3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫(4/4)
- 技術司法人科專計畫管理系統–科技專案編碼 @ 經濟部

計畫名稱3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫(4/4)的計畫全碼是102-EC-17-A-01-01-0887, 年度是102.

序號	216
年度	102
計畫全碼	102-EC-17-A-01-01-0887
計畫名稱	3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫(4/4)

序號

216

年度

102

計畫全碼

102-EC-17-A-01-01-0887

計畫名稱

3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫(4/4)

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三維積體電路(3DIC)導通孔(TSV)技術	執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: "12吋矽晶圓的TSV 製程整合開發；完成TSV電性量測驗證。 TSV 之規格為： ‧Via size ≦5 um ‧TSV depth ≦ 50um ‧scallop ≦ 100nm ‧void ... \| 潛力預估: 國內具有完整的半導體產業鏈(design, foundry, packaging)，配合上中下游的整合開發3DIC關鍵技術，包含模組整合設計、散熱技術、TSV 電性設計與製程技術、堆疊組裝技術及專利佈... @ 技術司可移轉技術資料集
可應用於三維堆疊式架構之固態記憶體技術	執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: "‧Write time ? 20ns,Endurance ? 10^12 cycles@20ns or equivalent ‧?6F²/bit(F:Bitline Half-pitch)... \| 潛力預估: "‧垂直式自旋傳輸記憶體技術，其研究結果已顯示極低的寫入電流密度以及國際首見對稱的寫入電壓，具有45nm以下的embedded應用潛力。 ‧電阻式記憶體是一種新興的非揮發性記憶體技術，其儲存核心是一個... @ 技術司可移轉技術資料集
Adhesive Bonding微凸塊組裝技術	執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.晶片厚度: 100um 2.細間隙填膠: 間隙 \| 潛力預估: 2012年隨著4G通訊技術的應用，手機裡TSV技術應用於邏輯和記憶體的整合將會起飛，至2015年邏輯和記憶體整合(Logic+Memory)的應用佔3D IC總產值近50%，為3D IC最主要應用市場... @ 技術司可移轉技術資料集
三維積體電路設計準則及元件庫技術	執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. TSV尺寸為5um。 2. 包含元件內容：矽穿孔、正面凸塊、背面凸塊等元件。 3. 包含標準元件庫模型。 4. 提供相關說明文件包含：矽穿孔相關製程設計規則、晶片對準標誌設計規則、三維堆疊Bon... \| 潛力預估: 可進行3DIC高效能電子產品開發，如記憶體、邏輯元件等堆疊元件模組 @ 技術司可移轉技術資料集
可應用於三維堆疊式架構之固態記憶體技術	執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. MTJ CD≦50nm，Switching≦50ns，Vc≦0.6V，Ic≦80uA 2. I(V)/I(V/2) ≧100，I≦100uA，Cell size≦4F^2，Half pitch... \| 潛力預估: 1. 垂直式自旋磁性記憶體技術」(MRAM)成功解決元件變小時容易導致記憶體失效的技術瓶頸，具有非揮發性、讀寫速度快、無限次讀寫、低耗能等優點，是工研院為台灣ICT產業在記憶體技術保留的火種之一，將協... @ 技術司可移轉技術資料集
3D SiP設計與量測驗證平台建置技術	執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.雙面高頻探針測試、瞪眼圖資料傳輸速度:12.5Gbps、及時信號波形量測頻寬:16GHz。 2. 3D SiP熱傳與機構設計平台。 \| 潛力預估: 可進行3D SiP構裝產品開發 @ 技術司可移轉技術資料集
3DIC晶圓級接合組裝技術	執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 晶圓薄化及TSV露銅技術：晶圓厚度≦100um ，CMP露銅， TTV ≦1.5um 2. 薄晶圓暫接處置技術：8”及12”晶圓，晶圓厚度≦100um 3. 微凸塊技術：無鉛金屬(Sn、In)... \| 潛力預估: 符合輕,薄,短,小,省電，大容量的元件模組應用要求，如手機、平板電腦、穿戴式裝置、伺服器與互聯網應用等 @ 技術司可移轉技術資料集
3DIC元件與模組電路驗證技術	執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) 1.1 TV(Through Via) modeling analysis 1.2 TV electrical analysis 2. 新型非揮... \| 潛力預估: 面對長久以來電子產品的需求與發展，始終都是往小型(薄型)化、高度整合、高效率、低成本、低功耗、即時上市(time-to-market)等發展趨勢，3DIC有極佳的優勢。根據半導體市場研究機構的預測，... @ 技術司可移轉技術資料集

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與3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫(4/4)同分類的技術司法人科專計畫管理系統–科技專案編碼

全球產業科技合作與創新連結推動計畫(4/4)	計畫全碼: 102-EC-17-A-01-07-0574 \| 年度: 102
先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫(2/4)	計畫全碼: 102-EC-17-A-04-01-0616 \| 年度: 102
智慧感測網路技術與服務發展計畫(4/4)	計畫全碼: 102-EC-17-A-02-01-0617 \| 年度: 102
寬頻網路系統與匯流技術發展計畫(4/4)	計畫全碼: 102-EC-17-A-03-01-0619 \| 年度: 102
新世代行動通訊技術發展計畫(4/4)	計畫全碼: 102-EC-17-A-03-01-0620 \| 年度: 102
行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫(4/4)	計畫全碼: 102-EC-17-A-04-01-0622 \| 年度: 102
標靶藥物研發及技術平台開發四年計畫(4/4)	計畫全碼: 102-EC-17-A-02-04-0624 \| 年度: 102
軟性電子模組與應用技術發展計畫(4/4)	計畫全碼: 102-EC-17-A-01-01-0625 \| 年度: 102
通訊與光電領域-軍品科技創新應用與釋商計畫(1/4)	計畫全碼: 102-EC-17-A-07-01-0629 \| 年度: 102
機械與運輸領域-軍品科技創新應用與釋商計畫(1/4)	計畫全碼: 102-EC-17-A-08-02-0630 \| 年度: 102
材料與化工領域-軍品科技創新應用與釋商計畫(1/4)	計畫全碼: 102-EC-17-A-11-03-0631 \| 年度: 102
紡織所創新前瞻技術研究計畫(1/1)	計畫全碼: 102-EC-17-A-01-05-0641 \| 年度: 102
金屬中心創新前瞻技術研究計畫(1/1)	計畫全碼: 102-EC-17-A-01-05-0642 \| 年度: 102
食品所創新前瞻技術研究計畫(1/1)	計畫全碼: 102-EC-17-A-01-05-0643 \| 年度: 102
亞洲生產力組織業務執行計畫(1/1)	計畫全碼: 102-EC-17-A-01-07-0664 \| 年度: 102