光罩 @ 政府開放資料
光罩 - 搜尋結果總共有 3137 筆政府開放資料，以下是 1 - 20 [第 1 頁]。
光罩、曝光方法與曝光裝置 | 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I444759 | 專利期間起: 119/12/22 | 專利期間訖: 一種光罩、曝光方法與曝光裝置。光罩包括一基體。基體包括一光罩元件圖案、一第一光罩對位圖案與一第二光罩對位圖案。第一光罩對位圖案與第二光罩對位圖案係位於一第一方向上不同的位置，且係位於一第二方向上相同的... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 智慧手持裝置核心技術攻堅計畫 | 專利發明人: 李維中 | 姚寶順 | 路智強 @ 技術司專利資料集 |
代重要子公司友縳投資(股)公司公告法人董事改派 | 發言日期: 1140801 | 發言時間: 164600 | 公司名稱: 光罩 | 公司代號: 2338 | 事實發生日: 1140801 | 符合條款: 第6款 | 說明: 1.發生變動日期:114/08/01 2.法人名稱:台灣光罩(股)公司 3.舊任者姓名: 董事： 台灣光罩(股)公司 代表人：楊貽婷 台灣光罩(股)公司 代表人：陳立惇 台灣光罩(股)公司 代表人：趙... @ 上市公司每日重大訊息 |
代重要子公司美祿科技(股)公司公告法人董事改派代表人 | 發言日期: 1141222 | 發言時間: 150304 | 公司名稱: 光罩 | 公司代號: 2338 | 事實發生日: 1141222 | 符合條款: 第6款 | 說明: 1.發生變動日期:114/12/22 2.法人名稱:台灣光罩(股)公司 3.舊任者姓名: 董事： 台灣光罩(股)公司 代表人：陳正翔 台灣光罩(股)公司 代表人：曾哲斌 台灣光罩(股)公司 代表人：鍾... @ 上市公司每日重大訊息 |
光源反射式照明裝置 | 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: M269407 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林建憲 | 許修真 | 謝銘郎 @ 技術司專利資料集 |
光源反射式照明裝置 | 核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200410104155.6 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林建憲 | 許沁如 | 謝銘郎 @ 技術司專利資料集 |
光罩可程式化系統單晶片平台計畫 | 公司名稱: 智原科技股份有限公司 | 計畫起訖時間: 93 年 6 月 1 日 至 94 年 8月 31日(共 15 個月) | 計畫總經費: 140000 | 計畫補助款: 45000 | 計畫自籌款: 95000 | 計畫摘要: (一)公司簡介 創立日期： 82年 6月 負責人：曹興誠 實收資本額：(92年) 2,205,817,580仟元公司總人數： 444人 研發人員數： 271人主要營業項目：ASIC產品、委託設計(NR... @ 技術司業界開發產業技術計畫補助計畫 |
形成多晶矽薄膜之方法 | 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I271451 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 96 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 陳昱丞 朱芳村 @ 技術司專利資料集 |
形成多晶矽薄膜之方法 | 核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200510135272.3 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 陳昱丞 朱芳村 @ 技術司專利資料集 |
突破半導體物理極限與鏈結AI世代計畫(3/5) | 主辦機關: 國家科學及技術委員會 | 計畫類別(次類別): 前瞻基礎建設計畫 | 隸屬專案(子專案): 前瞻基礎建設計畫(數位建設) | 年度: 112 | 計畫期程(起): 20210101 | 計畫期程(訖): 20250831 | 年累計實際進度: 99.50% | 年累計預定進度: 100.00% | 年累計預算執行率(%): 98.51% | 年度預算達成率(%): 98.51% | 重要執行成果: 計畫亮點:「1. 完成干涉微影規劃，採用 Talbot lithography 方式進行，模組設計 45 度反射，將 EUV 光源轉為垂直方向進行曝光，檢測用小型光罩放置模組光罩放置處，以距離晶圓 3... @ 政府科技發展計畫清單 |
突破半導體物理極限與鏈結AI世代計畫(3/5) | 主辦機關: 國家科學及技術委員會(本會) | 計畫類別(次類別): 前瞻基礎建設計畫 | 隸屬專案(子專案): 前瞻基礎建設計畫(數位建設) | 年度: 112 | 計畫期程(起): 2021/1/1 | 計畫期程(訖): 2025/8/31 | 年累計實際進度: 99.50% | 年累計預定進度: 100.00% | 年累計預算執行率(%): 98.51% | 年度預算達成率(%): 98.51% | 重要執行成果: 計畫亮點:「1. 完成干涉微影規劃，採用 Talbot lithography 方式進行，模組設計 45 度反射，將 EUV 光源轉為垂直方向進行曝光，檢測用小型光罩放置模組光罩放置處，以距離晶圓 3... @ 政府科技發展計畫清單 |
