子計畫三:針對邊緣運算最佳化之Transformer神經網路硬體加速器設計與實作
- 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊 @ 國家科學及技術委員會

計畫中文名稱子計畫三:針對邊緣運算最佳化之Transformer神經網路硬體加速器設計與實作的機關名稱是國立陽明交通大學電子研究所, 學門是E14-微電子工程, 年度是112, 執行期限(起)是1120801, 執行期限(迄)是1130731.

年度112
學門E14-微電子工程
計畫中文名稱子計畫三:針對邊緣運算最佳化之Transformer神經網路硬體加速器設計與實作
計畫英文名稱Transformer Accelerator Design and Implementation for Edge Computing
機關名稱國立陽明交通大學電子研究所
執行期限(起)1120801
執行期限(迄)1130731

年度

112

學門

E14-微電子工程

計畫中文名稱

子計畫三:針對邊緣運算最佳化之Transformer神經網路硬體加速器設計與實作

計畫英文名稱

Transformer Accelerator Design and Implementation for Edge Computing

機關名稱

國立陽明交通大學電子研究所

執行期限(起)

1120801

執行期限(迄)

1130731

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洪瑞華

公司名稱: 泰鼎-KY | 職稱: 獨立董事 | 就任日期: 1110524 | 公司代號: 4927 | 出表日期: 1140523 | 主要現職: 國立陽明交通大學電子研究所特聘教授 合晶科技(股)公司 獨立董事 | 主要經歷: 國立中山大學電機工程研究所博士 國立陽明交通大學電子系特聘教授 國立中興大學精密工程研究所特聘教授 國立成功大學光電工程學系合聘教授 | 目前兼任其他公司名稱: 合晶科技(股)公司 | 其他公司職稱: 獨立董事 | 備註:

@ 上市公司獨立董監事兼任情形彙總表

周世傑

公司名稱: 瑞鼎 | 職稱: 獨立董事 | 就任日期: 1120529 | 公司代號: 3592 | 出表日期: 1140523 | 主要現職: 國立陽明交通大學電子研究所教授 | 主要經歷: 國立陽明交通大學電子研究所教授 | 目前兼任其他公司名稱: | 其他公司職稱: | 備註:

@ 上市公司獨立董監事兼任情形彙總表

利用常壓電漿輔助化學氣相沉積製備氧化銦鎵鋅層於電阻式記憶體元件之電性及可靠度研究

作者: 郭松年 | 指導教授: 張國明 荊鳳德 吳建宏 | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 109 | 論文名稱(外文): Research of Electrical Characteristics and Reliability in RRAM Device Based on IGZO layer Fabricated... | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

次世代通訊應用之矽與三五族異質整合電晶體元件的靜電放電防護研究

作者: 吳維旻 | 指導教授: 柯明道 Guido Groeseneken | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): RF ESD Exploration in Si/III-V Heterogeneous Integration for 5G/B5G Applications | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

以厚銅導線製程改善氮化鎵高電子遷移率電晶體雜訊及輸出功率特性應用於衛星通訊系統之研究

作者: 鄭傑 | 指導教授: 張翼 洪瑞華 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): Improvement Study of Noise and Output Power of GaN HEMT with Thick Cu-Interconnection for Satellite-... | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

以第一原理量子傳輸理論研究二硒化鎢於直接接觸作為超低電阻通道電晶體

作者: 簡黃偉 | 指導教授: 林炯源 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Ultra Low-resistance Direct Contact of a WSe2 Transistor: a First-principles Quantum-transport Study | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體應用於第五代行動通訊收發系統之研究

作者: 李秉勳 | 指導教授: 張翼 蘇彬 | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Study of AlGaN/GaN HEMTs for 5G Transceiver System | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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先進元件之閃爍雜訊及鰭式場效電晶體元件於低溫經熱載子導致特性劣化之研究

作者: 胡家瑋 | 指導教授: 蔡嘉明 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): A Study of Characterizations of Flicker Noise on Modern Devices & Hot Carrier Induced Degradations o... | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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洪瑞華

公司名稱: 泰鼎-KY | 職稱: 獨立董事 | 就任日期: 1110524 | 公司代號: 4927 | 出表日期: 1140523 | 主要現職: 國立陽明交通大學電子研究所特聘教授 合晶科技(股)公司 獨立董事 | 主要經歷: 國立中山大學電機工程研究所博士 國立陽明交通大學電子系特聘教授 國立中興大學精密工程研究所特聘教授 國立成功大學光電工程學系合聘教授 | 目前兼任其他公司名稱: 合晶科技(股)公司 | 其他公司職稱: 獨立董事 | 備註:

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周世傑

公司名稱: 瑞鼎 | 職稱: 獨立董事 | 就任日期: 1120529 | 公司代號: 3592 | 出表日期: 1140523 | 主要現職: 國立陽明交通大學電子研究所教授 | 主要經歷: 國立陽明交通大學電子研究所教授 | 目前兼任其他公司名稱: | 其他公司職稱: | 備註:

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利用常壓電漿輔助化學氣相沉積製備氧化銦鎵鋅層於電阻式記憶體元件之電性及可靠度研究

作者: 郭松年 | 指導教授: 張國明 荊鳳德 吳建宏 | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 109 | 論文名稱(外文): Research of Electrical Characteristics and Reliability in RRAM Device Based on IGZO layer Fabricated... | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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次世代通訊應用之矽與三五族異質整合電晶體元件的靜電放電防護研究

