技術名稱-中文GFP-Based Ethernet over SDH測試技術的執行單位是工研院電通所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院通訊與光電領域環境建構計畫, 技術規格是ITU-T G.7041 155.52 Mbps GFP 功能測試驗證流程, 潛力預估是以目前的都會網路架構而言，利用NG SDH提供Multi-service Transport是最經濟快速的做法，IDC 更預測2008年時NG SDH based MSPP 之產值將達到約$3.5 Billion USD。國內部分都會接取光通訊廠商也相繼投入此相關領域的研發投資如榮群、仲琦、星通等.
| 序號 | 222 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | GFP-Based Ethernet over SDH測試技術 |
| 執行單位 | 工研院電通所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 提供NG SDH based MSPP核心驗證技術，協助國內在MSPP此仍屬新興的光通訊研發領域能與國際齊驅，並促使國內光通訊產業朝向局端設備核心技術發展。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | ITU-T G.7041 155.52 Mbps GFP 功能測試驗證流程 |
| 技術成熟度 | 測試技術成熟 |
| 可應用範圍 | NG SDH based MSPP (Multi-Service Provisioning Platforms)功能驗測 |
| 潛力預估 | 以目前的都會網路架構而言，利用NG SDH提供Multi-service Transport是最經濟快速的做法，IDC 更預測2008年時NG SDH based MSPP 之產值將達到約$3.5 Billion USD。國內部分都會接取光通訊廠商也相繼投入此相關領域的研發投資如榮群、仲琦、星通等 |
| 聯絡人員 | 張大郎 |
| 電話 | 03-5914615 |
| 傳真 | 03-5820240 |
| 電子信箱 | talo@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.ccl.itri.org.tw |
| 所須軟硬體設備 | SDH Testest、NG SDH Testset、Smartbits、Optical Power Meter、Optical Spectrum Analyzer |
| 需具備之專業人才 | 熟悉 SDH 及 NG SDH 技術相關人士 |
序號222 |
產出年度93 |
技術名稱-中文GFP-Based Ethernet over SDH測試技術 |
執行單位工研院電通所 |
產出單位(空) |
計畫名稱工研院通訊與光電領域環境建構計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文提供NG SDH based MSPP核心驗證技術，協助國內在MSPP此仍屬新興的光通訊研發領域能與國際齊驅，並促使國內光通訊產業朝向局端設備核心技術發展。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格ITU-T G.7041 155.52 Mbps GFP 功能測試驗證流程 |
技術成熟度測試技術成熟 |
可應用範圍NG SDH based MSPP (Multi-Service Provisioning Platforms)功能驗測 |
潛力預估以目前的都會網路架構而言，利用NG SDH提供Multi-service Transport是最經濟快速的做法，IDC 更預測2008年時NG SDH based MSPP 之產值將達到約$3.5 Billion USD。國內部分都會接取光通訊廠商也相繼投入此相關領域的研發投資如榮群、仲琦、星通等 |
聯絡人員張大郎 |
電話03-5914615 |
傳真03-5820240 |
電子信箱talo@itri.org.tw |
參考網址http://www.ccl.itri.org.tw |
所須軟硬體設備SDH Testest、NG SDH Testset、Smartbits、Optical Power Meter、Optical Spectrum Analyzer |
需具備之專業人才熟悉 SDH 及 NG SDH 技術相關人士 |
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(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5914615 ...) | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Link Management Protocol:_x000D_IETF Draft(draft-ietf-ccamp-lmp-03.txt).OSPF-TE:IETF Draft(draft-iet... | 潛力預估: GMPLS為目前光通訊領域最重要的通訊協定，其訓令(signaling)涵蓋範圍包括 Packet、Time Slot、Wavelength 與 Fiber四種不同階層。目前我們已建立GMPLS相關通... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Low Order VC Virtual Concatenatio | 潛力預估: 非常有潛力 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: NG SDH STM-1/4塞取多工平台 | 潛力預估: 非常有潛力 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 多波道WDM訊號量測, OSNR監視模組可量動態範圍約5~35dB，誤差值在0.5dB以內。 | 潛力預估: 本技術可用來協助國內 光通訊系統廠商, 測試儀器廠及建立”光通道性能監控量測模組”或運用於光通量測儀器設計, 並可協助元件廠商提昇光元件檢測的品質指標。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 符合 Telcordia 標準
