研究應用於高能效低電壓靜態隨機存取記憶體之低溫電晶體設計
- 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊 @ 國家科學及技術委員會

計畫中文名稱研究應用於高能效低電壓靜態隨機存取記憶體之低溫電晶體設計的機關名稱是國立臺灣大學電子工程學研究所, 學門是E14-微電子工程, 年度是112, 執行期限(起)是1120801, 執行期限(迄)是1130731.

年度112
學門E14-微電子工程
計畫中文名稱研究應用於高能效低電壓靜態隨機存取記憶體之低溫電晶體設計
計畫英文名稱Investigation of Cold CMOS Design for Energy-Efficient Low-Voltage SRAM
機關名稱國立臺灣大學電子工程學研究所
執行期限(起)1120801
執行期限(迄)1130731

年度

112

學門

E14-微電子工程

計畫中文名稱

研究應用於高能效低電壓靜態隨機存取記憶體之低溫電晶體設計

計畫英文名稱

Investigation of Cold CMOS Design for Energy-Efficient Low-Voltage SRAM

機關名稱

國立臺灣大學電子工程學研究所

執行期限(起)

1120801

執行期限(迄)

1130731

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子計畫一:應用於車用電子之接收機電路研發

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

@ 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊

子計畫二:應用於車用電子之傳送機電路研發

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

@ 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊

鉍/半導體異質接面的研究

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

@ 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊

閘極蝕刻與鰭式結構對於場效電晶體特性影響與高載子遷移率電晶體高頻電特性之研究

作者: 吳子寬 | 指導教授: 吳肇欣 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 103 | 論文名稱(外文): Investigation of the Influence of Gate Recess and Fin Structurein the Field-Effect Transistors and t... | 系所名稱: 電子工程學研究所 | 學校名稱: 國立臺灣大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

三五族高載子遷移率電晶體與其臨界電壓調變之研究

作者: 張立成 | 指導教授: 吳肇欣 | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 107 | 論文名稱(外文): Investigation of III-V High Electron Mobility Transistors and the Approaches of the Threshold-voltag... | 系所名稱: 電子工程學研究所 | 學校名稱: 國立臺灣大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

CMOS統計型頻率量測積體電路與應用於射頻頻率合成器之研發

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

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子計畫四:應用於車用電子之硬體資安技術

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

@ 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊

透過有效的二維材料散佈實現超高熱導熱環氧樹脂並建立填料散佈模型以分析此複合材料電特性之研究

作者: 趙家廉 | 指導教授: 張子璿 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Research on Achieving Ultra-High Thermal Conductive Epoxy through Effective 2D Material Dispersion a... | 系所名稱: 電子工程學研究所 | 學校名稱: 國立臺灣大學

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子計畫一:應用於車用電子之接收機電路研發

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

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子計畫二:應用於車用電子之傳送機電路研發

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

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鉍/半導體異質接面的研究

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

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閘極蝕刻與鰭式結構對於場效電晶體特性影響與高載子遷移率電晶體高頻電特性之研究

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三五族高載子遷移率電晶體與其臨界電壓調變之研究

作者: 張立成 | 指導教授: 吳肇欣 | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 107 | 論文名稱(外文): Investigation of III-V High Electron Mobility Transistors and the Approaches of the Threshold-voltag... | 系所名稱: 電子工程學研究所 | 學校名稱: 國立臺灣大學

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CMOS統計型頻率量測積體電路與應用於射頻頻率合成器之研發

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

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子計畫四:應用於車用電子之硬體資安技術

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與研究應用於高能效低電壓靜態隨機存取記憶體之低溫電晶體設計同分類的國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊

