子計畫五:應用於光達的計算成像方法
- 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊 @ 國家科學及技術委員會

計畫中文名稱子計畫五:應用於光達的計算成像方法的機關名稱是國立陽明交通大學電子研究所, 學門是E14-微電子工程, 年度是112, 執行期限(起)是1120801, 執行期限(迄)是1130731.

年度112
學門E14-微電子工程
計畫中文名稱子計畫五:應用於光達的計算成像方法
計畫英文名稱Computational imaging methods for LiDAR
機關名稱國立陽明交通大學電子研究所
執行期限(起)1120801
執行期限(迄)1130731

年度

112

學門

E14-微電子工程

計畫中文名稱

子計畫五:應用於光達的計算成像方法

計畫英文名稱

Computational imaging methods for LiDAR

機關名稱

國立陽明交通大學電子研究所

執行期限(起)

1120801

執行期限(迄)

1130731

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洪瑞華

公司名稱: 泰鼎-KY | 職稱: 獨立董事 | 就任日期: 1110524 | 公司代號: 4927 | 出表日期: 1140523 | 主要現職: 國立陽明交通大學電子研究所特聘教授 合晶科技(股)公司 獨立董事 | 主要經歷: 國立中山大學電機工程研究所博士 國立陽明交通大學電子系特聘教授 國立中興大學精密工程研究所特聘教授 國立成功大學光電工程學系合聘教授 | 目前兼任其他公司名稱: 合晶科技(股)公司 | 其他公司職稱: 獨立董事 | 備註:

@ 上市公司獨立董監事兼任情形彙總表

周世傑

公司名稱: 瑞鼎 | 職稱: 獨立董事 | 就任日期: 1120529 | 公司代號: 3592 | 出表日期: 1140523 | 主要現職: 國立陽明交通大學電子研究所教授 | 主要經歷: 國立陽明交通大學電子研究所教授 | 目前兼任其他公司名稱: | 其他公司職稱: | 備註:

@ 上市公司獨立董監事兼任情形彙總表

利用常壓電漿輔助化學氣相沉積製備氧化銦鎵鋅層於電阻式記憶體元件之電性及可靠度研究

作者: 郭松年 | 指導教授: 張國明 荊鳳德 吳建宏 | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 109 | 論文名稱(外文): Research of Electrical Characteristics and Reliability in RRAM Device Based on IGZO layer Fabricated... | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

次世代通訊應用之矽與三五族異質整合電晶體元件的靜電放電防護研究

作者: 吳維旻 | 指導教授: 柯明道 Guido Groeseneken | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): RF ESD Exploration in Si/III-V Heterogeneous Integration for 5G/B5G Applications | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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以厚銅導線製程改善氮化鎵高電子遷移率電晶體雜訊及輸出功率特性應用於衛星通訊系統之研究

作者: 鄭傑 | 指導教授: 張翼 洪瑞華 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): Improvement Study of Noise and Output Power of GaN HEMT with Thick Cu-Interconnection for Satellite-... | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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以第一原理量子傳輸理論研究二硒化鎢於直接接觸作為超低電阻通道電晶體

作者: 簡黃偉 | 指導教授: 林炯源 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Ultra Low-resistance Direct Contact of a WSe2 Transistor: a First-principles Quantum-transport Study | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體應用於第五代行動通訊收發系統之研究

作者: 李秉勳 | 指導教授: 張翼 蘇彬 | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Study of AlGaN/GaN HEMTs for 5G Transceiver System | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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先進元件之閃爍雜訊及鰭式場效電晶體元件於低溫經熱載子導致特性劣化之研究

作者: 胡家瑋 | 指導教授: 蔡嘉明 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): A Study of Characterizations of Flicker Noise on Modern Devices & Hot Carrier Induced Degradations o... | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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洪瑞華

公司名稱: 泰鼎-KY | 職稱: 獨立董事 | 就任日期: 1110524 | 公司代號: 4927 | 出表日期: 1140523 | 主要現職: 國立陽明交通大學電子研究所特聘教授 合晶科技(股)公司 獨立董事 | 主要經歷: 國立中山大學電機工程研究所博士 國立陽明交通大學電子系特聘教授 國立中興大學精密工程研究所特聘教授 國立成功大學光電工程學系合聘教授 | 目前兼任其他公司名稱: 合晶科技(股)公司 | 其他公司職稱: 獨立董事 | 備註:

