電阻式記憶體於低溫操作下之總劑量效應分析
- 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊 @ 國家科學及技術委員會

計畫中文名稱電阻式記憶體於低溫操作下之總劑量效應分析的機關名稱是國立陽明交通大學國際半導體產業學院, 學門是E14-微電子工程, 年度是112, 執行期限(起)是1120801, 執行期限(迄)是1130731.

年度112
學門E14-微電子工程
計畫中文名稱電阻式記憶體於低溫操作下之總劑量效應分析
計畫英文名稱Investigation of Total Dose Impact on Resistive Random Access Memory under Cryogenic Operation
機關名稱國立陽明交通大學國際半導體產業學院
執行期限(起)1120801
執行期限(迄)1130731

年度

112

學門

E14-微電子工程

計畫中文名稱

電阻式記憶體於低溫操作下之總劑量效應分析

計畫英文名稱

Investigation of Total Dose Impact on Resistive Random Access Memory under Cryogenic Operation

機關名稱

國立陽明交通大學國際半導體產業學院

執行期限(起)

1120801

執行期限(迄)

1130731

根據名稱 國立陽明交通大學國際半導體產業學院 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 國立陽明交通大學國際半導體產業學院 ...)

高功率及射頻氮化鋁鎵/氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體之關鍵製程開發與特性分析

作者: 王保元 | 指導教授: 吳添立 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 109 | 論文名稱(外文): Critical Process Development and Characteristics Analysis of Power and RF AlGaN/GaN Metal-Insulator-... | 系所名稱: 國際半導體產業學院 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

氮化鎵基底之半導體用於白光及紅外光之陣列光源及應用於車頭燈之研究

作者: 孫敬 | 指導教授: 簡昭欣 吳添立 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 110 | 論文名稱(外文): Study of GaN-based Semiconductor for White-and-infrared Light Emitting Matrix and Application to Aut... | 系所名稱: 國際半導體產業學院 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

製程條件與電性操作對於薄膜鉿氧化物金氧半導體電容的鐵電特性與可靠度之探討

作者: 吳承鴻 | 指導教授: 吳添立 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 110 | 論文名稱(外文): Investigation of Fabrication Processes and Electrical Operations on Ferroelectricity and Reliability... | 系所名稱: 國際半導體產業學院 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

基於鉿氧化物之金氧半導體電容中不同鐵電層組成及製程條件之探討

作者: 王冠奇 | 指導教授: 吳添立 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): Investigation of Different Processing Conditions and Various Compositions of Ferroelectric-layer in ... | 系所名稱: 國際半導體產業學院 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

可應用於高效率功率電子之寬能隙(氮化鎵和氧化鎵)功率半導體元件特性和可靠度探討

作者: 吳天星 | 指導教授: 吳添立 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Investigations of the performances and reliability of wide-bandgap semiconductor (GaN and Ga2O3) pow... | 系所名稱: 國際半導體產業學院 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

利用鐵電閘極之氟化二氧化鉿電荷捕捉層於增強式氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體

作者: 吳偲榕 | 指導教授: 張翼 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): E-mode GaN MIS-HEMT Using Ferroelectric Charge Trap Gate Stack with Fluorinated HfO2 as Charge Trapp... | 系所名稱: 國際半導體產業學院 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

利用四元複合物氮化銦鋁鎵於空乏型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體之功率特性改善與雙層場校電板最佳化

作者: 馬成駿 | 指導教授: 張翼 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): Double Field Plate Optimization and Power Performance Improvement of D-mode GaN HEMT by Using Quater... | 系所名稱: 國際半導體產業學院 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

插入氮化鋁鎵中間層於氮化銦鋁鎵/氮化鎵金屬-絕緣體�半導體高電子遷移率電晶體電流表現及材料特性之研究

作者: 陳博彥 | 指導教授: 張翼 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Current Performance and Material Characteristics for InAlGaN/GaN MISHEMT with AlGaN Interlayer Inser... | 系所名稱: 國際半導體產業學院 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

高功率及射頻氮化鋁鎵/氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體之關鍵製程開發與特性分析

作者: 王保元 | 指導教授: 吳添立 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 109 | 論文名稱(外文): Critical Process Development and Characteristics Analysis of Power and RF AlGaN/GaN Metal-Insulator-... | 系所名稱: 國際半導體產業學院 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

氮化鎵基底之半導體用於白光及紅外光之陣列光源及應用於車頭燈之研究

作者: 孫敬 | 指導教授: 簡昭欣 吳添立 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 110 | 論文名稱(外文): Study of GaN-based Semiconductor for White-and-infrared Light Emitting Matrix and Application to Aut... | 系所名稱: 國際半導體產業學院 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

製程條件與電性操作對於薄膜鉿氧化物金氧半導體電容的鐵電特性與可靠度之探討

作者: 吳承鴻 | 指導教授: 吳添立 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 110 | 論文名稱(外文): Investigation of Fabrication Processes and Electrical Operations on Ferroelectricity and Reliability... | 系所名稱: 國際半導體產業學院 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

基於鉿氧化物之金氧半導體電容中不同鐵電層組成及製程條件之探討

作者: 王冠奇 | 指導教授: 吳添立 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): Investigation of Different Processing Conditions and Various Compositions of Ferroelectric-layer in ... | 系所名稱: 國際半導體產業學院 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

