環形正負電子加速器對撞Higgs玻子工廠束流亮度測量暨ATLAS升級抗輻光纖電子學與暗物質搜尋(1/3)
- 國家科學及技術委員會物理學門專題計畫補助清冊 @ 國家科學及技術委員會

計畫中文名稱環形正負電子加速器對撞Higgs玻子工廠束流亮度測量暨ATLAS升級抗輻光纖電子學與暗物質搜尋(1/3)的機關名稱是中央研究院物理研究所, 學門是M0301 重力、高能、粒子及核物理, 年度是112, 執行期限(起)是20230801, 執行期限(迄)是20241031.

年度112
學門M0301 重力、高能、粒子及核物理
計畫中文名稱環形正負電子加速器對撞Higgs玻子工廠束流亮度測量暨ATLAS升級抗輻光纖電子學與暗物質搜尋(1/3)
計畫英文名稱Circular e+e− collider Higgs factory luminosity measurement(1/5)(1/3)
機關名稱中央研究院物理研究所
執行期限(起)20230801
執行期限(迄)20241031

年度

112

學門

M0301 重力、高能、粒子及核物理

計畫中文名稱

環形正負電子加速器對撞Higgs玻子工廠束流亮度測量暨ATLAS升級抗輻光纖電子學與暗物質搜尋(1/3)

計畫英文名稱

Circular e+e− collider Higgs factory luminosity measurement(1/5)(1/3)

機關名稱

中央研究院物理研究所

執行期限(起)

20230801

執行期限(迄)

20241031

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以仿生和氧氣生物力學方法重建極簡功能性肺泡

計畫主持人(中): 郭青齡 | 計畫編號: AS-TP-109-M04 | 計畫主持人所屬單位(中): 中研院物理研究所 | 參與研究人員所屬單位(中): 中央研究院物理研究所 | 國立臺灣大學醫學院藥理學科暨研究所 | 中央研究院應用科學研究中心 | 西元年: 2019 | 執行期間(起): 2020-01-01 | 執行期間(迄): 2022-12-31 | 備註: NULL

@ 中央研究院主題研究計畫核定通過名單

中央研究院物理研究所年報

出版日期: 1972-01 | 出版單位: 中央研究院 | 作者資訊: 中央研究院物理研究所 | ISBN: | 語言: 中文 | 適用對象: 成人(學術性) | 主題分類: | 書籍介紹: | 授權資訊:

@ 出版書目資料

開發先進同調電子成像方法

計畫主持人(中): 黃英碩 | 計畫編號: AS-TP-109-M02 | 計畫主持人所屬單位(中): 中研院物理研究所 | 參與研究人員所屬單位(中): 中央研究院物理研究所 | 國立清華大學工程與系統科學系 | 西元年: 2019 | 執行期間(起): 2020-01-01 | 執行期間(迄): 2022-12-31 | 備註: NULL

@ 中央研究院主題研究計畫核定通過名單

李尚凡

公司名稱: 彩晶 | 職稱: 獨立董事 | 就任日期: 1130524 | 公司代號: 6116 | 出表日期: 1140522 | 主要現職: 中央研究院物理研究所研究員 | 主要經歷: 法國南巴黎大學湯姆森聯合研究室博士後研究員 政治大學應用物理研究所合聘教授 台灣大學物理系合聘教授 | 目前兼任其他公司名稱: | 其他公司職稱: | 備註:

@ 上市公司獨立董監事兼任情形彙總表

台灣微中子實驗研究計畫 - 以超低能高純皆鍺探測器研究 微中子物理與找尋暗物質

機關名稱: 中央研究院物理研究所 | 學門: M0301 重力、高能、粒子及核物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20230731

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台灣微中子實驗研究計畫 - 以超低能高純皆鍺探測器研究 微中子物理與找尋暗物質

機關名稱: 中央研究院物理研究所 | 學門: M0301 重力、高能、粒子及核物理 | 年度: 112 | 執行期限(起): 20230801 | 執行期限(迄): 20240731

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精密宇宙學與2019諾貝爾物理獎

作者: 吳建宏 | 發布日期: 20201204 | 服務機構: 中央研究院物理研究所 | 摘要: 2019 諾貝爾物理獎由加拿大物理學家及理論宇宙學家 James Peebles、瑞士天文學家 Michel Mayor 和 Didier Queloz 三人共享殊榮。Peebles 對大爆炸模型做出...

