測速 @ 政府開放資料

高密度通道光譜影像量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)物方視野: 線型 > 6 mm(2) 物方空間解析度: < 250 mm (3) 光譜解析度: < 3 nm (4) 單次量測光譜範圍(free spectral range): 400 nm | 潛力預估: 台灣的LED設備產能相當充足，但製程良率偏低，且檢測速度遠不及產出率，需求快速光譜檢測新一代技術，本技術可直接針對此需求提供服務。

車流均速計算系統及其車流均速計算方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 先進無線寬頻系統及聯網應用技術計畫 | 專利發明人: 何建興、王巍興、劉培森、陳琨太 | 證書號碼: 發明I497460

智慧視覺控制設計驗證平台

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: ‧檢測物：3C、3K等產業成品或零組件，例如手機蓋瑕疵，如缺件、錯件、混料、極性、色彩檢測及瑕疵檢測等 ‧檢測速率：0.5 秒/物件25個內(手機蓋) ‧檢測重現性：0.2 mm，3 sec/pcs(... | 潛力預估: 3C零組件、觸控螢幕及3K製品產業設備皆有潛在市場

智慧視覺控制設計驗證平台

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: (1)檢測物：3C等產業成品或零組件，例如手機蓋瑕疵，如缺件、錯件、混料、極性、色彩檢測及瑕疵檢測等。(2)檢測速率：0.5 秒/物件20個內。(3)視覺定位速率：0.5 秒。 | 潛力預估: 3C零組件、觸控螢幕及3K金屬製品產業設備皆有潛在市場。

LED多通道檢測技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧自動化系統關鍵技術開發計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 四通道同時檢測LED光強度、發光光譜分佈、峰值發光波長、光譜半高波寬、色度座標、主波長、相關色溫、晶圓缺陷等；LED檢測速度每顆晶粒平均50ms。 | 潛力預估: 近年來固態照明在照明方面的需求持續大幅增加，LEDs的檢測需求亦大幅成長，多通道檢測技術具有降低無塵室面積需求、大幅增進檢測機台效能的功效，具有很大的產業應用潛力。

LED多通道檢測技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧自動化系統關鍵技術開發計畫 | 領域: 製造精進 | 技術規格: 四通道同時檢測LED光強度、發光光譜分佈、峰值發光波長、光譜半高波寬、色度座標、主波長、相關色溫、晶圓缺陷等；LED檢測速度每顆晶粒平均80ms。 | 潛力預估: 近年來固態照明在照明方面的需求持續大幅增加，LEDs的檢測需求亦大幅成長，多通道檢測技術具有降低無塵室面積需求、大幅增進檢測機台效能的功效，具有很大的產業應用潛力。

LED多通道檢測技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧自動化系統關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 四通道同時檢測LED光強度、發光光譜分佈、峰值發光波長、光譜半高波寬、色度座標、主波長、相關色溫、晶圓缺陷等；LED檢測速度每顆晶粒平均100ms。 | 潛力預估: 近年來固態照明在照明方面的需求持續大幅增加，LEDs的檢測需求亦大幅成長，多通道檢測技術具有降低無塵室面積需求、大幅增進檢測機台效能的功效，具有很大的產業應用潛力。

LED多通道檢測技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧自動化系統關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 四通道同時檢測LED光強度、發光光譜分佈、峰值發光波長、光譜半高波寬、色度座標、主波長、相關色溫、晶圓缺陷等；LED檢測速度每顆晶粒平均80ms。 | 潛力預估: 近年來固態照明在照明方面的需求持續大幅增加，LEDs的檢測需求亦大幅成長，多通道檢測技術具有降低無塵室面積需求、大幅增進檢測機台效能的功效，具有很大之產業應用潛力。

平面顯示器陣列圖案瑕疵檢測系統整合應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測物: TFT-LCD陣列圖案、彩色濾光片；檢測速率: 75 M pixel/sec；最小瑕疵: 10μm | 潛力預估: 高速多個CCD攝影機同步取像控制技術；快速瑕疵檢測法則

智慧視覺控制設計驗證平台

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測物：手機蓋瑕疵，如缺件、錯件、混料、極性、色彩檢測及瑕疵檢測等。 ‧檢測速率：0.5秒/物件20個內。 | 潛力預估: 3C零組件、觸控螢幕及太陽能產業製程設備皆有潛在市場。

白光干涉表徵顯微技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 干涉物鏡倍率：10X， 20X， 50X； 量測視野範圍：0.1x0.1 ~ 1.5x1.5mm2； 量測縱向範圍：100μm (optional: ~400μm， 5mm)； 量測縱向解析度：0.... | 潛力預估: 可應用至微加工、微型化與微機電市場，提供未來產業高規格之量測工具

平面顯示器瑕疵檢測系統整合應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 檢測物： TFT-LCD彩色濾光片、素玻璃 2. 元件大小： 680 mm X 880 mm 3. 檢測速率： 15000 mm2／秒 4. 最小瑕疵： 20μm | 潛力預估: 技術應用領域可擴大至LCD其他元件的瑕疵檢測

平面顯示器陣列圖案瑕疵檢測系統整合應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測物: TFT-LCD陣列圖案、彩色濾光片、素玻璃_x000D_；檢測速率: 80 M pixel/sec ；最小瑕疵: 5μm。 | 潛力預估: 可擴大至LCD其他元件的瑕疵檢測。

智慧視覺回饋與控制技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: | 技術規格: ‧檢測物：手機蓋瑕疵，如缺件、錯件、混料、極性、色彩檢測及瑕疵檢測等。 ‧檢測速率：0.5秒/物件20個內。 | 潛力預估: 3C零組件、觸控螢幕及太陽能產業製程設備皆有潛在市場。

高速取像與檢測整合應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧檢測物: TFT-LCD陣列圖案、彩色濾光片、PCB ‧檢測速率: 180M pixel/sec ‧最小瑕疵: 5μm | 潛力預估: 小尺寸LCD及太陽能產業製程設備皆有潛在市場。

高速檢測應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧檢測物：TFT-LCD陣列圖案、彩色濾光片、PCB ‧檢測速率：260M pixel/sec ‧最小瑕疵：5μm | 潛力預估: 小尺寸LCD、觸控螢幕及太陽能產業製程設備皆有潛在市場。

高速檢測應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧檢測物：TFT-LCD陣列圖案、彩色濾光片、PCB ‧檢測速率：260M pixel/sec ‧最小瑕疵：5μm | 潛力預估: 小尺寸LCD、觸控螢幕及太陽能產業製程設備皆有潛在市場。

微循環血流測速儀之校正裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院生醫中心 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 黃坤灝、謝志輝、林康平、游本松、董玉平 | 證書號碼: ZL01145296.X

Roll to Roll線上缺陷檢測整合技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測寬度：300 mm -連續檢測速率：6 m/min -缺陷檢測解析度：1 μm -高度檢測解析度：10 nm -高度檢測速率：2.5 sec/point -檢測高度範圍：＜100 μm | 潛力預估: 預估未來3~5年捲對捲製程將逐漸成熟

非接觸材料阻抗量測技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ?阻抗量測範圍：0.5~200 Ω/□ ?量測變異數：CV (Coefficient of Variation) ≦3% ?量測精度：Accuracy≦±5% ?量測速度：≦30 mSec ?同時量測... | 潛力預估: 國內自主開發之非接觸阻抗量測技術，可協助半導體製程、導電膜電鍍或金屬鍍膜研拋製程之檢測，改善傳統接觸量測造成樣品損傷，及量測速度緩慢的缺點。真空內之量測應用正在開發中，未來可應用於真空內鍍膜製程之品檢...