可應用於高效率功率電子之寬能隙(氮化鎵和氧化鎵)功率半導體元件特性和可靠度探討

作者: 吳天星 | 指導教授: 吳添立 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Investigations of the performances and reliability of wide-bandgap semiconductor (GaN and Ga2O3) pow... | 系所名稱: 國際半導體產業學院 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

利用鐵電閘極之氟化二氧化鉿電荷捕捉層於增強式氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體

作者: 吳偲榕 | 指導教授: 張翼 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): E-mode GaN MIS-HEMT Using Ferroelectric Charge Trap Gate Stack with Fluorinated HfO2 as Charge Trapp... | 系所名稱: 國際半導體產業學院 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

利用四元複合物氮化銦鋁鎵於空乏型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體之功率特性改善與雙層場校電板最佳化

作者: 馬成駿 | 指導教授: 張翼 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): Double Field Plate Optimization and Power Performance Improvement of D-mode GaN HEMT by Using Quater... | 系所名稱: 國際半導體產業學院 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

插入氮化鋁鎵中間層於氮化銦鋁鎵/氮化鎵金屬-絕緣體�半導體高電子遷移率電晶體電流表現及材料特性之研究

作者: 陳博彥 | 指導教授: 張翼 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Current Performance and Material Characteristics for InAlGaN/GaN MISHEMT with AlGaN Interlayer Inser... | 系所名稱: 國際半導體產業學院 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

[ 搜尋所有 國立陽明交通大學國際半導體產業學院 ... ]

在『國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊』資料集內搜尋:


與電阻式記憶體於低溫操作下之總劑量效應分析同分類的國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊

CMOS時域溫度感測器與游標卡尺脈衝混合機制之設計與實作

機關名稱: 國立高雄科技大學電機資訊學院電子工程系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

高速傳輸具有訊號品質監測的新型通道等化器電路之研究

機關名稱: 國立高雄科技大學電機與資訊學院電子工程系(建工校區) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130930

ATOSENS: 以原子層3D列印實現智慧感測之新典範

機關名稱: 國立陽明交通大學電子研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

無參考頻率Baud-rate NRZ/PAM4 接收器之研發

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

應用於第三代定序資料分析糾錯之硬體加速器架構與晶片設計

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

用於聯邦學習架構下使用異質計算單元之分散式邊緣運算晶片系統

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

以二維電子氣及二維電洞氣製作之非二次磊晶垂直型氮化鎵電晶體

機關名稱: 國立臺灣大學光電工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

低功耗耦合結構金氧半穿隧感應元件

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

利用應變在鍺錫磊晶薄膜中實現直接能隙特性

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

彷生應用之可高密度堆疊鐵電穿隧接面記憶體陣列開發

機關名稱: 國立臺灣大學元件材料與異質整合學位學程 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

子計畫一:運用張量分解於混和式波束合成通訊系統之通道估測技術開發與實作

機關名稱: 國立臺灣大學重點科技研究學院 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

彩色電子紙晶片與色彩校正系統設計

機關名稱: 國立臺灣師範大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

基於深度學習與臉部特徵定位之非接觸式/免校正視線估計技術的互動式智慧型廣告機設計與實現

機關名稱: 國立中興大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

先進製程技術之測試晶片設計及標準元件之測試與診斷流程開發

機關名稱: 國立成功大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

高速低功耗高效能類比數位轉換器

機關名稱: 國立成功大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

CMOS時域溫度感測器與游標卡尺脈衝混合機制之設計與實作

機關名稱: 國立高雄科技大學電機資訊學院電子工程系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

高速傳輸具有訊號品質監測的新型通道等化器電路之研究

機關名稱: 國立高雄科技大學電機與資訊學院電子工程系(建工校區) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130930

ATOSENS: 以原子層3D列印實現智慧感測之新典範

機關名稱: 國立陽明交通大學電子研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

無參考頻率Baud-rate NRZ/PAM4 接收器之研發

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

應用於第三代定序資料分析糾錯之硬體加速器架構與晶片設計

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

用於聯邦學習架構下使用異質計算單元之分散式邊緣運算晶片系統

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

以二維電子氣及二維電洞氣製作之非二次磊晶垂直型氮化鎵電晶體

機關名稱: 國立臺灣大學光電工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

低功耗耦合結構金氧半穿隧感應元件

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

利用應變在鍺錫磊晶薄膜中實現直接能隙特性

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

彷生應用之可高密度堆疊鐵電穿隧接面記憶體陣列開發

機關名稱: 國立臺灣大學元件材料與異質整合學位學程 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

子計畫一:運用張量分解於混和式波束合成通訊系統之通道估測技術開發與實作

機關名稱: 國立臺灣大學重點科技研究學院 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

彩色電子紙晶片與色彩校正系統設計

機關名稱: 國立臺灣師範大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

基於深度學習與臉部特徵定位之非接觸式/免校正視線估計技術的互動式智慧型廣告機設計與實現

機關名稱: 國立中興大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

先進製程技術之測試晶片設計及標準元件之測試與診斷流程開發

機關名稱: 國立成功大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

高速低功耗高效能類比數位轉換器

機關名稱: 國立成功大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

 |