@ 國家科學及技術委員會科技大觀園新知專欄

精密宇宙學與2019諾貝爾物理獎

作者: 吳建宏 | 發布日期: 2020/12/4 | 服務機構: 中央研究院物理研究所 | 摘要: 2019 諾貝爾物理獎由加拿大物理學家及理論宇宙學家 James Peebles、瑞士天文學家 Michel Mayor 和 Didier Queloz 三人共享殊榮。Peebles 對大爆炸模型做出...

@ 國家科學及技術委員會科技大觀園新知專欄

以仿生和氧氣生物力學方法重建極簡功能性肺泡

計畫主持人(中): 郭青齡 | 計畫編號: AS-TP-109-M04 | 計畫主持人所屬單位(中): 中研院物理研究所 | 參與研究人員所屬單位(中): 中央研究院物理研究所 | 國立臺灣大學醫學院藥理學科暨研究所 | 中央研究院應用科學研究中心 | 西元年: 2019 | 執行期間(起): 2020-01-01 | 執行期間(迄): 2022-12-31 | 備註: NULL

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中央研究院物理研究所年報

出版日期: 1972-01 | 出版單位: 中央研究院 | 作者資訊: 中央研究院物理研究所 | ISBN: | 語言: 中文 | 適用對象: 成人(學術性) | 主題分類: | 書籍介紹: | 授權資訊:

@ 出版書目資料

開發先進同調電子成像方法

計畫主持人(中): 黃英碩 | 計畫編號: AS-TP-109-M02 | 計畫主持人所屬單位(中): 中研院物理研究所 | 參與研究人員所屬單位(中): 中央研究院物理研究所 | 國立清華大學工程與系統科學系 | 西元年: 2019 | 執行期間(起): 2020-01-01 | 執行期間(迄): 2022-12-31 | 備註: NULL

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李尚凡

公司名稱: 彩晶 | 職稱: 獨立董事 | 就任日期: 1130524 | 公司代號: 6116 | 出表日期: 1140522 | 主要現職: 中央研究院物理研究所研究員 | 主要經歷: 法國南巴黎大學湯姆森聯合研究室博士後研究員 政治大學應用物理研究所合聘教授 台灣大學物理系合聘教授 | 目前兼任其他公司名稱: | 其他公司職稱: | 備註:

@ 上市公司獨立董監事兼任情形彙總表

台灣微中子實驗研究計畫 - 以超低能高純皆鍺探測器研究 微中子物理與找尋暗物質

機關名稱: 中央研究院物理研究所 | 學門: M0301 重力、高能、粒子及核物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20230731

@ 國家科學及技術委員會物理學門專題計畫補助清冊

台灣微中子實驗研究計畫 - 以超低能高純皆鍺探測器研究 微中子物理與找尋暗物質

機關名稱: 中央研究院物理研究所 | 學門: M0301 重力、高能、粒子及核物理 | 年度: 112 | 執行期限(起): 20230801 | 執行期限(迄): 20240731

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精密宇宙學與2019諾貝爾物理獎

作者: 吳建宏 | 發布日期: 20201204 | 服務機構: 中央研究院物理研究所 | 摘要: 2019 諾貝爾物理獎由加拿大物理學家及理論宇宙學家 James Peebles、瑞士天文學家 Michel Mayor 和 Didier Queloz 三人共享殊榮。Peebles 對大爆炸模型做出...

@ 國家科學及技術委員會科技大觀園新知專欄

精密宇宙學與2019諾貝爾物理獎

作者: 吳建宏 | 發布日期: 2020/12/4 | 服務機構: 中央研究院物理研究所 | 摘要: 2019 諾貝爾物理獎由加拿大物理學家及理論宇宙學家 James Peebles、瑞士天文學家 Michel Mayor 和 Didier Queloz 三人共享殊榮。Peebles 對大爆炸模型做出...

@ 國家科學及技術委員會科技大觀園新知專欄

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與環形正負電子加速器對撞Higgs玻子工廠束流亮度測量暨ATLAS升級抗輻光纖電子學與暗物質搜尋(1/3)同分類的國家科學及技術委員會物理學門專題計畫補助清冊

零維量子點和二維材料異質接面用於氣體偵測:實驗和第一原理模擬研究

機關名稱: 國立中興大學物理學系(所) | 學門: M0315 半導體物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20231031

電漿輔助分子束磊晶生長III族氮化物半導體/磁性體-超導體混合結構和分析

機關名稱: 國立中山大學物理學系(所) | 學門: M0315 半導體物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20240731

