計畫名稱光電半導體元件與系統應用關鍵計畫(3/4)的計畫全碼是103-EC-17-A-23-0310, 年度是103.
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| 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 8吋GaN on Si: (1)藍光LED:λ=430nm~480nm,厚度>4um,氮化鎵XRC半寬(002)~400arcsec,(102)~470arcsec,thin-GaN製程技術。 (2)... | 潛力預估: 大尺寸GaN on Si磊晶技術,可協助業界降低生產成本,切入發光二極體與功率元件應用領域。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 領域: | 技術規格: 解析度:160x120 畫素間距:52 μm 影像波段:8~14μm 主動陣列定址 響應度:≧150,000 V/W 響應時間:≦30 ms 平均NEDT≦90 mK | 潛力預估: 從北美INO有系統地承接完整陣列製程與影像模組測試能量,結合中科院既有高階ROIC設計、系統整合能力,並導入國內日益成熟之MEMS foundry製程,使國內光電廠商“從代理熱像產品”轉移 “具有自主... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 雙向雙色無藍害高色溫LED照明模組,符合IEC62471標準零級藍害(LB | 潛力預估: LED人因智慧為下世代的照明,國內外大廠無不針對各種照明情境發展最合適的人因照明產品。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I 419309 | 專利期間起: 102/12/11 | 專利期間訖: 118/12/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 林家慶 @ 技術司專利資料集 |
| 執行單位: 中科院材料暨光電研究所─固態元件組 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 全載致冷能力:57K | 潛力預估: 佳 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 1) 單色 R/G/B微型 LED陣列顯示晶片:427×240 (0.37") / 640×360 (0.37") / 960×540 (0.55") 2) 彩色 RGB微型 LED陣列單晶片整合技術... | 潛力預估: 根據 MarketsandMarkets 市調機構報導,穿戴式產品於 2017年產值將達 45億美元;於功耗與亮度之考量前提下,使用本技術所開發之主動驅動微顯示晶片模組,將有機會取代其他顯示元件。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: CN 101751148B | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所─雷射物理組 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I481039號 | 專利期間起: 104/04/11 | 專利期間訖: 118/11/29 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 湯相峰 | 江建德 | 涂欣元 | 李嗣涔 @ 技術司專利資料集 |
執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 8吋GaN on Si: (1)藍光LED:λ=430nm~480nm,厚度>4um,氮化鎵XRC半寬(002)~400arcsec,(102)~470arcsec,thin-GaN製程技術。 (2)... | 潛力預估: 大尺寸GaN on Si磊晶技術,可協助業界降低生產成本,切入發光二極體與功率元件應用領域。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 領域: | 技術規格: 解析度:160x120 畫素間距:52 μm 影像波段:8~14μm 主動陣列定址 響應度:≧150,000 V/W 響應時間:≦30 ms 平均NEDT≦90 mK | 潛力預估: 從北美INO有系統地承接完整陣列製程與影像模組測試能量,結合中科院既有高階ROIC設計、系統整合能力,並導入國內日益成熟之MEMS foundry製程,使國內光電廠商“從代理熱像產品”轉移 “具有自主... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 雙向雙色無藍害高色溫LED照明模組,符合IEC62471標準零級藍害(LB | 潛力預估: LED人因智慧為下世代的照明,國內外大廠無不針對各種照明情境發展最合適的人因照明產品。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I 419309 | 專利期間起: 102/12/11 | 專利期間訖: 118/12/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 林家慶 @ 技術司專利資料集 |
執行單位: 中科院材料暨光電研究所─固態元件組 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 全載致冷能力:57K | 潛力預估: 佳 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 1) 單色 R/G/B微型 LED陣列顯示晶片:427×240 (0.37") / 640×360 (0.37") / 960×540 (0.55") 2) 彩色 RGB微型 LED陣列單晶片整合技術... | 潛力預估: 根據 MarketsandMarkets 市調機構報導,穿戴式產品於 2017年產值將達 45億美元;於功耗與亮度之考量前提下,使用本技術所開發之主動驅動微顯示晶片模組,將有機會取代其他顯示元件。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: CN 101751148B | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所─雷射物理組 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I481039號 | 專利期間起: 104/04/11 | 專利期間訖: 118/11/29 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 專利發明人: 湯相峰 | 江建德 | 涂欣元 | 李嗣涔 @ 技術司專利資料集 |
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| 計畫全碼: 103-EC-17-A-22-1017 | 年度: 103 |
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