陣列化之高密度堆疊鐵電電容式記憶體開發並邁向高效率類神經運算
- 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊 @ 國家科學及技術委員會

計畫中文名稱陣列化之高密度堆疊鐵電電容式記憶體開發並邁向高效率類神經運算的機關名稱是國立臺灣大學元件材料與異質整合學位學程, 學門是E14-微電子工程, 年度是112, 執行期限(起)是1120801, 執行期限(迄)是1130731.

年度112
學門E14-微電子工程
計畫中文名稱陣列化之高密度堆疊鐵電電容式記憶體開發並邁向高效率類神經運算
計畫英文名稱Array-based High Density Stack of Ferroelectric Capacitive Memory (FCM) Toward Engery-Efficient Neuromorphic Computing
機關名稱國立臺灣大學元件材料與異質整合學位學程
執行期限(起)1120801
執行期限(迄)1130731

年度

112

學門

E14-微電子工程

計畫中文名稱

陣列化之高密度堆疊鐵電電容式記憶體開發並邁向高效率類神經運算

計畫英文名稱

Array-based High Density Stack of Ferroelectric Capacitive Memory (FCM) Toward Engery-Efficient Neuromorphic Computing

機關名稱

國立臺灣大學元件材料與異質整合學位學程

執行期限(起)

1120801

執行期限(迄)

1130731

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彷生應用之可高密度堆疊鐵電穿隧接面記憶體陣列開發

機關名稱: 國立臺灣大學元件材料與異質整合學位學程 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

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中心局部氧化層薄化同心圓環閘金氧半穿隧二極體之暫態電流強化行為及其記憶體應用

作者: 王瑞賢 | 指導教授: 胡振國 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Enhanced Transient Current Behavior and Its Memory Application in Concentric Gate Metal-Insulator-S... | 系所名稱: 元件材料與異質整合學位學程 | 學校名稱: 國立臺灣大學

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透過精確計算對分段連續訊號進行高效率的基底擴展

作者: 陳逵禎 | 指導教授: 林致廷 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Efficient Piecewise Continuous Signal Basis Expansion by Precision Calculation | 系所名稱: 元件材料與異質整合學位學程 | 學校名稱: 國立臺灣大學

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成長於鍺基板高速940 nm垂直共振腔面射型雷射之研究

作者: 邱致銓 | 指導教授: 吳肇欣 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Investigation of 940 nm High-Speed Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers on Ge Substrate | 系所名稱: 元件材料與異質整合學位學程 | 學校名稱: 國立臺灣大學

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離子敏感型場效電晶體設計於Troponin I感測之研究

作者: 滑凱茵 | 指導教授: 林致廷 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): An Implementation of Ion Sensitive Field Effect Transistors for Troponin I Detection | 系所名稱: 元件材料與異質整合學位學程 | 學校名稱: 國立臺灣大學

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三維和準二維鹵化物鈣鈦礦金屬-半導體-金屬光感測器的穩定性和光電特性

作者: 夏筠庭 | 指導教授: 林致廷 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Stability and Optoelectronic Properties of 3D and Quasi-2D Halide Perovskite Metal-Semiconductor-Met... | 系所名稱: 元件材料與異質整合學位學程 | 學校名稱: 國立臺灣大學

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彷生應用之可高密度堆疊鐵電穿隧接面記憶體陣列開發

機關名稱: 國立臺灣大學元件材料與異質整合學位學程 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

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中心局部氧化層薄化同心圓環閘金氧半穿隧二極體之暫態電流強化行為及其記憶體應用

作者: 王瑞賢 | 指導教授: 胡振國 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Enhanced Transient Current Behavior and Its Memory Application in Concentric Gate Metal-Insulator-S... | 系所名稱: 元件材料與異質整合學位學程 | 學校名稱: 國立臺灣大學

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透過精確計算對分段連續訊號進行高效率的基底擴展

作者: 陳逵禎 | 指導教授: 林致廷 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Efficient Piecewise Continuous Signal Basis Expansion by Precision Calculation | 系所名稱: 元件材料與異質整合學位學程 | 學校名稱: 國立臺灣大學

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成長於鍺基板高速940 nm垂直共振腔面射型雷射之研究

作者: 邱致銓 | 指導教授: 吳肇欣 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Investigation of 940 nm High-Speed Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers on Ge Substrate | 系所名稱: 元件材料與異質整合學位學程 | 學校名稱: 國立臺灣大學

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離子敏感型場效電晶體設計於Troponin I感測之研究

