓撲絕緣體的新拓樸相

機關名稱: 中央研究院物理研究所 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20230731

以二次諧波的方式探討可控電荷陷阱的矽薄膜表面上水與氧分子吸附與競爭行為(1/2)

機關名稱: 國立成功大學物理學系（所） | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20231031