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周世傑

公司名稱: 瑞鼎 | 職稱: 獨立董事 | 就任日期: 1120529 | 公司代號: 3592 | 出表日期: 1140523 | 主要現職: 國立陽明交通大學電子研究所教授 | 主要經歷: 國立陽明交通大學電子研究所教授 | 目前兼任其他公司名稱: | 其他公司職稱: | 備註:

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利用常壓電漿輔助化學氣相沉積製備氧化銦鎵鋅層於電阻式記憶體元件之電性及可靠度研究

作者: 郭松年 | 指導教授: 張國明 荊鳳德 吳建宏 | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 109 | 論文名稱(外文): Research of Electrical Characteristics and Reliability in RRAM Device Based on IGZO layer Fabricated... | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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作者: 吳維旻 | 指導教授: 柯明道 Guido Groeseneken | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): RF ESD Exploration in Si/III-V Heterogeneous Integration for 5G/B5G Applications | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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作者: 李秉勳 | 指導教授: 張翼 蘇彬 | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Study of AlGaN/GaN HEMTs for 5G Transceiver System | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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作者: 胡家瑋 | 指導教授: 蔡嘉明 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): A Study of Characterizations of Flicker Noise on Modern Devices & Hot Carrier Induced Degradations o... | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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與子計畫五:應用於光達的計算成像方法同分類的國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊

量子啟發計算之硬體退火晶片系統設計

機關名稱: 長庚大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1131031

全硒氧化鉍三端電子突觸於次世代人工智慧技術開發

機關名稱: 長庚大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

反鐵電電熱散熱架構於積體電路運算系統的開發(II)

機關名稱: 長庚大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

用於人工智能應用的鑭/釔摻雜二氧化鉿鐵電穿隧接面上具有氮化鎢/二氧化釕電極的新型氮化鈦阻障層

機關名稱: 長庚大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

以微波退火活化非晶臨界劑量以下離子植入摻雜之機制探討

機關名稱: 長庚大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1131031

發展快速地和高穩定性可撓式場效電晶體生物感測器元件應用敗血症檢查

機關名稱: 長庚大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

以無熱障緩衝層設計實現第五代行動通訊基地台之高功率密度氮化鎵微波電晶體

機關名稱: 長庚大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130930

應用於第五世代物聯網之微波氣體感測器技術開發

機關名稱: 長庚大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

提供晶片系統電源分布網路之電壓降補償電源管理電路設計

機關名稱: 國立中正大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

低功耗智慧音訊晶片系統

機關名稱: 國立中正大學晶片系統研究中心 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

應用於體導式麥克風之個人化深度語音訊號澄晰與重現

機關名稱: 國立中正大學晶片系統研究中心 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

具有波束追蹤的創新5G隔空充電裝置之研製

機關名稱: 國立中正大學精密模具研究中心 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

以感應耦合電漿化學氣相沉積製備之摻鍺二氧化矽薄膜的二階非線性光學特性研究

機關名稱: 華梵大學攝影與VR設計學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1131231

超解析視訊之可變形時空深度神經網絡設計與系統晶片實現

機關名稱: 國立雲林科技大學電子工程系暨研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

可提高類神經網路辨識準確率之新型突觸元件研究

機關名稱: 國立雲林科技大學工程科技研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

量子啟發計算之硬體退火晶片系統設計

機關名稱: 長庚大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1131031

全硒氧化鉍三端電子突觸於次世代人工智慧技術開發

機關名稱: 長庚大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

反鐵電電熱散熱架構於積體電路運算系統的開發(II)

機關名稱: 長庚大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

用於人工智能應用的鑭/釔摻雜二氧化鉿鐵電穿隧接面上具有氮化鎢/二氧化釕電極的新型氮化鈦阻障層

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以微波退火活化非晶臨界劑量以下離子植入摻雜之機制探討

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發展快速地和高穩定性可撓式場效電晶體生物感測器元件應用敗血症檢查

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以無熱障緩衝層設計實現第五代行動通訊基地台之高功率密度氮化鎵微波電晶體

機關名稱: 長庚大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130930

應用於第五世代物聯網之微波氣體感測器技術開發

機關名稱: 長庚大學電子工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

提供晶片系統電源分布網路之電壓降補償電源管理電路設計

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低功耗智慧音訊晶片系統

機關名稱: 國立中正大學晶片系統研究中心 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

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機關名稱: 國立中正大學晶片系統研究中心 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

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超解析視訊之可變形時空深度神經網絡設計與系統晶片實現

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