突破半導體物理極限與鏈結AI世代計畫(3/5) | 主辦機關: 國家科學及技術委員會(本會) | 計畫類別(次類別): 科技發展 | 隸屬專案(子專案): 前瞻基礎建設計畫(數位建設) | 年度: 112 | 計畫期程(起): 20210101 | 計畫期程(訖): 20250831 | 年累計實際進度: 99.50% | 年累計預定進度: 100.00% | 年累計預算執行率(%): 98.51% | 年度預算達成率(%): 98.51% | 重要執行成果: 計畫亮點:「1. 完成干涉微影規劃，採用 Talbot lithography 方式進行，模組設計 45 度反射，將 EUV 光源轉為垂直方向進行曝光，檢測用小型光罩放置模組光罩放置處，以距離晶圓 3... @ 政府科技發展計畫清單 |
突破半導體物理極限與鏈結AI世代計畫(3/5) | 主辦機關: 國家科學及技術委員會 | 計畫類別(次類別): 科技發展 | 隸屬專案(子專案): 前瞻基礎建設計畫(數位建設) | 年度: 112 | 計畫期程(起): 44197 | 計畫期程(訖): 45900 | 年累計實際進度: 99.42 | 年累計預定進度: 100 | 年累計預算執行率(%): 98.51 | 年度預算達成率(%): 98.51 | 重要執行成果: 計畫亮點:「1. 完成干涉微影規劃，採用 Talbot lithography 方式進行，模組設計 45 度反射，將 EUV 光源轉為垂直方向進行曝光，檢測用小型光罩放置模組光罩放置處，以距離晶圓 3... @ 政府科技發展計畫清單 |
突破半導體物理極限與鏈結AI世代計畫(3/5) | 主辦機關: 國家科學及技術委員會 | 計畫類別(次類別): 科技發展 | 隸屬專案(子專案): 前瞻基礎建設計畫(數位建設) | 年度: 112 | 計畫期程(起): 20210101 | 計畫期程(訖): 20250831 | 年累計實際進度: 99.42 | 年累計預定進度: 100 | 年累計預算執行率(%): 98.51 | 年度預算達成率(%): 98.51 | 重要執行成果: 計畫亮點:「1. 完成干涉微影規劃，採用 Talbot lithography 方式進行，模組設計 45 度反射，將 EUV 光源轉為垂直方向進行曝光，檢測用小型光罩放置模組光罩放置處，以距離晶圓 3... @ 政府科技發展計畫清單 |
形成薄膜電晶體元件的方法以及形成薄膜電晶體元件於彩色濾光片上的方法 | 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190648 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑 | 陳志強 | 莊景桑 @ 技術司專利資料集 |
應用在混成式微影製程的光罩圖案的光罩及此製程的對準方法 | 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I338819 | 專利期間起: 100/03/11 | 專利期間訖: 115/06/22 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 @ 技術司專利資料集 |
公告董事會解除經理人競業禁止之限制 | 發言日期: 1140814 | 發言時間: 173154 | 公司名稱: 大宇資 | 公司代號: 6111 | 事實發生日: 1140814 | 符合條款: 第21款 | 說明: 1.董事會決議日:114/08/14 2.許可從事競業行為之經理人姓名及職稱: (a)(二余)俊光/董事長兼投資副總經理 (b)莊仁川/副總經理 (c)林惠貞/副總經理 (d)沈詠萱/協理 (e)陳懿... @ 上櫃公司每日重大訊息 |
高精細金屬精密蝕刻技術 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: OLED用金屬罩規格為具有最小孔距0.03mm與0.225mm×0.070mm開口之超高精細度網罩。 | 潛力預估: 開發出獨特並具有專利智權的Dynode強化場發射照明或顯示系統元件與其相關材料技術，並建立自主之CDT網罩製作技術、OLED熱蒸鍍Metal Mask製作技術、平面顯示器高精度電子增益零件製作技術等... @ 技術司可移轉技術資料集 |
無光罩金屬薄膜製程技術 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Metal Film: 0.3-60 um ‧ Glass/PET/FR-4 / PI / BT ‧ Line Width: < 60~100 um ‧ Line Pitch < 10 um ‧... | 潛力預估: 此技術具有潛力的應用，例如全彩平面顯示器(full color flat display)、薄膜分離 (membrane separation)、電放光元件(electroluminescent de... @ 技術司可移轉技術資料集 |
應用在混成式微影製程的光罩圖案及此製程的對準方法 | 核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,427,459 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 @ 技術司專利資料集 |
