波長鎖定器製作技術
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技術名稱-中文波長鎖定器製作技術的執行單位是工研院光電所, 產出年度是93, 計畫名稱是光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫, 技術規格是‧ Channel Spacing : 50 or 100 GHz ‧ Center Wavelength : ITU grid (1520nm~1570nm) ‧ Wavelength stability vs Temperature(0 ~ 70 ℃) : ±0.010nm ‧ Operatio..., 潛力預估是未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時，此元件將為不可或缺之關鍵元件。.

序號	56
產出年度	93
技術名稱-中文	波長鎖定器製作技術
執行單位	工研院光電所
產出單位	(空)
計畫名稱	光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	隨著光通訊技術往多波長發展，波長的穩定度成為重要的因素，而一般雷射隨著操作溫度的變化與本身材質的老化，會有波長漂移的問題。波長鎖定器能將波長準確鎖定在百分之一奈米的準確度，可以克服雷射波長漂移的問題，穩定雷射的輸出波長。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	‧ Channel Spacing : 50 or 100 GHz ‧ Center Wavelength : ITU grid (1520nm~1570nm) ‧ Wavelength stability vs Temperature(0 ~ 70 ℃) : ±0.010nm ‧ Operation Temperature : 0 ~ 70 ℃ ‧ Reliability test：85℃高溫測試>250 hours，-40℃~85℃溫度循環 >250 hours
技術成熟度	產品規格已與JDSU同步，並可於0 ~ 70 ℃間，完全在規格內穩定工作，已通過250小時85℃高溫測試與-40℃~85℃溫度循環測試，產品熟極度極高。
可應用範圍	可用於DWDM、Laser source、transceiver、光波長量測、折射率量測等需穩定鎖定波長的系統或元件。
潛力預估	未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時，此元件將為不可或缺之關鍵元件。
聯絡人員	張弘文
電話	03-5918018
傳真	03-5833190
電子信箱	hwchang@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	具備電子電路設計經驗、光纖基本原理與應用技術及光電量測能力廠商為佳。
需具備之專業人才	光電相關背景

序號

產出年度

技術名稱-中文

波長鎖定器製作技術

執行單位

工研院光電所

產出單位

(空)

計畫名稱

光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

隨著光通訊技術往多波長發展，波長的穩定度成為重要的因素，而一般雷射隨著操作溫度的變化與本身材質的老化，會有波長漂移的問題。波長鎖定器能將波長準確鎖定在百分之一奈米的準確度，可以克服雷射波長漂移的問題，穩定雷射的輸出波長。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

‧ Channel Spacing : 50 or 100 GHz ‧ Center Wavelength : ITU grid (1520nm~1570nm) ‧ Wavelength stability vs Temperature(0 ~ 70 ℃) : ±0.010nm ‧ Operation Temperature : 0 ~ 70 ℃ ‧ Reliability test：85℃高溫測試>250 hours，-40℃~85℃溫度循環 >250 hours

技術成熟度

產品規格已與JDSU同步，並可於0 ~ 70 ℃間，完全在規格內穩定工作，已通過250小時85℃高溫測試與-40℃~85℃溫度循環測試，產品熟極度極高。

可應用範圍

可用於DWDM、Laser source、transceiver、光波長量測、折射率量測等需穩定鎖定波長的系統或元件。

潛力預估

未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時，此元件將為不可或缺之關鍵元件。

聯絡人員

張弘文

電話

03-5918018

傳真

03-5833190

電子信箱

hwchang@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

具備電子電路設計經驗、光纖基本原理與應用技術及光電量測能力廠商為佳。

需具備之專業人才

光電相關背景

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高速光傳接模組技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧1.25Gigabit Ethernet Transceiver：單模/Output Power>-11dBm.Sensitivity-10dBm.Sensitivity-8dBm.Sensitiv... \| 潛力預估: 將可與國際模組廠商作技術競爭並符合國際系統廠商規格同時將參與國際光通訊規格制定。 @ 技術司可移轉技術資料集
高速光電元件技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 符合2.5Gigabit Ethernet要求。 ‧ 符合Bellcore 468元件環測要求。 \| 潛力預估: 因應將來FTTX時機的到來，會對LD與PIN的市場需求量大增，故應提昇培養技術成熟度與量產的技巧，以符合未來市場或技轉的要求。 @ 技術司可移轉技術資料集
摻鉺光纖放大器製作技術 (Erbium-Doped Fiber Amplifier Assembling Technology)	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: *‧ Operation Wavelength:1530~1560nm. ‧ Input Power:-20dBm16chs. ‧ Gain:>22Db. ‧ Gain Stability: \| 潛力預估: 將開發寬頻光放大器及小型化技術以增加放大頻寬，強化光放大器產業，支援關鍵性技術開發，以發展Metro/Access網路環境技術。** @ 技術司可移轉技術資料集
微光機電技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 1x2/2x2 MEMS Switch Insertion Loss:0.8dB max. Switching time \| 潛力預估: 具高精密、批量生產及低成本之優勢，為未來製程發展之趨勢。 @ 技術司可移轉技術資料集
高速光發射、接收次模組封裝技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ Low cost TO-Can Package ‧ Uncooled 1310nm DFB TOSA ‧ 10km transmission ‧ SC/LC receptacle package ... \| 潛力預估: 由於TO-Can 封裝為國內光通訊光電元件封裝技術中最成熟之技術，本技術若結合廠商生產能力，將可大幅降低10Gb/s光電元件封裝製作成本。 @ 技術司可移轉技術資料集
平面光波導對準封裝技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ Single Fiber/Fiber Array Block (FAB) to Waveguide Alignment ‧ Automatic Search and Optimization ‧ ... \| 潛力預估: 本技術可快速且精準的完成耦光對準及填膠固化，並可通過環境測試，極具市場潛力。 @ 技術司可移轉技術資料集
高功率Pump雷射耦合器	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ Center Wavelength : 1480nm ‧ Center Wavelength Range : ±40nm ‧ Insertion Loss : 55dB ‧ Directivity... \| 潛力預估: 未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時，此元件將為不可或缺之關鍵元件。 @ 技術司可移轉技術資料集
光纖陣列接頭製作及測試技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Fiber Array Block ‧ FAB Pitch Accuracy ≦ ±0.5 mm ‧ FAB Height Accuracy ≦ ±0.5 mm ‧ Fiber Number: 1, ... \| 潛力預估: 以多芯束光纖輸出之光通訊元件封裝為未來趨勢，而光纖陣列接頭為其主要原件，具有不可取代之地位。 @ 技術司可移轉技術資料集

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高導電導線技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% \| 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場接受性高
半穿透/反射式液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: 可取代現行2-gap技術
半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap \| 潛力預估: 可取代現行2-gap技術
LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: none \| 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT...
LTPS光罩Reduction技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 \| 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接...
輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。
具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 \| 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用
軟性液晶顯示器連續式製程開發	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板寬度>30cm \| 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術
直接沈積多晶矽製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 \| 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞，又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引...
20" 奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Size:20” 均勻度 \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分，現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...
CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度 \| 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本，背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力，與現有CCFL...
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole \| 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源，可先期驗證新材料之適用性，取代目前材料受限於單一廠商之獨占性，協助新技術中關鍵材料之驗證，以取得未來技術蓬勃發展時之商機。
OTFT device development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: None \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，如開發完成，未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。
OTFT OLED development	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage \| 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術，可用於塑膠等軟性基板上，並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質，預期有互補性且製程相通，開發完成後，可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm \| 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化，增加市場競爭力