作者: 滑凱茵 | 指導教授: 林致廷 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): An Implementation of Ion Sensitive Field Effect Transistors for Troponin I Detection | 系所名稱: 元件材料與異質整合學位學程 | 學校名稱: 國立臺灣大學

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三維和準二維鹵化物鈣鈦礦金屬-半導體-金屬光感測器的穩定性和光電特性

作者: 夏筠庭 | 指導教授: 林致廷 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Stability and Optoelectronic Properties of 3D and Quasi-2D Halide Perovskite Metal-Semiconductor-Met... | 系所名稱: 元件材料與異質整合學位學程 | 學校名稱: 國立臺灣大學

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先進單量子井氮化鋁鎵/氮化鎵發光高電子遷移率電晶體研發

機關名稱: 國立清華大學電子工程研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

應用人工智慧於室內影像感知之載具技術開發及硬體架構設計

機關名稱: 國立中央大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

以有機金屬蒸氣沉積法磊晶成長III族氮化物於新穎基板

機關名稱: 國立中央大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

建立創新雙脈衝不穩定GaN功率元件測試分析和原因探究與新型功率元件開發

機關名稱: 國立中央大學光電科學研究中心 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

子計畫二:電阻式隨機存取記憶體之整合性自我修復與容錯技術

機關名稱: 國立臺灣科技大學電機工程系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

子計畫二:高效能低複雜度張量分解處理器架構設計與電路實現

機關名稱: 國立臺灣科技大學電子工程系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

子計畫三:適用於新興技術之晶片與矽智財保護技術

機關名稱: 國立臺灣科技大學電機工程系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

雷射石墨烯複合奈米材料於軟性基板之氣體感測與紫外光偵測應用

機關名稱: 國立臺南大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

基於低溫複晶矽氧化物之互補式金屬氧化物半導體於單晶片三維積體電路之開發

機關名稱: 國立臺北科技大學電子工程系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1131031

新型具有P型通道III族-氮化物異質結構場效電晶體設計之技術開發

機關名稱: 逢甲大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

硬體木馬之系統偵測與防護技術及基於RISC-V核心之嵌入式系統驗證平台

機關名稱: 國立中山大學資訊工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

人工智慧領域適用之優於最保守及記憶體內計算之高能效電路

機關名稱: 國立中正大學晶片系統研究中心 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

奈米結構與二維材料提升光電元件性能

機關名稱: 國立聯合大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

子計畫三:支援 TOF感測訊號 AI物件偵測之深度學習加速器系統設計

機關名稱: 國立陽明交通大學電子研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

子計畫二;高效能,低功耗邊緣AI計算加速器架構系統設計

機關名稱: 國立陽明交通大學資訊工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

先進單量子井氮化鋁鎵/氮化鎵發光高電子遷移率電晶體研發

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應用人工智慧於室內影像感知之載具技術開發及硬體架構設計

機關名稱: 國立中央大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

以有機金屬蒸氣沉積法磊晶成長III族氮化物於新穎基板

機關名稱: 國立中央大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

建立創新雙脈衝不穩定GaN功率元件測試分析和原因探究與新型功率元件開發

機關名稱: 國立中央大學光電科學研究中心 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

子計畫二:電阻式隨機存取記憶體之整合性自我修復與容錯技術

機關名稱: 國立臺灣科技大學電機工程系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

子計畫二:高效能低複雜度張量分解處理器架構設計與電路實現

機關名稱: 國立臺灣科技大學電子工程系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

子計畫三:適用於新興技術之晶片與矽智財保護技術

機關名稱: 國立臺灣科技大學電機工程系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

雷射石墨烯複合奈米材料於軟性基板之氣體感測與紫外光偵測應用

機關名稱: 國立臺南大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

基於低溫複晶矽氧化物之互補式金屬氧化物半導體於單晶片三維積體電路之開發

機關名稱: 國立臺北科技大學電子工程系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1131031

新型具有P型通道III族-氮化物異質結構場效電晶體設計之技術開發

機關名稱: 逢甲大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

硬體木馬之系統偵測與防護技術及基於RISC-V核心之嵌入式系統驗證平台

機關名稱: 國立中山大學資訊工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

人工智慧領域適用之優於最保守及記憶體內計算之高能效電路

機關名稱: 國立中正大學晶片系統研究中心 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

奈米結構與二維材料提升光電元件性能

機關名稱: 國立聯合大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

子計畫三:支援 TOF感測訊號 AI物件偵測之深度學習加速器系統設計

機關名稱: 國立陽明交通大學電子研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

子計畫二;高效能,低功耗邊緣AI計算加速器架構系統設計

機關名稱: 國立陽明交通大學資訊工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

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