合晶 - 上櫃公司營益分析查詢彙總表(全體公司彙總報表) @ 金融監督管理委員會證券期貨局 公司名稱合晶 的年度是108 , 季別是2 , 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入)是21.88 , 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入)是18.35 , 營業收入(百萬元)是4182.38 , 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入)是23.94 , 出表日期是108/10/30 .
出表日期 108/10/30 年度 108 季別 2 公司代號 6182 公司名稱 合晶 營業收入(百萬元) 4182.38 毛利率(%)(營業毛利)/(營業收入) 39.92 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入) 23.94 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入) 21.88 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入) 18.35
出表日期 108/10/30 年度 108 季別 2 公司代號 6182 公司名稱 合晶 營業收入(百萬元) 4182.38 毛利率(%)(營業毛利)/(營業收入) 39.92 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入) 23.94 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入) 21.88 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入) 18.35
根據識別碼 6182 找到的相關資料 (以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 6182 查處情形: 相關案件已處分 | 處分日期: 01 7 2019 12:00AM | 違規廠商名稱或負責人: 晉恩股份有限公司/ | 處分機關: 廣告違規 | 刊播日期: 08 15 2018 12:00AM | 刊播媒體:
@ 違規化粧品廣告資料集 英文商品名稱: TFAA30000195181 | 分類: 液狀(液劑、液體) | 公司或商業登記名稱: 安心生物科技有限公司 | 食品業者登錄字號: N-153488260-00000-7
@ 食品添加物業者及產品登錄資料集 作者: 冠群攝影 | 關鍵字: 九份 街景 | 描述:
@ 台灣采風翦影 統一編號: 14474020 | 聯絡電話: 08-8831311 | 屏東縣牡丹鄉 | 設立日期: 2002/3/26 上午 12:00:00
@ 原住民族之商業清冊 統一編號: 66425767 | 電話號碼: 02-2668-6180 | 新北市樹林區柑園街1段213號
@ 出進口廠商登記資料 統一編號: 27649085 | 電話號碼: 02-2261-6182 | 新北市土城區青雲路376號
@ 出進口廠商登記資料 電話: 02-25505600轉6182 | 開放時間: 週一至週日 06:00~00:00 | 縣市: 臺北市 | 注意事項: 自行前往哺集乳室，並登記
@ 全國哺集乳室名單 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 產出單位: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 在日夜間及光影反差大的場景下，較傳統常用的高斯混合模型有更好的穩定性及較低的誤報率 | 潛力預估: 目前低秩矩陣分解法已在多種研究範疇取得相當好的成果，但在前景偵測方面的還是少數。未來融合特徵點追蹤技術，便能克服傳統方法在光影反差大的場景容易發生誤報的情況。
@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
查處情形: 相關案件已處分 | 處分日期: 01 7 2019 12:00AM | 違規廠商名稱或負責人: 晉恩股份有限公司/ | 處分機關: 廣告違規 | 刊播日期: 08 15 2018 12:00AM | 刊播媒體:
@ 違規化粧品廣告資料集 英文商品名稱: TFAA30000195181 | 分類: 液狀(液劑、液體) | 公司或商業登記名稱: 安心生物科技有限公司 | 食品業者登錄字號: N-153488260-00000-7
@ 食品添加物業者及產品登錄資料集 作者: 冠群攝影 | 關鍵字: 九份 街景 | 描述:
@ 台灣采風翦影 統一編號: 14474020 | 聯絡電話: 08-8831311 | 屏東縣牡丹鄉 | 設立日期: 2002/3/26 上午 12:00:00
@ 原住民族之商業清冊 統一編號: 66425767 | 電話號碼: 02-2668-6180 | 新北市樹林區柑園街1段213號
@ 出進口廠商登記資料 統一編號: 27649085 | 電話號碼: 02-2261-6182 | 新北市土城區青雲路376號
@ 出進口廠商登記資料 電話: 02-25505600轉6182 | 開放時間: 週一至週日 06:00~00:00 | 縣市: 臺北市 | 注意事項: 自行前往哺集乳室，並登記
@ 全國哺集乳室名單 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 產出單位: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 在日夜間及光影反差大的場景下，較傳統常用的高斯混合模型有更好的穩定性及較低的誤報率 | 潛力預估: 目前低秩矩陣分解法已在多種研究範疇取得相當好的成果，但在前景偵測方面的還是少數。未來融合特徵點追蹤技術，便能克服傳統方法在光影反差大的場景容易發生誤報的情況。
@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
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6182 ... ]