應用在混成式微影製程的光罩圖案及此製程的對準方法 | 核准國家: 美國 | 證書號碼: 7427459 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 @ 技術司專利資料集 |
光罩、曝光方法與曝光裝置核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I444759 | 專利期間起: 119/12/22 | 專利期間訖: 一種光罩、曝光方法與曝光裝置。光罩包括一基體。基體包括一光罩元件圖案、一第一光罩對位圖案與一第二光罩對位圖案。第一光罩對位圖案與第二光罩對位圖案係位於一第一方向上不同的位置，且係位於一第二方向上相同的... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 智慧手持裝置核心技術攻堅計畫 | 專利發明人: 李維中 | 姚寶順 | 路智強 @ 技術司專利資料集 |
代重要子公司友縳投資(股)公司公告法人董事改派發言日期: 1140801 | 發言時間: 164600 | 公司名稱: 光罩 | 公司代號: 2338 | 事實發生日: 1140801 | 符合條款: 第6款 | 說明: 1.發生變動日期:114/08/01 2.法人名稱:台灣光罩(股)公司 3.舊任者姓名: 董事： 台灣光罩(股)公司 代表人：楊貽婷 台灣光罩(股)公司 代表人：陳立惇 台灣光罩(股)公司 代表人：趙... @ 上市公司每日重大訊息 |
代重要子公司美祿科技(股)公司公告法人董事改派代表人發言日期: 1141222 | 發言時間: 150304 | 公司名稱: 光罩 | 公司代號: 2338 | 事實發生日: 1141222 | 符合條款: 第6款 | 說明: 1.發生變動日期:114/12/22 2.法人名稱:台灣光罩(股)公司 3.舊任者姓名: 董事： 台灣光罩(股)公司 代表人：陳正翔 台灣光罩(股)公司 代表人：曾哲斌 台灣光罩(股)公司 代表人：鍾... @ 上市公司每日重大訊息 |
光源反射式照明裝置核准國家: 中華民國 | 證書號碼: M269407 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林建憲 | 許修真 | 謝銘郎 @ 技術司專利資料集 |
光源反射式照明裝置核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200410104155.6 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林建憲 | 許沁如 | 謝銘郎 @ 技術司專利資料集 |
光罩可程式化系統單晶片平台計畫公司名稱: 智原科技股份有限公司 | 計畫起訖時間: 93 年 6 月 1 日 至 94 年 8月 31日(共 15 個月) | 計畫總經費: 140000 | 計畫補助款: 45000 | 計畫自籌款: 95000 | 計畫摘要: (一)公司簡介 創立日期： 82年 6月 負責人：曹興誠 實收資本額：(92年) 2,205,817,580仟元公司總人數： 444人 研發人員數： 271人主要營業項目：ASIC產品、委託設計(NR... @ 技術司業界開發產業技術計畫補助計畫 |
形成多晶矽薄膜之方法核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I271451 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 96 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 陳昱丞 朱芳村 @ 技術司專利資料集 |
形成多晶矽薄膜之方法核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200510135272.3 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳宏澤 陳昱丞 朱芳村 @ 技術司專利資料集 |
突破半導體物理極限與鏈結AI世代計畫(3/5)主辦機關: 國家科學及技術委員會 | 計畫類別(次類別): 前瞻基礎建設計畫 | 隸屬專案(子專案): 前瞻基礎建設計畫(數位建設) | 年度: 112 | 計畫期程(起): 20210101 | 計畫期程(訖): 20250831 | 年累計實際進度: 99.50% | 年累計預定進度: 100.00% | 年累計預算執行率(%): 98.51% | 年度預算達成率(%): 98.51% | 重要執行成果: 計畫亮點:「1. 完成干涉微影規劃，採用 Talbot lithography 方式進行，模組設計 45 度反射，將 EUV 光源轉為垂直方向進行曝光，檢測用小型光罩放置模組光罩放置處，以距離晶圓 3... @ 政府科技發展計畫清單 |
突破半導體物理極限與鏈結AI世代計畫(3/5)主辦機關: 國家科學及技術委員會(本會) | 計畫類別(次類別): 前瞻基礎建設計畫 | 隸屬專案(子專案): 前瞻基礎建設計畫(數位建設) | 年度: 112 | 計畫期程(起): 2021/1/1 | 計畫期程(訖): 2025/8/31 | 年累計實際進度: 99.50% | 年累計預定進度: 100.00% | 年累計預算執行率(%): 98.51% | 年度預算達成率(%): 98.51% | 重要執行成果: 計畫亮點:「1. 完成干涉微影規劃，採用 Talbot lithography 方式進行，模組設計 45 度反射，將 EUV 光源轉為垂直方向進行曝光，檢測用小型光罩放置模組光罩放置處，以距離晶圓 3... @ 政府科技發展計畫清單 |