可提高類神經網路辨識準確率之新型突觸元件研究

機關名稱: 國立雲林科技大學工程科技研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

研究以差動對系統量測三氧化鎢奈米粒子修飾非酵素電壓式CuO多巴胺生醫感測器特性之研究、電化學分析及讀出電路之量測

機關名稱: 國立雲林科技大學電子工程系暨研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

多通道測試訊號產生器之設計

機關名稱: 國立聯合大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

以原子層沉積技術製作N型通道層氧化銦鎢側壁電晶體與電阻式記憶體於單晶片三維積體電路整合技術在後段製程實現邊緣運算

機關名稱: 國立聯合大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

RbF PDT與緩衝層對不同CGI比值和Ga縱深分布的CIGS太陽光電元件之特性影響

機關名稱: 國立東華大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1131118

新型高頻微波電晶體之開發

機關名稱: 國立東華大學材料科學與工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

用於碳化矽功率元件之邊緣終結結構之模擬研究

機關名稱: 國立東華大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1131031

新穎穿隧式奈米片電晶體與非揮發記憶體元件發展

機關名稱: 國立暨南國際大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

P型三元銅鐵礦化合物室溫氣體感測器

機關名稱: 國立暨南國際大學應用材料及光電工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

考慮製程電壓溫度變異的高效能動態變壓降壓轉換器

機關名稱: 國立臺北大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

適用於次臨界/近次臨界運算之低功率感測放大器式正反器設計

機關名稱: 朝陽科技大學資訊與通訊系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

新穎類核/殼鹵化鉛銫鈣鈦礦複合量子點太陽能電池之研究開發

機關名稱: 國立高雄大學應用物理學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

設計一用於高背景光環境的CMOS自動高背景抗擾度位置敏感探測器(PSD)

機關名稱: 國立嘉義大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

探討更高介電常數HZO閘極絕緣層用於製作由N型Si奈米片通道電晶體和P型Ge奈米片通道電晶體組成的CMOS元件

機關名稱: 財團法人國家實驗研究院台灣半導體研究中心 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1131031

BRLWE為基礎的後量子密碼硬體設計與實現

機關名稱: 國立高雄科技大學電機與資訊學院電子工程系(建工校區) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

可提高類神經網路辨識準確率之新型突觸元件研究

機關名稱: 國立雲林科技大學工程科技研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

研究以差動對系統量測三氧化鎢奈米粒子修飾非酵素電壓式CuO多巴胺生醫感測器特性之研究、電化學分析及讀出電路之量測

機關名稱: 國立雲林科技大學電子工程系暨研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

多通道測試訊號產生器之設計

機關名稱: 國立聯合大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

以原子層沉積技術製作N型通道層氧化銦鎢側壁電晶體與電阻式記憶體於單晶片三維積體電路整合技術在後段製程實現邊緣運算

機關名稱: 國立聯合大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

RbF PDT與緩衝層對不同CGI比值和Ga縱深分布的CIGS太陽光電元件之特性影響

機關名稱: 國立東華大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1131118

新型高頻微波電晶體之開發

機關名稱: 國立東華大學材料科學與工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

用於碳化矽功率元件之邊緣終結結構之模擬研究

機關名稱: 國立東華大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1131031

新穎穿隧式奈米片電晶體與非揮發記憶體元件發展

機關名稱: 國立暨南國際大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

P型三元銅鐵礦化合物室溫氣體感測器

機關名稱: 國立暨南國際大學應用材料及光電工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

考慮製程電壓溫度變異的高效能動態變壓降壓轉換器

機關名稱: 國立臺北大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

適用於次臨界/近次臨界運算之低功率感測放大器式正反器設計

機關名稱: 朝陽科技大學資訊與通訊系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

新穎類核/殼鹵化鉛銫鈣鈦礦複合量子點太陽能電池之研究開發

機關名稱: 國立高雄大學應用物理學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

設計一用於高背景光環境的CMOS自動高背景抗擾度位置敏感探測器(PSD)

機關名稱: 國立嘉義大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

探討更高介電常數HZO閘極絕緣層用於製作由N型Si奈米片通道電晶體和P型Ge奈米片通道電晶體組成的CMOS元件

機關名稱: 財團法人國家實驗研究院台灣半導體研究中心 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1131031

BRLWE為基礎的後量子密碼硬體設計與實現

機關名稱: 國立高雄科技大學電機與資訊學院電子工程系(建工校區) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

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