Physical、Framing、Synchronous、Jitter及SDH OAM等 功能測試驗證流程 | 潛力預估: 提供國內相關都會接取光通訊產業功能/效能驗測服務，以提昇光通訊產品品質 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2.5 Gbps CDR (Clock Data Recovery) 的Locking Time 及 Jitter | 潛力預估: PON技術在目前全球FTTx寬頻服務推動下成為最新熱門技術之一，IDC 估計2008年時，相關產值約可達到$2.4 Billion USD。國內部分都會接取光通訊廠商也相繼投入此相關領域的研發投資如... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1,Net-SNMP -5.0 2, Linux Kernel 2.4 based on GPL(General Public License) License. | 潛力預估: 能成功應用於網路的各種設備之嵌入式作業系統，可技轉給國內多家廠商，技術掌握度高，可以提高產品的附加價值。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Burst locking time : 40 ns_x000D_； Burst setting time : 40 ns | 潛力預估: 能成功應用於PON網路系統，可技轉給國內多家廠商，技術掌握度高，可以提高產品的附加價值。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Link Management Protocol:_x000D_IETF Draft(draft-ietf-ccamp-lmp-03.txt).OSPF-TE:IETF Draft(draft-iet... | 潛力預估: GMPLS為目前光通訊領域最重要的通訊協定，其訓令(signaling)涵蓋範圍包括 Packet、Time Slot、Wavelength 與 Fiber四種不同階層。目前我們已建立GMPLS相關通... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Low Order VC Virtual Concatenatio | 潛力預估: 非常有潛力 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: NG SDH STM-1/4塞取多工平台 | 潛力預估: 非常有潛力 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 多波道WDM訊號量測, OSNR監視模組可量動態範圍約5~35dB，誤差值在0.5dB以內。 | 潛力預估: 本技術可用來協助國內 光通訊系統廠商, 測試儀器廠及建立”光通道性能監控量測模組”或運用於光通量測儀器設計, 並可協助元件廠商提昇光元件檢測的品質指標。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 符合 Telcordia 標準
Physical、Framing、Synchronous、Jitter及SDH OAM等 功能測試驗證流程 | 潛力預估: 提供國內相關都會接取光通訊產業功能/效能驗測服務，以提昇光通訊產品品質 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2.5 Gbps CDR (Clock Data Recovery) 的Locking Time 及 Jitter | 潛力預估: PON技術在目前全球FTTx寬頻服務推動下成為最新熱門技術之一，IDC 估計2008年時，相關產值約可達到$2.4 Billion USD。國內部分都會接取光通訊廠商也相繼投入此相關領域的研發投資如... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻有線通訊系統技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1,Net-SNMP -5.0 2, Linux Kernel 2.4 based on GPL(General Public License) License. | 潛力預估: 能成功應用於網路的各種設備之嵌入式作業系統，可技轉給國內多家廠商，技術掌握度高，可以提高產品的附加價值。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Burst locking time : 40 ns_x000D_； Burst setting time : 40 ns | 潛力預估: 能成功應用於PON網路系統，可技轉給國內多家廠商，技術掌握度高，可以提高產品的附加價值。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Process | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number：640 x 3 x480 .Pixel pitch：90 um x 120 um .Aperture ratio： 30% .Brightness：> 30... | 潛力預估: 軟體設備：LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備：雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Process | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number：640 x 3 x480 .Pixel pitch：90 um x 120 um .Aperture ratio： 30% .Brightness：> 30... | 潛力預估: 軟體設備：LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備：雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用 |
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