根據名稱 合晶 找到的相關資料 (以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 合晶 序號 1823 產出年度 94 領域別 (空) 專利名稱-中文 超薄單晶鐵電膜之複合晶圓製作方法 執行單位 工研院院本部 產出單位 (空) 計畫名稱 工研院創新前瞻技術研究計畫 專利發明人 何世賢、蔡宏營、丁嘉仁、藍春發、陳啟昌 核准國家 中華民國 獲證日期 (空) 證書號碼 I235412 專利期間起 (空) 專利期間訖 (空) 專利性質 發明 技術摘要-中文 一種超薄單晶鐵電膜之複合晶圓製作方法，主要係包括有下列步驟：提供一單晶鐵電晶圓及一承載晶圓，並將該單晶鐵電晶圓及該承載晶圓表面活化，再將該單晶鐵電晶圓之活化面與該承載晶圓之活化面進行接合，最後對該單晶鐵電晶圓進行薄化製程，以形成一超薄單晶鐵電膜，其中，所述之薄化製程係可採用研磨、輪磨、化學機械拋光（CMP）或蝕刻等等的製程來完成，且藉由接合所產生之接合力，來抵抗後續薄化製程所產生的剪切力。 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 劉展洋 電話 03-5916037 傳真 03-5917431 電子信箱 JamesLiu@Itri.org.tw 參考網址 http://www.patentportfolio.itri.org.tw 備註 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光 特殊情形 (空)
序號: 1823 產出年度: 94 領域別: (空) 專利名稱-中文: 超薄單晶鐵電膜之複合晶圓製作方法 執行單位: 工研院院本部 產出單位: (空) 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 專利發明人: 何世賢、蔡宏營、丁嘉仁、藍春發、陳啟昌 核准國家: 中華民國 獲證日期: (空) 證書號碼: I235412 專利期間起: (空) 專利期間訖: (空) 專利性質: 發明 技術摘要-中文: 一種超薄單晶鐵電膜之複合晶圓製作方法，主要係包括有下列步驟：提供一單晶鐵電晶圓及一承載晶圓，並將該單晶鐵電晶圓及該承載晶圓表面活化，再將該單晶鐵電晶圓之活化面與該承載晶圓之活化面進行接合，最後對該單晶鐵電晶圓進行薄化製程，以形成一超薄單晶鐵電膜，其中，所述之薄化製程係可採用研磨、輪磨、化學機械拋光（CMP）或蝕刻等等的製程來完成，且藉由接合所產生之接合力，來抵抗後續薄化製程所產生的剪切力。 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 劉展洋 電話: 03-5916037 傳真: 03-5917431 電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw 參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw 備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光 特殊情形: (空)
序號 4795 產出年度 97 領域別 (空) 專利名稱-中文 超薄單晶鐵電膜之複合晶圓製作方法 執行單位 工研院院本部 產出單位 (空) 計畫名稱 工研院創新前瞻技術研究計畫 專利發明人 何世賢 蔡宏營 丁嘉仁 藍春發 陳啟昌 核准國家 美國 獲證日期 (空) 證書號碼 7,329,364 專利期間起 (空) 專利期間訖 (空) 專利性質 發明 技術摘要-中文 一種超薄單晶鐵電膜之複合晶圓製作方法，主要係包括有下列步驟：提供一單晶鐵電晶圓及一承載晶圓，並將該單晶鐵電晶圓及該承載晶圓表面活化，再將該單晶鐵電晶圓之活化面與該承載晶圓之活化面進行接合，最後對該單晶鐵電晶圓進行薄化製程，以形成一超薄單晶鐵電膜，其中，所述之薄化製程係可採用研磨、輪磨、化學機械拋光（CMP）或蝕刻等等的製程來完成，且藉由接合所產生之接合力，來抵抗後續薄化製程所產生的剪切力。 A method for manufacturing a bonded wafer with ultra-thin single crystal ferroelectric film is provided, comprising the following steps: providing a single crystal ferroelectric wafer and a carrier wafer while activating the surfaces of the single crystal ferroelectric wafer and the carrier wafer; bonding the activated surface of the single crystal ferroelectric wafer to the activated surface of the carrier wafer; and thinning the single crystal ferroelectric wafer for forming an ultra-thin single crystal ferroelectric film. Wherein, the thinning process in the aforesaid preferred embodiment is the method of polishing, grinding, chemical mechanical polishing, or etching. And the bonding force generated in the bonding process is strong enough to resist the shearing force. 技術摘要-英文 (空) 聯絡人員 李露蘋 電話 03-59117812 傳真 03-5917431 電子信箱 oralp@itri.org.tw 參考網址 http://www.patentportfolio.itri.org.tw 備註 0 特殊情形 (空)
