| 執行單位: 國立成功大學 | 計畫摘要: 目前平面顯示器產品是以薄膜電晶體(Thin film
transistors, TFTs)液晶顯示器為主流，要驅動高解析大面
積液晶顯示器或有機發光顯示器，使用低溫多晶矽(low
temperatur... | 計畫成果: 本計畫成功地架設二氧化碳雷射輔助電漿增強式化學
氣相沉積之系統(如圖1)，並且利用此沉積系統進行不
同雷射瓦數輔助成長及雷射與試片間之不同距離成長矽
薄膜之探討，當雷射輔助成長為80 W時，且雷射光束... |
| 執行單位: 國立成功大學 | 計畫摘要: 本計畫主要目標在開發非接觸式金屬薄膜電性量測技
術，並以系統之實際實現為訴求。渦電流檢測技術
(Eddy current testing)是傳統金屬材質檢測主要技術之
一，相關理論與技術已有百年以上發... | 計畫成果: 主要執行成果可分為五大項，相關理論與分析、硬體電路與機構、人機介面程式、綜合分析儀驗證、探頭線圈設計。成果呈現方式為如圖1系統裝置搭配如圖2人機介面，利用自製探頭量測金屬薄膜，其可得誤差達到低於10%... |
| 執行單位: 國立屏東科技大學 | 計畫摘要: 近年來矽薄膜材料在光電及半導體產業一直被廣泛的應用，本計畫所整合之LTPS低氫薄膜製程設備，該設備所沉積的低氫矽薄膜，有助於退火過程中避免氫爆現象發生，而減少矽薄膜與基板脫離現象，該技術的發展將有效協... | 計畫成果: 本研究結合雷射圖案化技術與電性反饋系統方法，利用兩階段熱處理方法，釐清雷射波長對於矽薄膜的影響，並探討兩階段熱處理之矽薄膜再結晶機制研究，同時建構即時量測薄膜電性之檢測系統。結果說明爐退與雷射退火皆能... |
| 執行單位: 國立交通大學 | 計畫摘要: 本計畫為研究用於切割藍寶石基板的355奈米波長的奈秒UV雷射光束參數評估，以及相關的光束整形系統設計。其中能量密度與有效光長度最為影響到切割速率，此二光束規格即為聚焦點尺寸以及聚焦深度。但上述兩個規格... | 計畫成果: 本研究已找到適合的市售元件滿足分光、小光點以及長焦深等規格，變動pitch則選用擴束鏡來達成目標(如圖1)。亦自行以LSOE以及annular linear axicon兩種不同結構模擬Elongat... |
| 執行單位: 國立雲林科技大學 | 計畫摘要: 以皮秒雷射進行藍寶石基板切割過程中，在產業應用上多是以off-line的方式來進行雷射加工狀態的監測與調整。本研究之目的為提供一線上監控加工狀態之技術，期能有效維持加工品質，同時亦可以線上監測加工狀態... | 計畫成果: 本計畫已完成對於兩種電極所產生之電場模擬分析(如圖1及圖2)，並製作完成共三組電極之製作來進行對藍寶石基板之鑽孔與切割訊號之偵測。由實驗結果顯示可以利用外加靜電場來偵測每一發的加工。同時，亦完成討論對... |
| 執行單位: 國立成功大學 | 計畫摘要: 本計畫目的在模擬電漿在蝕刻腔體之?態，以作為蝕刻監控之用，而本計畫之目標即使用模擬軟體針對實際之蝕刻腔體系統進?模擬，以期能對系統之製程最優化提供方向。在目前的半導體閘極尺寸越做越小的情況之下，要如何... | 計畫成果: 由模擬結果可以得知腔體高度對於晶?上之通量有很大的影響，即隨著腔體高度的降低,離子通量就越能受到電漿源的影響，導致了線圈位置對於離子通量均勻度的影響也就越明顯了。此外，藉由探討電漿輸入功率對電漿密度分... |
| 執行單位: 國立台灣科技大學 | 計畫摘要: 本計畫擬使用數值模擬的方法，分析光阻去除化藥槽內的流場特徵，探討流體流動的模態、流速、晶圓擺放位置、晶圓與藥液的接觸條件等因素，作為槽體幾何結構設計、藥液出入口流道設計、流量攪拌速度等設計參數。藉由C... | 計畫成果: 藉由實驗的研究結果，驗證及修正數值模擬的模型與計算方法。使用被驗證過的數值方法，分析晶圓在不同的擺放位置及流速條件下，探討晶圓周圍流場的特徵行為及速度特性(如圖1、圖2及圖3)。結果發現，攻角及流速的... |
