技術名稱-中文多光域頻率選擇性技術的執行單位是中科院化學所, 產出年度是94, 計畫名稱是關鍵元件材料開發及應用四年計畫, 技術規格是複合光學濾片包括電磁波屏蔽及近紅外線吸收兩項功能，電磁波屏蔽效果需符合CISPR規格B等級， T（全光域）＞ 60%，近紅外線吸收效果需符合T 800-1000nm≦10﹪(T 950nm ≦5 ﹪)，複合光學濾片尚需符合60℃，95RH﹪，500hr耐老化之測試要求 。, 潛力預估是透明之光波與微波協效研究之應用範圍頗為廣泛，近年來在民生與國防應用上需求驟增，為一亟具開發價值之科技，值得吾人投入更多的人力及資源，作長期的開發研究計畫。.
| 序號 | 813 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 多光域頻率選擇性技術 |
| 執行單位 | 中科院化學所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 本技術為跨領域合作計畫，結合光學、電磁學、微機電、奈米技術、模擬與高分子材料與加工技術，在光學與電磁學上運用及組合四種型態之濾波技術:high pass filter(只允許高於某一頻率之電磁波通過) 、 low pass filter (只允許低於某一頻率之電磁波通過) 、 band pass filter (只允許特定頻率範圍之電磁波通過) 及 band stop filter (不允許特定頻率範圍之電磁波通過) ，將上述兩種以上之功能性filter協效複合阻抗匹配，即構成特用寬頻頻率選擇性光波與微波協效濾波技術。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 複合光學濾片包括電磁波屏蔽及近紅外線吸收兩項功能，電磁波屏蔽效果需符合CISPR規格B等級， T（全光域）＞ 60%，近紅外線吸收效果需符合T 800-1000nm≦10﹪(T 950nm ≦5 ﹪)，複合光學濾片尚需符合60℃，95RH﹪，500hr耐老化之測試要求 。 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 相關技術可應用於電漿平面顯示器用光學濾片、儀器EMI抑制視窗、電磁波屏蔽視窗、兼具電磁波屏蔽省能玻璃帷幕、企業無線上網安全保密透明貼片、軍事指揮所防EMI及EMP之視窗等民生及國防用途。 |
| 潛力預估 | 透明之光波與微波協效研究之應用範圍頗為廣泛，近年來在民生與國防應用上需求驟增，為一亟具開發價值之科技，值得吾人投入更多的人力及資源，作長期的開發研究計畫。 |
| 聯絡人員 | 江孟丹 |
| 電話 | 03-4458313 |
| 傳真 | 03-4719940 |
| 電子信箱 | (空) |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 軟體設備：結構分析軟體 |
| 需具備之專業人才 | 硬體設備：濺鍍、熱蒸鍍設備、微電鑄設備、微影影設備、奈米研磨及分散設備、塗佈設備、熱壓設備及電磁波量測設備 |
序號813 |
產出年度94 |
技術名稱-中文多光域頻率選擇性技術 |
執行單位中科院化學所 |
產出單位(空) |
計畫名稱關鍵元件材料開發及應用四年計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文本技術為跨領域合作計畫，結合光學、電磁學、微機電、奈米技術、模擬與高分子材料與加工技術，在光學與電磁學上運用及組合四種型態之濾波技術:high pass filter(只允許高於某一頻率之電磁波通過) 、 low pass filter (只允許低於某一頻率之電磁波通過) 、 band pass filter (只允許特定頻率範圍之電磁波通過) 及 band stop filter (不允許特定頻率範圍之電磁波通過) ，將上述兩種以上之功能性filter協效複合阻抗匹配，即構成特用寬頻頻率選擇性光波與微波協效濾波技術。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格複合光學濾片包括電磁波屏蔽及近紅外線吸收兩項功能，電磁波屏蔽效果需符合CISPR規格B等級， T（全光域）＞ 60%，近紅外線吸收效果需符合T 800-1000nm≦10﹪(T 950nm ≦5 ﹪)，複合光學濾片尚需符合60℃，95RH﹪，500hr耐老化之測試要求 。 |
技術成熟度雛型 |
可應用範圍相關技術可應用於電漿平面顯示器用光學濾片、儀器EMI抑制視窗、電磁波屏蔽視窗、兼具電磁波屏蔽省能玻璃帷幕、企業無線上網安全保密透明貼片、軍事指揮所防EMI及EMP之視窗等民生及國防用途。 |
潛力預估透明之光波與微波協效研究之應用範圍頗為廣泛，近年來在民生與國防應用上需求驟增，為一亟具開發價值之科技，值得吾人投入更多的人力及資源，作長期的開發研究計畫。 |
聯絡人員江孟丹 |
電話03-4458313 |
傳真03-4719940 |
電子信箱(空) |
參考網址(空) |
所須軟硬體設備軟體設備：結構分析軟體 |
需具備之專業人才硬體設備：濺鍍、熱蒸鍍設備、微電鑄設備、微影影設備、奈米研磨及分散設備、塗佈設備、熱壓設備及電磁波量測設備 |
| 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本計畫所開發氟碳(CF)的電漿聚合疏水薄膜，其薄膜厚度可控制在1nm~2μm，薄膜接觸角>105°，薄膜與PMMA基材百格黏著力測試達5B(100/100)，摩擦係數 | 潛力預估: 本技術可建立光學塑膠或玻璃基材表面疏水薄膜關鍵技術之自主性，提昇產品附加價值及產業競爭力，進而創造有利市場商機。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本計畫所開發氟碳(CF)的電漿聚合疏水薄膜，其薄膜厚度可控制在1nm~2μm，薄膜接觸角>105°，薄膜與PMMA基材百格黏著力測試達5B(100/100)，摩擦係數 | 潛力預估: 本技術可建立光學塑膠或玻璃基材表面疏水薄膜關鍵技術之自主性，提昇產品附加價值及產業競爭力，進而創造有利市場商機。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米彈性材料之性能提昇 Green Strength增加逾200% (聚氨基甲酸酯彈性阻斷材料逾50%)，阻水阻氣性提昇逾40%，耐磨性能提昇逾50%、抗撕裂強度提昇逾50%。 | 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料，具環境阻斷與抗輻射之優點，可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。 |
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層材料具UV輻射穿透率改善200％，IR輻射穿透率改善85％，阻水阻氣性提昇逾50%，耐磨性能提昇逾60%、基材附著強度提昇逾100%。 | 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料，具環境阻斷與抗輻射之優點，可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 流量12cis，壓力3000psi | 潛力預估: 可搶攻高級閥件市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻導航系統市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 通過AMS-STD-2219銲接X-RAY之A級檢驗要求 | 潛力預估: 可搶攻國際航太工業，極具市場淺力 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 鍛造件幾何精度須達到幾何公差.15mm，須通過AMS 4079C 機械性能及超音波MIL- STD–2154 Class AA檢驗規範 | 潛力預估: 可搶攻航太工業及核電工程結構零組件市場 |
