二維半導體 Bi2O2Se 原生氧化層界面物理特性研究
- 國家科學及技術委員會物理學門專題計畫補助清冊 @ 國家科學及技術委員會

計畫中文名稱二維半導體 Bi2O2Se 原生氧化層界面物理特性研究的機關名稱是國立清華大學電子工程研究所, 學門是M0315 半導體物理, 年度是112, 執行期限(起)是20230801, 執行期限(迄)是20240731.

年度	112
學門	M0315 半導體物理
計畫中文名稱	二維半導體 Bi2O2Se 原生氧化層界面物理特性研究
計畫英文名稱	Physical properties of 2D semiconductor Bi2O2Se native oxide interface
機關名稱	國立清華大學電子工程研究所
執行期限(起)	20230801
執行期限(迄)	20240731

年度

112

學門

M0315 半導體物理

計畫中文名稱

二維半導體 Bi2O2Se 原生氧化層界面物理特性研究

計畫英文名稱

Physical properties of 2D semiconductor Bi2O2Se native oxide interface

機關名稱

國立清華大學電子工程研究所

執行期限(起)

20230801

執行期限(迄)

20240731

根據名稱國立清華大學電子工程研究所找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 國立清華大學電子工程研究所 ...)

徐永珍	公司名稱: 聯穎 \| 職稱: 獨立董事 \| 就任日期: 1120630 \| 公司代號: 3550 \| 出表日期: 1140523 \| 主要現職: 國立清華大學電機工程學系暨電子工程研究所教授 \| 主要經歷: 國立清華大學電子工程研究所所長國立清華大學電資院產業研究碩士專班主任 \| 目前兼任其他公司名稱: \| 其他公司職稱: \| 備註: @ 上市公司獨立董監事兼任情形彙總表
標準SiGe製程中低崩潰電壓NPN光電晶體之研究及其應用	機關名稱: 國立清華大學電子工程研究所 \| 學門: E14-微電子工程 \| 年度: 112 \| 執行期限(起): 1120801 \| 執行期限(迄): 1130731 @ 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊
先進單量子井氮化鋁鎵/氮化鎵發光高電子遷移率電晶體研發	機關名稱: 國立清華大學電子工程研究所 \| 學門: E14-微電子工程 \| 年度: 112 \| 執行期限(起): 1120801 \| 執行期限(迄): 1130731 @ 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊
設計及整合矽基自旋量子位元于低溫控制晶片研究(1/4)	機關名稱: 國立清華大學電子工程研究所 \| 學門: E14-微電子工程 \| 年度: 112 \| 執行期限(起): 1120801 \| 執行期限(迄): 1130731 @ 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊
P型氮化鋁鎵電子阻擋層用於具有氮化銦鎵量子井的發光氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體影響研究	作者: 戴振展 \| 指導教授: 黃智方 \| 學位類別: 碩士 \| 畢業學年度: 111 \| 論文名稱(外文): Study on Effect of p-AlGaN Electron Blocking Layer in Light Emitting AlGaN/GaN High Electron Mobilit... \| 系所名稱: 電子工程研究所 \| 學校名稱: 國立清華大學 @ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統
氮化鎵高電子移動速度電晶體關鍵製程之研究	作者: 王建中 \| 指導教授: 黃智方 \| 學位類別: 碩士 \| 畢業學年度: 106 \| 論文名稱(外文): Study on Critical Processes for GaN HEMTs \| 系所名稱: 電子工程研究所 \| 學校名稱: 國立清華大學 @ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統
氧電漿處理閘極優先具有氮化銦鎵單量子井之氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體研究	作者: 蔡銘宗 \| 指導教授: 黃智方 \| 學位類別: 碩士 \| 畢業學年度: 110 \| 論文名稱(外文): Study on Gate-First AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor with an InGaN Single Quantum Well Us... \| 系所名稱: 電子工程研究所 \| 學校名稱: 國立清華大學 @ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統
化學氣相沉積法成長大面積單層二維材料與其電子特性研究	作者: 劉信成 \| 指導教授: 邱博文 \| 學位類別: 碩士 \| 畢業學年度: 106 \| 論文名稱(外文): CVD Growth of Large-Area Monolayer Transition Metal Dichalcogenides and its Electronic Device Proper... \| 系所名稱: 電子工程研究所 \| 學校名稱: 國立清華大學 @ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

徐永珍

@ 上市公司獨立董監事兼任情形彙總表

標準SiGe製程中低崩潰電壓NPN光電晶體之研究及其應用

機關名稱: 國立清華大學電子工程研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

@ 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊

先進單量子井氮化鋁鎵/氮化鎵發光高電子遷移率電晶體研發

機關名稱: 國立清華大學電子工程研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

@ 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊

設計及整合矽基自旋量子位元于低溫控制晶片研究(1/4)

機關名稱: 國立清華大學電子工程研究所 | 學門: E14-微電子工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

@ 國家科學及技術委員會微電子學門專題計畫補助清冊

在『國家科學及技術委員會物理學門專題計畫補助清冊』資料集內搜尋:

