總計畫暨子計畫一:前瞻資料鏈結收發機之時脈產生與時序回復
- 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊 @ 國家科學及技術委員會

計畫中文名稱總計畫暨子計畫一:前瞻資料鏈結收發機之時脈產生與時序回復的機關名稱是國立陽明交通大學電子研究所, 學門是E14-微電子工程, 年度是112, 執行期限(起)是1120801, 執行期限(迄)是1130731.

年度112
學門E14-微電子工程
計畫中文名稱總計畫暨子計畫一:前瞻資料鏈結收發機之時脈產生與時序回復
計畫英文名稱Clock Generation and Timing Recovery for Advanced Data Link Transceivers
機關名稱國立陽明交通大學電子研究所
執行期限(起)1120801
執行期限(迄)1130731

年度

112

學門

E14-微電子工程

計畫中文名稱

總計畫暨子計畫一:前瞻資料鏈結收發機之時脈產生與時序回復

計畫英文名稱

Clock Generation and Timing Recovery for Advanced Data Link Transceivers

機關名稱

國立陽明交通大學電子研究所

執行期限(起)

1120801

執行期限(迄)

1130731

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洪瑞華

公司名稱: 泰鼎-KY | 職稱: 獨立董事 | 就任日期: 1110524 | 公司代號: 4927 | 出表日期: 1140523 | 主要現職: 國立陽明交通大學電子研究所特聘教授 合晶科技(股)公司 獨立董事 | 主要經歷: 國立中山大學電機工程研究所博士 國立陽明交通大學電子系特聘教授 國立中興大學精密工程研究所特聘教授 國立成功大學光電工程學系合聘教授 | 目前兼任其他公司名稱: 合晶科技(股)公司 | 其他公司職稱: 獨立董事 | 備註:

@ 上市公司獨立董監事兼任情形彙總表

周世傑

公司名稱: 瑞鼎 | 職稱: 獨立董事 | 就任日期: 1120529 | 公司代號: 3592 | 出表日期: 1140523 | 主要現職: 國立陽明交通大學電子研究所教授 | 主要經歷: 國立陽明交通大學電子研究所教授 | 目前兼任其他公司名稱: | 其他公司職稱: | 備註:

@ 上市公司獨立董監事兼任情形彙總表

利用常壓電漿輔助化學氣相沉積製備氧化銦鎵鋅層於電阻式記憶體元件之電性及可靠度研究

作者: 郭松年 | 指導教授: 張國明 荊鳳德 吳建宏 | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 109 | 論文名稱(外文): Research of Electrical Characteristics and Reliability in RRAM Device Based on IGZO layer Fabricated... | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

次世代通訊應用之矽與三五族異質整合電晶體元件的靜電放電防護研究

作者: 吳維旻 | 指導教授: 柯明道 Guido Groeseneken | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): RF ESD Exploration in Si/III-V Heterogeneous Integration for 5G/B5G Applications | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

以厚銅導線製程改善氮化鎵高電子遷移率電晶體雜訊及輸出功率特性應用於衛星通訊系統之研究

作者: 鄭傑 | 指導教授: 張翼 洪瑞華 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): Improvement Study of Noise and Output Power of GaN HEMT with Thick Cu-Interconnection for Satellite-... | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

以第一原理量子傳輸理論研究二硒化鎢於直接接觸作為超低電阻通道電晶體

作者: 簡黃偉 | 指導教授: 林炯源 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Ultra Low-resistance Direct Contact of a WSe2 Transistor: a First-principles Quantum-transport Study | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體應用於第五代行動通訊收發系統之研究

作者: 李秉勳 | 指導教授: 張翼 蘇彬 | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Study of AlGaN/GaN HEMTs for 5G Transceiver System | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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先進元件之閃爍雜訊及鰭式場效電晶體元件於低溫經熱載子導致特性劣化之研究

作者: 胡家瑋 | 指導教授: 蔡嘉明 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): A Study of Characterizations of Flicker Noise on Modern Devices & Hot Carrier Induced Degradations o... | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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洪瑞華

公司名稱: 泰鼎-KY | 職稱: 獨立董事 | 就任日期: 1110524 | 公司代號: 4927 | 出表日期: 1140523 | 主要現職: 國立陽明交通大學電子研究所特聘教授 合晶科技(股)公司 獨立董事 | 主要經歷: 國立中山大學電機工程研究所博士 國立陽明交通大學電子系特聘教授 國立中興大學精密工程研究所特聘教授 國立成功大學光電工程學系合聘教授 | 目前兼任其他公司名稱: 合晶科技(股)公司 | 其他公司職稱: 獨立董事 | 備註:

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周世傑

公司名稱: 瑞鼎 | 職稱: 獨立董事 | 就任日期: 1120529 | 公司代號: 3592 | 出表日期: 1140523 | 主要現職: 國立陽明交通大學電子研究所教授 | 主要經歷: 國立陽明交通大學電子研究所教授 | 目前兼任其他公司名稱: | 其他公司職稱: | 備註:

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利用常壓電漿輔助化學氣相沉積製備氧化銦鎵鋅層於電阻式記憶體元件之電性及可靠度研究

作者: 郭松年 | 指導教授: 張國明 荊鳳德 吳建宏 | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 109 | 論文名稱(外文): Research of Electrical Characteristics and Reliability in RRAM Device Based on IGZO layer Fabricated... | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體應用於第五代行動通訊收發系統之研究

作者: 李秉勳 | 指導教授: 張翼 蘇彬 | 學位類別: 博士 | 畢業學年度: 112 | 論文名稱(外文): Study of AlGaN/GaN HEMTs for 5G Transceiver System | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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作者: 胡家瑋 | 指導教授: 蔡嘉明 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 111 | 論文名稱(外文): A Study of Characterizations of Flicker Noise on Modern Devices & Hot Carrier Induced Degradations o... | 系所名稱: 電子研究所 | 學校名稱: 國立陽明交通大學

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與總計畫暨子計畫一:前瞻資料鏈結收發機之時脈產生與時序回復同分類的國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊

使用遠端摻雜及創新環繞式閘極技術完成超短通道與低亞閾值擺幅的高遷移率二維奈米片元件製作

機關名稱: 國立陽明交通大學電子研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

矽超導之實驗驗證與理論計算

機關名稱: 國立成功大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

Micro-LED 顯示器量子點色轉層各部結構效能優化

機關名稱: 國立雲林科技大學電子工程系暨研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

電阻式記憶體於低溫操作下之總劑量效應分析

機關名稱: 國立陽明交通大學國際半導體產業學院 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

研究應用於高能效低電壓靜態隨機存取記憶體之低溫電晶體設計

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

考量新興半導體設計之實體最佳化與模化(1/3)

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

用於提高系統可靠度之以共生系統模型為基礎的神經網路運算框架(2/2)

機關名稱: 國立清華大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130519

設計及整合矽基自旋量子位元于低溫控制晶片研究(1/4)

機關名稱: 國立清華大學電子工程研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

探索記憶體內運算的未知邊界:同時具備儲存、計算、搜尋功能的四位單胞雙阻變閘三態內容定址非揮發記憶體晶片之設計與實作(2/4)

機關名稱: 國立中央大學電機工程學系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

碳基電子皮膚:材料開發及製程技術平台之建立(3/4)

機關名稱: 國立雲林科技大學化學工程與材料工程系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

開發可應用於單晶片功率轉換之具有p型氮化鎵邊緣結構的創新氮化鋁鎵/氮化鎵蕭特基二極體整合於增強型氮化鎵功率元件平台

機關名稱: 國立陽明交通大學國際半導體產業學院 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

適用於多樣性神經網路之數位式記憶體內運算電路設計及動態資料流探索

機關名稱: 國立陽明交通大學國際半導體產業學院 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

電子及消費性塑料產品取代計畫(5/5)

機關名稱: 國立成功大學工程科學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

利用網印技術增強透明導電氧化物與負型單晶矽之介面光電特性

機關名稱: 國立虎尾科技大學光電工程系 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

高功率元件封裝技術:無壓力快速近紅外光燒結銀製程開發

機關名稱: 南臺學校財團法人南臺科技大學光電工程系暨研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

使用遠端摻雜及創新環繞式閘極技術完成超短通道與低亞閾值擺幅的高遷移率二維奈米片元件製作

機關名稱: 國立陽明交通大學電子研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

矽超導之實驗驗證與理論計算

機關名稱: 國立成功大學電機工程學系(所) | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

Micro-LED 顯示器量子點色轉層各部結構效能優化

機關名稱: 國立雲林科技大學電子工程系暨研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

電阻式記憶體於低溫操作下之總劑量效應分析

機關名稱: 國立陽明交通大學國際半導體產業學院 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

研究應用於高能效低電壓靜態隨機存取記憶體之低溫電晶體設計

機關名稱: 國立臺灣大學電子工程學研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

考量新興半導體設計之實體最佳化與模化(1/3)

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機關名稱: 國立陽明交通大學國際半導體產業學院 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

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