氧化鎵半導體材料磊晶製程與特性改善(總計畫及子計畫一)
- 國家科學及技術委員會光電工程學門專題計畫補助清冊 @ 國家科學及技術委員會

計畫中文名稱氧化鎵半導體材料磊晶製程與特性改善(總計畫及子計畫一)的機關名稱是國立成功大學微電子工程研究所, 學門是E15-光電工程, 年度是112, 執行期限(起)是1120801, 執行期限(迄)是1130731.

年度	112
學門	E15-光電工程
計畫中文名稱	氧化鎵半導體材料磊晶製程與特性改善(總計畫及子計畫一)
計畫英文名稱	The Epitaxy Process and Characteristics Improvement of Gallium Oxide Semiconductor Materials
機關名稱	國立成功大學微電子工程研究所
執行期限(起)	1120801
執行期限(迄)	1130731

年度

112

學門

E15-光電工程

計畫中文名稱

氧化鎵半導體材料磊晶製程與特性改善(總計畫及子計畫一)

計畫英文名稱

The Epitaxy Process and Characteristics Improvement of Gallium Oxide Semiconductor Materials

機關名稱

國立成功大學微電子工程研究所

執行期限(起)

1120801

執行期限(迄)

1130731

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機關名稱: 國立成功大學微電子工程研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

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