序號: 4795 產出年度: 97 領域別: (空) 專利名稱-中文: 超薄單晶鐵電膜之複合晶圓製作方法 執行單位: 工研院院本部 產出單位: (空) 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 專利發明人: 何世賢 蔡宏營 丁嘉仁 藍春發 陳啟昌 核准國家: 美國 獲證日期: (空) 證書號碼: 7,329,364 專利期間起: (空) 專利期間訖: (空) 專利性質: 發明 技術摘要-中文: 一種超薄單晶鐵電膜之複合晶圓製作方法，主要係包括有下列步驟：提供一單晶鐵電晶圓及一承載晶圓，並將該單晶鐵電晶圓及該承載晶圓表面活化，再將該單晶鐵電晶圓之活化面與該承載晶圓之活化面進行接合，最後對該單晶鐵電晶圓進行薄化製程，以形成一超薄單晶鐵電膜，其中，所述之薄化製程係可採用研磨、輪磨、化學機械拋光（CMP）或蝕刻等等的製程來完成，且藉由接合所產生之接合力，來抵抗後續薄化製程所產生的剪切力。 A method for manufacturing a bonded wafer with ultra-thin single crystal ferroelectric film is provided, comprising the following steps: providing a single crystal ferroelectric wafer and a carrier wafer while activating the surfaces of the single crystal ferroelectric wafer and the carrier wafer; bonding the activated surface of the single crystal ferroelectric wafer to the activated surface of the carrier wafer; and thinning the single crystal ferroelectric wafer for forming an ultra-thin single crystal ferroelectric film. Wherein, the thinning process in the aforesaid preferred embodiment is the method of polishing, grinding, chemical mechanical polishing, or etching. And the bonding force generated in the bonding process is strong enough to resist the shearing force. 技術摘要-英文: (空) 聯絡人員: 李露蘋 電話: 03-59117812 傳真: 03-5917431 電子信箱: oralp@itri.org.tw 參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw 備註: 0 特殊情形: (空)
序號 6290 產出年度 102 技術名稱-中文 3DIC晶圓級接合組裝技術 執行單位 工研院電光所 產出單位 (空) 計畫名稱 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 利用乾蝕刻與黃光製程製作具TSV晶圓，並結合晶圓薄化技術、微凸塊技術及晶圓級接合組裝製程技術，開發垂直式金屬線連接堆疊結構技術，具有高密度及高效能的特點，有助於晶片堆疊之立體堆疊SiP實現，且具3DIC模組熱電力設計模擬可以縮短產品開發時程 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 1. 晶圓薄化及TSV露銅技術：晶圓厚度≦100um ，CMP露銅， TTV ≦1.5um 2. 薄晶圓暫接處置技術：8”及12”晶圓，晶圓厚度≦100um 3. 微凸塊技術：無鉛金屬(Sn、In)電鍍凸塊，間距≦20um 4. 晶圓對晶圓接合技術：凸塊對凸塊、高分子對高分子接合材料對接 5. 3DIC模組熱電力模擬設計分析 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 1. Memory stack 2. Multi-chip module 3. 3DIC integration SiP 4. CIS感測器3D封裝 潛力預估 符合輕,薄,短,小,省電，大容量的元件模組應用要求，如手機、平板電腦、穿戴式裝置、伺服器與互聯網應用等 聯絡人員 溫國城 電話 03-5915654 傳真 03-5917193 電子信箱 kcwen@itri.org.tw 參考網址 one 所須軟硬體設備 Litho DRIE/ Laser CVD/ PVD Plating Grider/ CMP wafer bonder/ Debonder 需具備之專業人才 須具半導體製造或封裝能力
序號: 6290 產出年度: 102 技術名稱-中文: 3DIC晶圓級接合組裝技術 執行單位: 工研院電光所 產出單位: (空) 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 利用乾蝕刻與黃光製程製作具TSV晶圓，並結合晶圓薄化技術、微凸塊技術及晶圓級接合組裝製程技術，開發垂直式金屬線連接堆疊結構技術，具有高密度及高效能的特點，有助於晶片堆疊之立體堆疊SiP實現，且具3DIC模組熱電力設計模擬可以縮短產品開發時程 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 1. 晶圓薄化及TSV露銅技術：晶圓厚度≦100um ，CMP露銅， TTV ≦1.5um 2. 薄晶圓暫接處置技術：8”及12”晶圓，晶圓厚度≦100um 3. 微凸塊技術：無鉛金屬(Sn、In)電鍍凸塊，間距≦20um 4. 晶圓對晶圓接合技術：凸塊對凸塊、高分子對高分子接合材料對接 5. 3DIC模組熱電力模擬設計分析 技術成熟度: 實驗室階段 可應用範圍: 1. Memory stack 2. Multi-chip module 3. 3DIC integration SiP 4. CIS感測器3D封裝 潛力預估: 符合輕,薄,短,小,省電，大容量的元件模組應用要求，如手機、平板電腦、穿戴式裝置、伺服器與互聯網應用等 聯絡人員: 溫國城 電話: 03-5915654 傳真: 03-5917193 電子信箱: kcwen@itri.org.tw 參考網址: one 所須軟硬體設備: Litho DRIE/ Laser CVD/ PVD Plating Grider/ CMP wafer bonder/ Debonder 需具備之專業人才: 須具半導體製造或封裝能力