高效率有機太陽能板之戶外穩定性

機關名稱: 國立交通大學物理研究所 | 學門: M0315 半導體物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20230731

高效率熱電能源材料之探索

機關名稱: 國立中興大學物理學系(所) | 學門: M0315 半導體物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20240731

CMOS金屬與SiGe(001)-2×1介面之電子結構研究

機關名稱: 財團法人國家同步輻射研究中心研究組 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20221230

二維材料物理性質研究(2/3)

機關名稱: 國立政治大學應用物理研究所 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20231231

二維材料的缺陷,電子態與應用

機關名稱: 國立臺灣師範大學物理學系(所) | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20240731

二維凡得瓦系統之即場催化研究分析

機關名稱: 財團法人國家同步輻射研究中心研究組 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20230731

二維凡德瓦薄膜的物理特性研究 – 分子束磊晶技術發展與晶體結構、電子結構解析

機關名稱: 國立中央大學物理學系 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20221101 | 執行期限(迄): 20231031

以光電子繞射探討單層凡得瓦材料之相變(1/3)

機關名稱: 財團法人國家同步輻射研究中心研究組 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20231031

以掃描穿隧電子顯微鏡研究本性磁拓撲絕緣體的新拓樸相

機關名稱: 中央研究院物理研究所 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20230731

以二次諧波的方式探討可控電荷陷阱的矽薄膜表面上水與氧分子吸附與競爭行為(1/2)

機關名稱: 國立成功大學物理學系(所) | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20231031

以角解析光電子能譜探索並操控拓樸半金屬之電子能帶結構

機關名稱: 財團法人國家同步輻射研究中心研究組 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220101 | 執行期限(迄): 20221231

以臨場穿透式電子顯微鏡探討原子層材料固液界面處電化學反應機制

機關名稱: 國立臺灣大學材料科學與工程學系暨研究所 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20230731

低維材料的電及光導性與其層間結構與組成的關連(1/2)

機關名稱: 中央研究院物理研究所 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20230731

零維量子點和二維材料異質接面用於氣體偵測:實驗和第一原理模擬研究

機關名稱: 國立中興大學物理學系(所) | 學門: M0315 半導體物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20231031

電漿輔助分子束磊晶生長III族氮化物半導體/磁性體-超導體混合結構和分析

機關名稱: 國立中山大學物理學系(所) | 學門: M0315 半導體物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20240731

高效率有機太陽能板之戶外穩定性

機關名稱: 國立交通大學物理研究所 | 學門: M0315 半導體物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20230731

高效率熱電能源材料之探索

機關名稱: 國立中興大學物理學系(所) | 學門: M0315 半導體物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20240731

CMOS金屬與SiGe(001)-2×1介面之電子結構研究

機關名稱: 財團法人國家同步輻射研究中心研究組 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20221230

二維材料物理性質研究(2/3)

機關名稱: 國立政治大學應用物理研究所 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20231231

二維材料的缺陷,電子態與應用

機關名稱: 國立臺灣師範大學物理學系(所) | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20240731

二維凡得瓦系統之即場催化研究分析

機關名稱: 財團法人國家同步輻射研究中心研究組 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20230731

二維凡德瓦薄膜的物理特性研究 – 分子束磊晶技術發展與晶體結構、電子結構解析

機關名稱: 國立中央大學物理學系 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20221101 | 執行期限(迄): 20231031

以光電子繞射探討單層凡得瓦材料之相變(1/3)

機關名稱: 財團法人國家同步輻射研究中心研究組 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20231031

以掃描穿隧電子顯微鏡研究本性磁拓撲絕緣體的新拓樸相

機關名稱: 中央研究院物理研究所 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20230731

以二次諧波的方式探討可控電荷陷阱的矽薄膜表面上水與氧分子吸附與競爭行為(1/2)

機關名稱: 國立成功大學物理學系(所) | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20231031

以角解析光電子能譜探索並操控拓樸半金屬之電子能帶結構

機關名稱: 財團法人國家同步輻射研究中心研究組 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220101 | 執行期限(迄): 20221231

以臨場穿透式電子顯微鏡探討原子層材料固液界面處電化學反應機制

機關名稱: 國立臺灣大學材料科學與工程學系暨研究所 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20230731

低維材料的電及光導性與其層間結構與組成的關連(1/2)

機關名稱: 中央研究院物理研究所 | 學門: M0316 表面物理 | 年度: 111 | 執行期限(起): 20220801 | 執行期限(迄): 20230731

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