技術名稱-中文活性碳指示劑製程應用技術的執行單位是中科院化學所, 產出年度是93, 計畫名稱是功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫, 技術規格是指示劑PH變色範圍:3.0 ~ 4.6, 潛力預估是半導體製程所排放之蝕刻氣體中主要為廢酸,以此作為過濾槽穿透功能驗證之市場需求很大.
序號 | 588 |
產出年度 | 93 |
技術名稱-中文 | 活性碳指示劑製程應用技術 |
執行單位 | 中科院化學所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 執行半導體蝕刻製程廢酸氣體過濾槽失效變色指示劑之製程應用技術開發,已達雛型階段,並完成功能測試驗證 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 指示劑PH變色範圍:3.0 ~ 4.6 |
技術成熟度 | 雛型 |
可應用範圍 | 廢酸氣體過濾槽吸收達飽和穿透時能即時變色,顯示過濾槽之更新要求 |
潛力預估 | 半導體製程所排放之蝕刻氣體中主要為廢酸,以此作為過濾槽穿透功能驗證之市場需求很大 |
聯絡人員 | 林孝瑞 |
電話 | (03)4458087 |
傳真 | (03)4719940 |
電子信箱 | lcc36@tsrp.org.tw |
參考網址 | (空) |
所須軟硬體設備 | 分子篩、浸染技術、化學分析儀具 |
需具備之專業人才 | 化學、化工 |
序號588 |
產出年度93 |
技術名稱-中文活性碳指示劑製程應用技術 |
執行單位中科院化學所 |
產出單位(空) |
計畫名稱功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文執行半導體蝕刻製程廢酸氣體過濾槽失效變色指示劑之製程應用技術開發,已達雛型階段,並完成功能測試驗證 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格指示劑PH變色範圍:3.0 ~ 4.6 |
技術成熟度雛型 |
可應用範圍廢酸氣體過濾槽吸收達飽和穿透時能即時變色,顯示過濾槽之更新要求 |
潛力預估半導體製程所排放之蝕刻氣體中主要為廢酸,以此作為過濾槽穿透功能驗證之市場需求很大 |
聯絡人員林孝瑞 |
電話(03)4458087 |
傳真(03)4719940 |
電子信箱lcc36@tsrp.org.tw |
參考網址(空) |
所須軟硬體設備分子篩、浸染技術、化學分析儀具 |
需具備之專業人才化學、化工 |
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| 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依製程進行各項氣體之定量校正曲線;建立現廠分析裝備之佈線及檢測參數;建立半導體乾式蝕刻製程相關氣體分析鑑測及功能驗證技術。 | 潛力預估: 由於半導體廠或一般化工廠之排放氣體需符合環保規範,此項分析監測技術既可定量檢測排放氣體;進而可執行其吸附濾槽之功能驗證,作為濾材配方調配之指標。可同時推廣至檢測單位、半導體廠、一般化工廠、及吸附濾材廠... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依製程進行各項氣體之定量校正曲線;建立現廠分析裝備之佈線及檢測參數;建立半導體乾式蝕刻製程相關氣體分析鑑測及功能驗證技術。 | 潛力預估: 由於半導體廠或一般化工廠之排放氣體需符合環保規範,此項分析監測技術既可定量檢測排放氣體;進而可執行其吸附濾槽之功能驗證,作為濾材配方調配之指標。可同時推廣至檢測單位、半導體廠、一般化工廠、及吸附濾材廠... @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米;厚度可達500微米;平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場,極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率:5GHz~6GHz,頻寬:100MHz~150MHz,插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路,通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上,現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2%。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元,並創造產值約5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l) | 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術,可創造年產值新台幣1.5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量,銅模速冷至批量10公斤,粉化粒度至次微米 | 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸,價格競優勢弱,磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結,結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 下電極為TFT生產設備中重要之零組件,需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性,並需能耐酸之腐蝕,以往下電極板表層僅以陽極處理,使用壽命僅有三個月,文獻顯示,若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁,壽命... | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4吋,純度3N,密度>90% | 潛力預估: 隨著新型記憶體之開發磁阻材料及靶材越形重要 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 透光率75%以上 | 潛力預估: PDP抗電磁波濾板 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可辨識夾雜物種類、尺寸(可達1mm)及含量 | 潛力預估: 為發展高清淨鋁合金於薄壁材、感光鼓、半導體設備等高附加價值應用所必需 |
| 執行單位: 工研院生醫中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 肝病及氣喘中草藥新藥開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 300種中藥材ITS鑑定序列資料庫 | 潛力預估: 業界已逐漸接受以DNA鑑定藥材的技術,已以非專屬授權給相關廠商,並對外提供技術服務。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector
(Al>17%) cutoff wavelength < 320nm
responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米;厚度可達500微米;平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場,極具市場潛力 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率:5GHz~6GHz,頻寬:100MHz~150MHz,插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路,通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上,現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2%。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元,並創造產值約5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l) | 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術,可創造年產值新台幣1.5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量,銅模速冷至批量10公斤,粉化粒度至次微米 | 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸,價格競優勢弱,磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結,結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 下電極為TFT生產設備中重要之零組件,需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性,並需能耐酸之腐蝕,以往下電極板表層僅以陽極處理,使用壽命僅有三個月,文獻顯示,若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁,壽命... | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4吋,純度3N,密度>90% | 潛力預估: 隨著新型記憶體之開發磁阻材料及靶材越形重要 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 透光率75%以上 | 潛力預估: PDP抗電磁波濾板 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可辨識夾雜物種類、尺寸(可達1mm)及含量 | 潛力預估: 為發展高清淨鋁合金於薄壁材、感光鼓、半導體設備等高附加價值應用所必需 |
執行單位: 工研院生醫中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 肝病及氣喘中草藥新藥開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 300種中藥材ITS鑑定序列資料庫 | 潛力預估: 業界已逐漸接受以DNA鑑定藥材的技術,已以非專屬授權給相關廠商,並對外提供技術服務。 |
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