與二維半導體 Bi2O2Se 原生氧化層界面物理特性研究同分類的國家科學及技術委員會物理學門專題計畫補助清冊

液態光子晶體之光子能隙控制研究及應用	機關名稱: 國立中山大學光電工程學系 \| 學門: M0325 光電物理 \| 年度: 111 \| 執行期限(起): 20220801 \| 執行期限(迄): 20230731
液晶與新穎智能材料及光學渦流交互作用之研究與應用	機關名稱: 國立成功大學光電科學與工程學系 \| 學門: M0325 光電物理 \| 年度: 111 \| 執行期限(起): 20220801 \| 執行期限(迄): 20231031
液晶微滴乳化特性與操控之研究(2/3)	機關名稱: 國立陽明交通大學影像與生醫光電研究所 \| 學門: M0325 光電物理 \| 年度: 111 \| 執行期限(起): 20220801 \| 執行期限(迄): 20231130
無機-有機材料異質結構光、電性質的研究與永續能源元件的開發	機關名稱: 國立聯合大學材料科學工程學系 \| 學門: M0325 光電物理 \| 年度: 111 \| 執行期限(起): 20220801 \| 執行期限(迄): 20230731
熱輔助佔據密度泛函理論之擴展及其於新興奈米材料與生物系統上的應用	機關名稱: 國立臺灣大學物理學系暨研究所 \| 學門: M0325 光電物理 \| 年度: 111 \| 執行期限(起): 20220801 \| 執行期限(迄): 20230731
物理系所研究特色發展計畫-總計畫-光機耦合誘發透明之研究(1/3)	機關名稱: 國立彰化師範大學物理學系暨研究所 \| 學門: M0325 光電物理 \| 年度: 111 \| 執行期限(起): 20220801 \| 執行期限(迄): 20230731
物理系所研究特色發展計畫-總計畫-陽明交通大學電子物理系研究能量提升(1/3)	機關名稱: 國立陽明交通大學電子物理學系 \| 學門: M0325 光電物理 \| 年度: 111 \| 執行期限(起): 20220801 \| 執行期限(迄): 20230731
研究多重二維過渡金屬硫化物原子層之間的激子交互作用及能量轉換來實現多波長量子光源(2/3)	機關名稱: 中央研究院應用科學研究中心 \| 學門: M0325 光電物理 \| 年度: 111 \| 執行期限(起): 20220801 \| 執行期限(迄): 20231031
研究腔內固態受激拉曼散射產生高功率橘–黃–綠光雷射	機關名稱: 國立臺北科技大學光電工程系（所） \| 學門: M0325 光電物理 \| 年度: 111 \| 執行期限(起): 20220201 \| 執行期限(迄): 20230131
研究雷射物理的空間模態與時間動力學	機關名稱: 國立交通大學電子物理學系（所） \| 學門: M0325 光電物理 \| 年度: 111 \| 執行期限(起): 20220801 \| 執行期限(迄): 20230731
碲奈米片及其異質結構中的量子輸運(2/3)	機關名稱: 中央研究院應用科學研究中心 \| 學門: M0325 光電物理 \| 年度: 111 \| 執行期限(起): 20220801 \| 執行期限(迄): 20230731
缺陷調變與結構工程改善銅鋅錫硫硒元件光伏特性之研究	機關名稱: 長庚大學電子工程學系 \| 學門: M0325 光電物理 \| 年度: 111 \| 執行期限(起): 20220801 \| 執行期限(迄): 20230731
耐火金屬之熱載子超快光學和非線性特性研究(2/3)	機關名稱: 國立陽明交通大學光電工程學系 \| 學門: M0325 光電物理 \| 年度: 111 \| 執行期限(起): 20220801 \| 執行期限(迄): 20230731
超快單脈衝兆赫波與光波光譜學	機關名稱: 國立臺灣大學電機工程學系暨研究所 \| 學門: M0325 光電物理 \| 年度: 111 \| 執行期限(起): 20220301 \| 執行期限(迄): 20220731
量子光學元件與神經網路開發計畫	機關名稱: 國立中央大學光電科學與工程學系 \| 學門: M0325 光電物理 \| 年度: 111 \| 執行期限(起): 20220801 \| 執行期限(迄): 20230731

二維半導體 Bi2O2Se 原生氧化層界面物理特性研究 - 國家科學及技術委員會物理學門專題計畫補助清冊 @ 國家科學及技術委員會

年度

學門

計畫中文名稱

計畫英文名稱

機關名稱

執行期限(起)

執行期限(迄)

在『國家科學及技術委員會物理學門專題計畫補助清冊』資料集內搜尋:

與二維半導體 Bi2O2Se 原生氧化層界面物理特性研究同分類的國家科學及技術委員會物理學門專題計畫補助清冊

二維半導體 Bi2O2Se 原生氧化層界面物理特性研究
- 國家科學及技術委員會物理學門專題計畫補助清冊 @ 國家科學及技術委員會