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.迴授精度線性：± 0.5%。2.機械行程：50 ± 2 Degrees。3.電氣行程：45±2 Degrees。4..操作電壓：18 ~ 32V。5.標準操作電壓值：24V。6.無載速度：130 ... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
| 執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里採彈射及滑行起飛等需求規格設計 | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
| 執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 最大尺寸25×15×15公分、重量約3公斤震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1儲存溫度：-55 ~ +85℃操作環境：-40 ~ +55℃；+70℃至少30分鐘可靠度 MT... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: １．符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術，傳輸率1Mbits/S。２．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。３．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會 |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格 ＊輸出入端折返損耗:＞15dB＊介入損耗:＜0.5 Db | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊頻段:S-頻段 ＊增益:＞15dB ＊P1dB:＞16dBm ＊N.F:＜2dB | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Format : 320X256
Pitch : 30um
RoA > 1.E5Ohm-cm2
漏電流 < 1nA (負偏壓250mV)
接合良率 > 99.9%
操作率 > 99% | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米彈性材料之性能提昇 Green Strength增加逾200% (聚氨基甲酸酯彈性阻斷材料逾50%)，阻水阻氣性提昇逾40%，耐磨性能提昇逾50%、抗撕裂強度提昇逾50%。 | 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料，具環境阻斷與抗輻射之優點，可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層材料具UV輻射穿透率改善200％，IR輻射穿透率改善85％，阻水阻氣性提昇逾50%，耐磨性能提昇逾60%、基材附著強度提昇逾100%。 | 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料，具環境阻斷與抗輻射之優點，可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 流量12cis，壓力3000psi | 潛力預估: 可搶攻高級閥件市場，極具市場潛力 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻導航系統市場，極具市場潛力 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 通過AMS-STD-2219銲接X-RAY之A級檢驗要求 | 潛力預估: 可搶攻國際航太工業，極具市場淺力 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 鍛造件幾何精度須達到幾何公差.15mm，須通過AMS 4079C 機械性能及超音波MIL- STD–2154 Class AA檢驗規範 | 潛力預估: 可搶攻航太工業及核電工程結構零組件市場 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.迴授精度線性：± 0.5%。2.機械行程：50 ± 2 Degrees。3.電氣行程：45±2 Degrees。4..操作電壓：18 ~ 32V。5.標準操作電壓值：24V。6.無載速度：130 ... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里採彈射及滑行起飛等需求規格設計 | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 最大尺寸25×15×15公分、重量約3公斤震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1儲存溫度：-55 ~ +85℃操作環境：-40 ~ +55℃；+70℃至少30分鐘可靠度 MT... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: １．符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術，傳輸率1Mbits/S。２．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。３．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會 |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格 ＊輸出入端折返損耗:＞15dB＊介入損耗:＜0.5 Db | 潛力預估: |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊頻段:S-頻段 ＊增益:＞15dB ＊P1dB:＞16dBm ＊N.F:＜2dB | 潛力預估: |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB | 潛力預估: |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB | 潛力預估: |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Format : 320X256
Pitch : 30um
RoA > 1.E5Ohm-cm2
漏電流 < 1nA (負偏壓250mV)
接合良率 > 99.9%
操作率 > 99% | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
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