突破半導體物理極限與鏈結AI世代計畫(3/5)主辦機關: 國家科學及技術委員會(本會) | 計畫類別(次類別): 科技發展 | 隸屬專案(子專案): 前瞻基礎建設計畫(數位建設) | 年度: 112 | 計畫期程(起): 20210101 | 計畫期程(訖): 20250831 | 年累計實際進度: 99.50% | 年累計預定進度: 100.00% | 年累計預算執行率(%): 98.51% | 年度預算達成率(%): 98.51% | 重要執行成果: 計畫亮點:「1. 完成干涉微影規劃，採用 Talbot lithography 方式進行，模組設計 45 度反射，將 EUV 光源轉為垂直方向進行曝光，檢測用小型光罩放置模組光罩放置處，以距離晶圓 3... @ 政府科技發展計畫清單 |
突破半導體物理極限與鏈結AI世代計畫(3/5)主辦機關: 國家科學及技術委員會 | 計畫類別(次類別): 科技發展 | 隸屬專案(子專案): 前瞻基礎建設計畫(數位建設) | 年度: 112 | 計畫期程(起): 44197 | 計畫期程(訖): 45900 | 年累計實際進度: 99.42 | 年累計預定進度: 100 | 年累計預算執行率(%): 98.51 | 年度預算達成率(%): 98.51 | 重要執行成果: 計畫亮點:「1. 完成干涉微影規劃，採用 Talbot lithography 方式進行，模組設計 45 度反射，將 EUV 光源轉為垂直方向進行曝光，檢測用小型光罩放置模組光罩放置處，以距離晶圓 3... @ 政府科技發展計畫清單 |
突破半導體物理極限與鏈結AI世代計畫(3/5)主辦機關: 國家科學及技術委員會 | 計畫類別(次類別): 科技發展 | 隸屬專案(子專案): 前瞻基礎建設計畫(數位建設) | 年度: 112 | 計畫期程(起): 20210101 | 計畫期程(訖): 20250831 | 年累計實際進度: 99.42 | 年累計預定進度: 100 | 年累計預算執行率(%): 98.51 | 年度預算達成率(%): 98.51 | 重要執行成果: 計畫亮點:「1. 完成干涉微影規劃，採用 Talbot lithography 方式進行，模組設計 45 度反射，將 EUV 光源轉為垂直方向進行曝光，檢測用小型光罩放置模組光罩放置處，以距離晶圓 3... @ 政府科技發展計畫清單 |
形成薄膜電晶體元件的方法以及形成薄膜電晶體元件於彩色濾光片上的方法核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190648 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑 | 陳志強 | 莊景桑 @ 技術司專利資料集 |
應用在混成式微影製程的光罩圖案的光罩及此製程的對準方法核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I338819 | 專利期間起: 100/03/11 | 專利期間訖: 115/06/22 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 @ 技術司專利資料集 |
公告董事會解除經理人競業禁止之限制發言日期: 1140814 | 發言時間: 173154 | 公司名稱: 大宇資 | 公司代號: 6111 | 事實發生日: 1140814 | 符合條款: 第21款 | 說明: 1.董事會決議日:114/08/14 2.許可從事競業行為之經理人姓名及職稱: (a)(二余)俊光/董事長兼投資副總經理 (b)莊仁川/副總經理 (c)林惠貞/副總經理 (d)沈詠萱/協理 (e)陳懿... @ 上櫃公司每日重大訊息 |
高精細金屬精密蝕刻技術執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: OLED用金屬罩規格為具有最小孔距0.03mm與0.225mm×0.070mm開口之超高精細度網罩。 | 潛力預估: 開發出獨特並具有專利智權的Dynode強化場發射照明或顯示系統元件與其相關材料技術，並建立自主之CDT網罩製作技術、OLED熱蒸鍍Metal Mask製作技術、平面顯示器高精度電子增益零件製作技術等... @ 技術司可移轉技術資料集 |
無光罩金屬薄膜製程技術執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Metal Film: 0.3-60 um ‧ Glass/PET/FR-4 / PI / BT ‧ Line Width: < 60~100 um ‧ Line Pitch < 10 um ‧... | 潛力預估: 此技術具有潛力的應用，例如全彩平面顯示器(full color flat display)、薄膜分離 (membrane separation)、電放光元件(electroluminescent de... @ 技術司可移轉技術資料集 |
應用在混成式微影製程的光罩圖案及此製程的對準方法核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,427,459 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 @ 技術司專利資料集 |
應用在混成式微影製程的光罩圖案及此製程的對準方法核准國家: 美國 | 證書號碼: 7427459 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳維恕 @ 技術司專利資料集 |