序號 5089 產出年度 100 技術名稱-中文 3DIC晶圓級接合組裝技術 執行單位 工研院電光所 產出單位 (空) 計畫名稱 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 利用乾蝕刻與黃光製程製作具TSV晶圓，並結合晶圓薄化技術、微凸塊技術及晶圓級接合組裝製程技術，開發垂直式金屬線連接堆疊結構技術，具有高密度及高效能的特點，有助於晶片堆疊之立體堆疊SiP實現。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 1.晶圓薄化及TSV露銅技術：晶圓厚度≦100um ，CMP露銅， TTV ≦1.5um。 2.薄晶圓暫接處置技術：8吋及12吋晶圓，晶圓厚度≦100um 。 3.微凸塊技術：無鉛金屬(Sn、In)電鍍凸塊，間距≦20um。 4.晶圓對晶圓接合技術：凸塊對凸塊、高分子對高分子接合材料對接。 技術成熟度 試量產 可應用範圍 3DIC 相關製程 潛力預估 記憶體3D堆疊產品或背照式影像感測元件(BSI-CIS) 聯絡人員 溫國城 電話 03-5915654 傳真 03-5917193 電子信箱 kcwen@itri.org.tw 參考網址 one 所須軟硬體設備 黃光,DRIE,CMP,晶圓磨薄,電鍍,W2W bonder,De-bonder..等 需具備之專業人才 電子/電機/材料相關領域
序號: 5089 產出年度: 100 技術名稱-中文: 3DIC晶圓級接合組裝技術 執行單位: 工研院電光所 產出單位: (空) 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 利用乾蝕刻與黃光製程製作具TSV晶圓，並結合晶圓薄化技術、微凸塊技術及晶圓級接合組裝製程技術，開發垂直式金屬線連接堆疊結構技術，具有高密度及高效能的特點，有助於晶片堆疊之立體堆疊SiP實現。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 1.晶圓薄化及TSV露銅技術：晶圓厚度≦100um ，CMP露銅， TTV ≦1.5um。 2.薄晶圓暫接處置技術：8吋及12吋晶圓，晶圓厚度≦100um 。 3.微凸塊技術：無鉛金屬(Sn、In)電鍍凸塊，間距≦20um。 4.晶圓對晶圓接合技術：凸塊對凸塊、高分子對高分子接合材料對接。 技術成熟度: 試量產 可應用範圍: 3DIC 相關製程 潛力預估: 記憶體3D堆疊產品或背照式影像感測元件(BSI-CIS) 聯絡人員: 溫國城 電話: 03-5915654 傳真: 03-5917193 電子信箱: kcwen@itri.org.tw 參考網址: one 所須軟硬體設備: 黃光,DRIE,CMP,晶圓磨薄,電鍍,W2W bonder,De-bonder..等 需具備之專業人才: 電子/電機/材料相關領域
序號 1645 產出年度 95 技術名稱-中文 薄膜表面聲波元件設計與封裝 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 薄膜表面聲波元件非傳統塊材，可以在非壓電基板上利用壓電薄膜製作聲波元件，進一步利用MEMS之晶圓級封裝測試技術之整合，提供射頻濾波元件廠商解決當尺寸縮小的封測難題。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 機電耦合係數 > 5 %；薄膜C軸指向性< H4。 技術成熟度 雛型 可應用範圍 聲波元件-感測、濾波、射頻模組。 潛力預估 國內聲波RF濾波元件仍以塊材為主,當尺寸進一步縮小後,產生封裝的難題,卻因為材料不相容而無法整合晶圓級的封裝技術。利用薄膜表面聲波元件設計與晶圓級封裝技術可使廠商在次世代技術佈局中取得有利地位 聯絡人員 許志維 電話 03-5917791 傳真 03-5820386 電子信箱 ChihWeiHsu@itri.org.tw 參考網址 無 所須軟硬體設備 晶片接合設備、壓力溫度偏壓測試系統、介面薄膜測試儀、薄膜濺鍍機。 需具備之專業人才 碩士(含)以上，光電、機械、材化、電子、電機等相關科系。
序號: 1645 產出年度: 95 技術名稱-中文: 薄膜表面聲波元件設計與封裝 執行單位: 工研院材化所 產出單位: (空) 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 薄膜表面聲波元件非傳統塊材，可以在非壓電基板上利用壓電薄膜製作聲波元件，進一步利用MEMS之晶圓級封裝測試技術之整合，提供射頻濾波元件廠商解決當尺寸縮小的封測難題。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 機電耦合係數 > 5 %；薄膜C軸指向性< H4。 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: 聲波元件-感測、濾波、射頻模組。 潛力預估: 國內聲波RF濾波元件仍以塊材為主,當尺寸進一步縮小後,產生封裝的難題,卻因為材料不相容而無法整合晶圓級的封裝技術。利用薄膜表面聲波元件設計與晶圓級封裝技術可使廠商在次世代技術佈局中取得有利地位 聯絡人員: 許志維 電話: 03-5917791 傳真: 03-5820386 電子信箱: ChihWeiHsu@itri.org.tw 參考網址: 無 所須軟硬體設備: 晶片接合設備、壓力溫度偏壓測試系統、介面薄膜測試儀、薄膜濺鍍機。 需具備之專業人才: 碩士(含)以上，光電、機械、材化、電子、電機等相關科系。
名稱 鳴時晶靈 代表圖像 http://cloud.culture.tw/e_new_upload/task/ebcdcfb9-92d1-4d80-9be7-ae107259ecba/P030-115-08/dcea207dc8739723d0f91533afa29875b84cdae0.jpg 簡介 「晶靈」這件立體動畫互動作品的名字，取自晶片與靈性兩個詞的結合。晶片象徵今日電腦科技之文明，而靈性代表作品隱含自然科學之人工生命。
