藉著有「定位缺陷」的碳化矽基板觀察缺陷在碳化矽磊晶層的變化
- 國家科學及技術委員會材料學門專題計畫補助清冊 @ 國家科學及技術委員會

計畫中文名稱藉著有「定位缺陷」的碳化矽基板觀察缺陷在碳化矽磊晶層的變化的機關名稱是國立陽明交通大學材料科學與工程學系, 學門是E06-材料工程, 年度是112, 執行期限(起)是1120801, 執行期限(迄)是1130731.

年度	112
學門	E06-材料工程
計畫中文名稱	藉著有「定位缺陷」的碳化矽基板觀察缺陷在碳化矽磊晶層的變化
計畫英文名稱	Using "Positioned Defects" on SiC Substrate to Monitor Defect Propagation in SiC epitaxial layer
機關名稱	國立陽明交通大學材料科學與工程學系
執行期限(起)	1120801
執行期限(迄)	1130731

年度

112

學門

E06-材料工程

計畫中文名稱

藉著有「定位缺陷」的碳化矽基板觀察缺陷在碳化矽磊晶層的變化

計畫英文名稱

Using "Positioned Defects" on SiC Substrate to Monitor Defect Propagation in SiC epitaxial layer

機關名稱

國立陽明交通大學材料科學與工程學系

執行期限(起)

1120801

執行期限(迄)

1130731

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