| 執行單位: 國立成功大學 | 計畫摘要: 目前平面顯示器產品是以薄膜電晶體(Thin filmtransistors, TFTs)液晶顯示器為主流，要驅動高解析大面積液晶顯示器或有機發光顯示器，使用低溫多晶矽(lowtemperature p... | 計畫成果: 本計畫成功地架設二氧化碳雷射輔助電漿增強式化學氣相沉積之系統(如圖1)，並且利用此沉積系統進行不同雷射瓦數輔助成長及雷射與試片間之不同距離成長矽薄膜之探討，當雷射輔助成長為80 W時，且雷射光束與試片... |
| 執行單位: 國立成功大學 | 計畫摘要: 本計畫主要目標在開發非接觸式金屬薄膜電性量測技術，並以系統之實際實現為訴求。渦電流檢測技術(Eddy current testing)是傳統金屬材質檢測主要技術之一，相關理論與技術已有百年以上發展歷史... | 計畫成果: 主要執行成果可分為五大項，相關理論與分析、硬體電路與機構、人機介面程式、綜合分析儀驗證、探頭線圈設計。成果呈現方式為如圖1系統裝置搭配如圖2人機介面，利用自製探頭量測金屬薄膜，其可得誤差達到低於10%... |
| 執行單位: 國立屏東科技大學 | 計畫摘要: 近年來矽薄膜材料在光電及半導體產業一直被廣泛的應用，本計畫所整合之LTPS低氫薄膜製程設備，該設備所沉積的低氫矽薄膜，有助於退火過程中避免氫爆現象發生，而減少矽薄膜與基板脫離現象，該技術的發展將有效協... | 計畫成果: 本研究結合雷射圖案化技術與電性反饋系統方法，利用兩階段熱處理方法，釐清雷射波長對於矽薄膜的影響，並探討兩階段熱處理之矽薄膜再結晶機制研究，同時建構即時量測薄膜電性之檢測系統。結果說明爐退與雷射退火皆能... |
| 執行單位: 國立交通大學 | 計畫摘要: 本計畫為研究用於切割藍寶石基板的355奈米波長的奈秒UV雷射光束參數評估，以及相關的光束整形系統設計。其中能量密度與有效光長度最為影響到切割速率，此二光束規格即為聚焦點尺寸以及聚焦深度。但上述兩個規格... | 計畫成果: 本研究已找到適合的市售元件滿足分光、小光點以及長焦深等規格，變動pitch則選用擴束鏡來達成目標(如圖1)。亦自行以LSOE以及annular linear axicon兩種不同結構模擬Elongat... |
| 執行單位: 國立雲林科技大學 | 計畫摘要: 以皮秒雷射進行藍寶石基板切割過程中，在產業應用上多是以off-line的方式來進行雷射加工狀態的監測與調整。本研究之目的為提供一線上監控加工狀態之技術，期能有效維持加工品質，同時亦可以線上監測加工狀態... | 計畫成果: 本計畫已完成對於兩種電極所產生之電場模擬分析(如圖1及圖2)，並製作完成共三組電極之製作來進行對藍寶石基板之鑽孔與切割訊號之偵測。由實驗結果顯示可以利用外加靜電場來偵測每一發的加工。同時，亦完成討論對... |
| 執行單位: 國立成功大學 | 計畫摘要: 本計畫目的在模擬電漿在蝕刻腔體之?態，以作為蝕刻監控之用，而本計畫之目標即使用模擬軟體針對實際之蝕刻腔體系統進?模擬，以期能對系統之製程最優化提供方向。在目前的半導體閘極尺寸越做越小的情況之下，要如何... | 計畫成果: 由模擬結果可以得知腔體高度對於晶?上之通量有很大的影響，即隨著腔體高度的降低,離子通量就越能受到電漿源的影響，導致了線圈位置對於離子通量均勻度的影響也就越明顯了。此外，藉由探討電漿輸入功率對電漿密度分... |
| 執行單位: 國立台灣科技大學 | 計畫摘要: 本計畫擬使用數值模擬的方法，分析光阻去除化藥槽內的流場特徵，探討流體流動的模態、流速、晶圓擺放位置、晶圓與藥液的接觸條件等因素，作為槽體幾何結構設計、藥液出入口流道設計、流量攪拌速度等設計參數。藉由C... | 計畫成果: 藉由實驗的研究結果，驗證及修正數值模擬的模型與計算方法。使用被驗證過的數值方法，分析晶圓在不同的擺放位置及流速條件下，探討晶圓周圍流場的特徵行為及速度特性(如圖1、圖2及圖3)。結果發現，攻角及流速的... |