晶靈是電漿螢幕上看到的一顆顆會滾動、有如魔術方塊的細胞，牠們具有人工生命，會隨著四季遞變而更換彩衣，也會感應自然界裡的光線與時序變化，如每個整點時分，所有的細胞便會齊鳴共舞。
鳴時晶靈也是件館內、外互動裝置藝術作品，只要館外的過往人潮靠近外面九根三角柱前，電漿螢幕上的晶靈便會曼波舞動起來。
夜晚時，晶靈是一顆顆晶瑩閃爍、帶有人工生命的光點，牠們以繽紛的色彩點亮館外的九根三角柱，並與現場的觀眾產生即時的律動變化。 郵遞區號 115 地址 11568 臺北市南港區經貿二路1號 經度座標 121.616904 緯度座標 25.056899 來源網站 https://publicart.moc.gov.tw/國內作品欣賞.html?view=detail&id=2027 建立年代 2008 建立西元年 2008 author 陳珠櫻 size 長110.6cm、寬62.2cm material 人工生命電腦程式 主類別 公共藝術 縣市 臺北市 群組類別 公共藝術 主分類PK 3868 版本 1.0 點閱數 700
名稱: 鳴時晶靈 代表圖像: http://cloud.culture.tw/e_new_upload/task/ebcdcfb9-92d1-4d80-9be7-ae107259ecba/P030-115-08/dcea207dc8739723d0f91533afa29875b84cdae0.jpg 簡介: 「晶靈」這件立體動畫互動作品的名字，取自晶片與靈性兩個詞的結合。晶片象徵今日電腦科技之文明，而靈性代表作品隱含自然科學之人工生命。
晶靈是電漿螢幕上看到的一顆顆會滾動、有如魔術方塊的細胞，牠們具有人工生命，會隨著四季遞變而更換彩衣，也會感應自然界裡的光線與時序變化，如每個整點時分，所有的細胞便會齊鳴共舞。
鳴時晶靈也是件館內、外互動裝置藝術作品，只要館外的過往人潮靠近外面九根三角柱前，電漿螢幕上的晶靈便會曼波舞動起來。
夜晚時，晶靈是一顆顆晶瑩閃爍、帶有人工生命的光點，牠們以繽紛的色彩點亮館外的九根三角柱，並與現場的觀眾產生即時的律動變化。 郵遞區號: 115 地址: 11568 臺北市南港區經貿二路1號 經度座標: 121.616904 緯度座標: 25.056899 來源網站: https://publicart.moc.gov.tw/國內作品欣賞.html?view=detail&id=2027 建立年代: 2008 建立西元年: 2008 author: 陳珠櫻 size: 長110.6cm、寬62.2cm material: 人工生命電腦程式 主類別: 公共藝術 縣市: 臺北市 群組類別: 公共藝術 主分類PK: 3868 版本: 1.0 點閱數: 700
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合晶 ... ]
合晶服飾專業定做修改 台中市豐原區中正路281巷6號 | 電話: 04-2520-9097
合晶股份有限公司 台中市神岡區大豐路89號 | 電話: 04-2534-3741
合晶股份有限公司 台中市潭子區潭秀里雅潭路一段136號 | 電話: 04-2534-3772
聯合晶體科技股份有限公司 苗栗縣苗栗市文聖里文山234號之3 | 電話: 037-320-880
合晶科技股份有限公司 桃園市楊梅區梅獅路二段445巷1號 | 電話: 03-481-5001
合晶科技股份有限公司 桃園市龍潭區八張犁段929地號 | 電話: 03-499-0628
合晶科技股份有限公司 桃園市龍潭區八德村八張犁段929地號 | 電話: 03-499-5001
名稱 合晶 找到的公司登記或商業登記 (以下顯示 8 筆) (或要:查詢所有 合晶 )
合晶科技股份有限公司 登記地址: 新竹科學園區桃園市龍潭區龍園一路100號 | 負責人: 焦平海 | 統編: 16138282 | 核准設立
合晶科技股份有限公司園區分公司 登記地址: 新竹科學園區桃園市龍潭區龍園一路100號 | 負責人: 張憲元 | 統編: 28112771 | 核准設立
合晶國際有限公司 登記地址: 新北市新莊區新北大道3段7號15樓之8 | 負責人: 郁品蓁 | 統編: 24334689 | 核准設立
玖合晶工業社 登記地址: 高雄市前鎮區二聖二路6巷2弄1號1樓 | 負責人: 陳久華 | 統編: 50661173 | 核准設立 - 獨資 (核准文號: 11060660300)
新合晶能源系統股份有限公司 登記地址: 臺北市中正區重慶南路1段99號11樓之2 | 負責人: 朱宗賜 | 統編: 82974655 | 核准設立
合晶視聽歌唱有限公司 登記地址: 新竹縣竹北市復興三路二段168號9樓之5 | 負責人: 簡碧穎 | 統編: 94252865 | 核准設立
合晶科技股份有限公司楊梅分公司 登記地址: 桃園市楊梅區瑞坪里蘋果路１號 | 統編: 93784034
合晶光電股份有限公司 登記地址: 桃園縣中壢市復華里自強一路16之6號 | 負責人: 焦平海 | 統編: 28749225 | 合併解散 (105年05月30日 經授商字 第10501073620號)
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): -91.58 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): -119.28 | 營業收入(百萬元): 42.50 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 10.88 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): -20.55 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): -20.63 | 營業收入(百萬元): 362.74 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -19.26 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): -1.48 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): -2.63 | 營業收入(百萬元): 845.31 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -2.88 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 9.20 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 8.85 | 營業收入(百萬元): 195.98 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 8.47 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 20.61 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 17.07 | 營業收入(百萬元): 2146.59 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 19.93 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): -2354.72 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): -2354.72 | 營業收入(百萬元): 4.14 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -964.64 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 1.28 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 1.14 | 營業收入(百萬元): 303.77 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -4.66 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 8.81 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 8.81 | 營業收入(百萬元): 204.62 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 3.12 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 14.00 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 10.12 | 營業收入(百萬元): 1364.35 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 13.00 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): -577.80 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): -577.80 | 營業收入(百萬元): 1.87 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -579.99 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 126.72 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 122.41 | 營業收入(百萬元): 449.62 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 129.67 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 5.07 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 3.64 | 營業收入(百萬元): 1015.39 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 4.32 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 5.48 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 3.81 | 營業收入(百萬元): 843.52 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 5.34 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 2.00 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 3.41 | 營業收入(百萬元): 875.95 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 3.06 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): -0.50 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): -0.62 | 營業收入(百萬元): 1007.19 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -0.60 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): -91.58 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): -119.28 | 營業收入(百萬元): 42.50 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 10.88 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): -20.55 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): -20.63 | 營業收入(百萬元): 362.74 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -19.26 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): -1.48 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): -2.63 | 營業收入(百萬元): 845.31 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -2.88 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 9.20 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 8.85 | 營業收入(百萬元): 195.98 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 8.47 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 20.61 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 17.07 | 營業收入(百萬元): 2146.59 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 19.93 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): -2354.72 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): -2354.72 | 營業收入(百萬元): 4.14 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -964.64 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 1.28 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 1.14 | 營業收入(百萬元): 303.77 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -4.66 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 8.81 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 8.81 | 營業收入(百萬元): 204.62 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 3.12 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 14.00 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 10.12 | 營業收入(百萬元): 1364.35 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 13.00 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): -577.80 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): -577.80 | 營業收入(百萬元): 1.87 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -579.99 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 126.72 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 122.41 | 營業收入(百萬元): 449.62 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 129.67 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 5.07 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 3.64 | 營業收入(百萬元): 1015.39 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 4.32 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 5.48 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 3.81 | 營業收入(百萬元): 843.52 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 5.34 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): 2.00 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): 3.41 | 營業收入(百萬元): 875.95 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): 3.06 | 出表日期: 108/10/30
年度: 108 | 季別: 2 | 稅前純益率(%)(稅前純益)/(營業收入): -0.50 | 稅後純益率(%)(稅後純益)/(營業收入): -0.62 | 營業收入(百萬元): 1007.19 | 營業利益率(%)(營業利益)/(營業收入): -0.60 | 出表日期: 108/10/30