作者: 吳維旻 | 指導教授: 柯明道 Guido Groeseneken | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): RF ESD Exploration in Si/III-V Heterogeneous Integration for 5G/B5G Applications | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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以厚銅導線製程改善氮化鎵高電子遷移率電晶體雜訊及輸出功率特性應用於衛星通訊系統之研究

作者: 鄭傑 | 指導教授: 張翼 洪瑞華 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): Improvement Study of Noise and Output Power of GaN HEMT with Thick Cu-Interconnection for Satellite-... | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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以第一原理量子傳輸理論研究二硒化鎢於直接接觸作為超低電阻通道電晶體

作者: 簡黃偉 | 指導教授: 林炯源 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Ultra Low-resistance Direct Contact of a WSe2 Transistor: a First-principles Quantum-transport Study | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體應用於第五代行動通訊收發系統之研究

作者: 李秉勳 | 指導教授: 張翼 蘇彬 | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Study of AlGaN/GaN HEMTs for 5G Transceiver System | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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先進元件之閃爍雜訊及鰭式場效電晶體元件於低溫經熱載子導致特性劣化之研究

作者: 胡家瑋 | 指導教授: 蔡嘉明 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): A Study of Characterizations of Flicker Noise on Modern Devices & Hot Carrier Induced Degradations o... | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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與子計畫三:針對邊緣運算最佳化之Transformer神經網路硬體加速器設計與實作同分類的國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊

用於碳化矽功率元件之邊緣終結結構之模擬研究

機關名稱: 國立東華大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1131031

新穎穿隧式奈米片電晶體與非揮發記憶體元件發展

機關名稱: 國立暨南國際大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

P型三元銅鐵礦化合物室溫氣體感測器

機關名稱: 國立暨南國際大學應用材料及光電工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

考慮製程電壓溫度變異的高效能動態變壓降壓轉換器

機關名稱: 國立臺北大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

適用於次臨界/近次臨界運算之低功率感測放大器式正反器設計

機關名稱: 朝陽科技大學資訊與通訊系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

新穎類核/殼鹵化鉛銫鈣鈦礦複合量子點太陽能電池之研究開發

機關名稱: 國立高雄大學應用物理學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

設計一用於高背景光環境的CMOS自動高背景抗擾度位置敏感探測器(PSD)

機關名稱: 國立嘉義大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

探討更高介電常數HZO閘極絕緣層用於製作由N型Si奈米片通道電晶體和P型Ge奈米片通道電晶體組成的CMOS元件

機關名稱: 財團法人國家實驗研究院台灣半導體研究中心 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1131031

BRLWE為基礎的後量子密碼硬體設計與實現

機關名稱: 國立高雄科技大學電機與資訊學院電子工程系(建工校區) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

子計畫二:低功耗無線藥物控制晶片設計

機關名稱: 國立陽明交通大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

以即時運算眼動變異偵測之長效型智慧型隱形眼鏡(1/2)

機關名稱: 國立陽明交通大學電控工程研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

應用於具有高dV/dt 的碳化矽功率開關的四路驅動控制技術的高共模瞬態抗擾度 GaN-on-SOI 柵極驅動器

機關名稱: 國立陽明交通大學電控工程研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

先進半導體製造產線之電源管理單元與能源擷取晶片開發

機關名稱: 國立陽明交通大學電子研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

先進半導體製造產線之靜電放電事件監測器晶片開發與應用

機關名稱: 國立陽明交通大學電子研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

微發光二極體顯示器驅動與感測晶片電路設計

機關名稱: 國立陽明交通大學光電系統研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

用於碳化矽功率元件之邊緣終結結構之模擬研究

機關名稱: 國立東華大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1131031

新穎穿隧式奈米片電晶體與非揮發記憶體元件發展

機關名稱: 國立暨南國際大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

P型三元銅鐵礦化合物室溫氣體感測器

機關名稱: 國立暨南國際大學應用材料及光電工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

考慮製程電壓溫度變異的高效能動態變壓降壓轉換器

機關名稱: 國立臺北大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

適用於次臨界/近次臨界運算之低功率感測放大器式正反器設計

機關名稱: 朝陽科技大學資訊與通訊系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

新穎類核/殼鹵化鉛銫鈣鈦礦複合量子點太陽能電池之研究開發

機關名稱: 國立高雄大學應用物理學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

設計一用於高背景光環境的CMOS自動高背景抗擾度位置敏感探測器(PSD)

機關名稱: 國立嘉義大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

探討更高介電常數HZO閘極絕緣層用於製作由N型Si奈米片通道電晶體和P型Ge奈米片通道電晶體組成的CMOS元件

機關名稱: 財團法人國家實驗研究院台灣半導體研究中心 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1131031

BRLWE為基礎的後量子密碼硬體設計與實現

機關名稱: 國立高雄科技大學電機與資訊學院電子工程系(建工校區) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

子計畫二:低功耗無線藥物控制晶片設計

機關名稱: 國立陽明交通大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

以即時運算眼動變異偵測之長效型智慧型隱形眼鏡(1/2)

機關名稱: 國立陽明交通大學電控工程研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

應用於具有高dV/dt 的碳化矽功率開關的四路驅動控制技術的高共模瞬態抗擾度 GaN-on-SOI 柵極驅動器

機關名稱: 國立陽明交通大學電控工程研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

先進半導體製造產線之電源管理單元與能源擷取晶片開發

機關名稱: 國立陽明交通大學電子研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

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