標準SiGe製程中低崩潰電壓NPN光電晶體之研究及其應用
- 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊 @ 國家科學及技術委員會

計畫中文名稱標準SiGe製程中低崩潰電壓NPN光電晶體之研究及其應用的機關名稱是國立清華大學電子工程研究所, 學門是E14-微電子工程, 年度是112, 執行期限(起)是1120801, 執行期限(迄)是1130731.

年度	112
學門	E14-微電子工程
計畫中文名稱	標準SiGe製程中低崩潰電壓NPN光電晶體之研究及其應用
計畫英文名稱	Study and Application of The NPN Phototransistors with Low Breakdown Voltage in Standard SiGe Technology
機關名稱	國立清華大學電子工程研究所
執行期限(起)	1120801
執行期限(迄)	1130731

年度

112

學門

E14-微電子工程

計畫中文名稱

標準SiGe製程中低崩潰電壓NPN光電晶體之研究及其應用

計畫英文名稱

Study and Application of The NPN Phototransistors with Low Breakdown Voltage in Standard SiGe Technology

機關名稱

國立清華大學電子工程研究所

執行期限(起)

1120801

執行期限(迄)

1130731

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徐永珍

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先進單量子井氮化鋁鎵/氮化鎵發光高電子遷移率電晶體研發

機關名稱: 國立清華大學電子工程研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

@ 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊

設計及整合矽基自旋量子位元于低溫控制晶片研究(1/4)