計畫名稱CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫(1/3)的計畫全碼是101-EC-17-A-02-02-0756, 年度是101.
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| 執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: CIGS薄膜太陽電池驗證技術-濺鍍製程 | 潛力預估: 擁有CIGS整線製程技術與設備的國內法人單位,可獨立完成製作CIGS太陽電池,提供業界與學界穩定的技術服務和諮詢合作平台。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 線性蒸鍍、CIGS製程開發。 | 潛力預估: CIGS太陽電池開發、各式薄膜製程。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 卷軸CIGS採用DSMC分析技術精確計算銅銦鎵硒不同元素,於動態鍍膜狀態下組成率及厚度分佈的均勻性,並因而獲致較佳之噴嘴設計型態,其均勻度可達大面積下之非均勻性小於±5%。 | 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 1.平均粒徑分佈 | 潛力預估: 1.高產能、高材料使用率之CIGS太陽電池技術 2.此技術具有材料利用率高、製程簡單、單位時間內產量大及設備投資成本低等優勢。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 3日內無可見沉澱發生,固含量 ≧25 wt% ,400 ℃左右可去除大部分有機物 | 潛力預估: 氧化物漿料製備技術可運用在卷對卷製程,具有可大量生產之優勢 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 卷軸CIGS吸收層精密三階段真空蒸鍍技術蒸鍍溫度穩定度可達1400±1℃,卷軸速率20cm±1cm。 | 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 在10cmx10cm的基板面積下針對Mo電極、吸收層(含真空或非真空)、緩衝層、透明窗層等各段CIGS必備製程提供製程材料或設備之比較 | 潛力預估: 本技術涵蓋CIGS整線製程 具有相當之潛力 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: CIGS製程 | 潛力預估: CIGS太陽電池開發。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: CIGS薄膜太陽電池驗證技術-濺鍍製程 | 潛力預估: 擁有CIGS整線製程技術與設備的國內法人單位,可獨立完成製作CIGS太陽電池,提供業界與學界穩定的技術服務和諮詢合作平台。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 線性蒸鍍、CIGS製程開發。 | 潛力預估: CIGS太陽電池開發、各式薄膜製程。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 卷軸CIGS採用DSMC分析技術精確計算銅銦鎵硒不同元素,於動態鍍膜狀態下組成率及厚度分佈的均勻性,並因而獲致較佳之噴嘴設計型態,其均勻度可達大面積下之非均勻性小於±5%。 | 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 1.平均粒徑分佈 | 潛力預估: 1.高產能、高材料使用率之CIGS太陽電池技術 2.此技術具有材料利用率高、製程簡單、單位時間內產量大及設備投資成本低等優勢。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 3日內無可見沉澱發生,固含量 ≧25 wt% ,400 ℃左右可去除大部分有機物 | 潛力預估: 氧化物漿料製備技術可運用在卷對卷製程,具有可大量生產之優勢 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 卷軸CIGS吸收層精密三階段真空蒸鍍技術蒸鍍溫度穩定度可達1400±1℃,卷軸速率20cm±1cm。 | 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院綠能所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 在10cmx10cm的基板面積下針對Mo電極、吸收層(含真空或非真空)、緩衝層、透明窗層等各段CIGS必備製程提供製程材料或設備之比較 | 潛力預估: 本技術涵蓋CIGS整線製程 具有相當之潛力 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: CIGS製程 | 潛力預估: CIGS太陽電池開發。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 計畫全碼: 101-EC-17-A-06-02-1016 | 年度: 101 |
| 計畫全碼: 101-EC-17-A-01-04-1017 | 年度: 101 |
| 計畫全碼: 101-EC-17-A-02-04-1018 | 年度: 101 |
| 計畫全碼: 101-EC-17-A-02-04-1019 | 年度: 101 |
| 計畫全碼: 101-EC-17-A-02-04-1091 | 年度: 101 |
| 計畫全碼: 101-EC-17-A-07-02-1092 | 年度: 101 |
| 計畫全碼: 101-EC-17-A-04-04-1093 | 年度: 101 |
| 計畫全碼: 101-EC-17-A-04-04-1094 | 年度: 101 |
| 計畫全碼: 101-EC-17-A-04-04-1095 | 年度: 101 |
| 計畫全碼: 101-EC-17-A-04-04-1096 | 年度: 101 |
| 計畫全碼: 101-EC-17-A-02-04-1097 | 年度: 101 |
| 計畫全碼: 101-EC-17-A-02-04-1098 | 年度: 101 |
| 計畫全碼: 101-EC-17-A-02-04-1099 | 年度: 101 |
| 計畫全碼: 101-EC-17-A-04-04-1100 | 年度: 101 |
| 計畫全碼: 101-EC-17-A-06-06-1101 | 年度: 101 |
計畫全碼: 101-EC-17-A-06-02-1016 | 年度: 101 |
計畫全碼: 101-EC-17-A-01-04-1017 | 年度: 101 |
計畫全碼: 101-EC-17-A-02-04-1018 | 年度: 101 |
計畫全碼: 101-EC-17-A-02-04-1019 | 年度: 101 |
計畫全碼: 101-EC-17-A-02-04-1091 | 年度: 101 |
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