奈米及生物礦材開發
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技術名稱-中文奈米及生物礦材開發的執行單位是生技中心, 產出年度是94, 計畫名稱是環保生技產品與技術研發四年計畫, 技術規格是以乳酸基質批式饋料系統發酵回收分離程序,磁礦石產率達23.1 mg/l/day;磁礦石粒徑介於40~100nm。, 潛力預估是建立自動控制磁礦石菌發酵系統、磁礦石回收分離程序及環境調控參數,可作為工業化的操作資訊;建立壬基苯酚半抗原合成及修飾技術,作為未來發展應用抗體接合磁礦石所衍生出的環境污染物偵測用檢驗試劑。.

序號820
產出年度94
技術名稱-中文奈米及生物礦材開發
執行單位生技中心
產出單位(空)
計畫名稱環保生技產品與技術研發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文(1)建立bench-scale自動控制磁礦石菌發酵系統、磁礦石回收分離程序及環境調控參數。(2)建立壬基苯酚半抗原合成及修飾技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格以乳酸基質批式饋料系統發酵回收分離程序,磁礦石產率達23.1 mg/l/day;磁礦石粒徑介於40~100nm。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍環境污染物如烷基苯酚聚乙烯醇類代謝產物(如如:壬基苯酚及辛基苯酚)、陰離子型界面活性劑等之檢測,應用產業包括:化石業、清潔劑工業放流水檢測,及海洋深層水、養殖用水、有機農業用水等水質檢測等。
潛力預估建立自動控制磁礦石菌發酵系統、磁礦石回收分離程序及環境調控參數,可作為工業化的操作資訊;建立壬基苯酚半抗原合成及修飾技術,作為未來發展應用抗體接合磁礦石所衍生出的環境污染物偵測用檢驗試劑。
聯絡人員高瑄伻
電話(02)2695-6933轉1503
傳真(02)2695-8463
電子信箱gabon@mail.dcb.org.tw
參考網址http://www.dcb.org.tw
所須軟硬體設備自動回饋發酵槽系統、細胞破碎機、高速離心機及磁性物質回收儀
需具備之專業人才奈米技術,環境工程,生物技術。

序號

820

產出年度

94

技術名稱-中文

奈米及生物礦材開發

執行單位

生技中心

產出單位

(空)

計畫名稱

環保生技產品與技術研發四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

(1)建立bench-scale自動控制磁礦石菌發酵系統、磁礦石回收分離程序及環境調控參數。(2)建立壬基苯酚半抗原合成及修飾技術。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

以乳酸基質批式饋料系統發酵回收分離程序,磁礦石產率達23.1 mg/l/day;磁礦石粒徑介於40~100nm。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

環境污染物如烷基苯酚聚乙烯醇類代謝產物(如如:壬基苯酚及辛基苯酚)、陰離子型界面活性劑等之檢測,應用產業包括:化石業、清潔劑工業放流水檢測,及海洋深層水、養殖用水、有機農業用水等水質檢測等。

潛力預估

建立自動控制磁礦石菌發酵系統、磁礦石回收分離程序及環境調控參數,可作為工業化的操作資訊;建立壬基苯酚半抗原合成及修飾技術,作為未來發展應用抗體接合磁礦石所衍生出的環境污染物偵測用檢驗試劑。

聯絡人員

高瑄伻

電話

(02)2695-6933轉1503

傳真

(02)2695-8463

電子信箱

gabon@mail.dcb.org.tw

參考網址

http://www.dcb.org.tw

所須軟硬體設備

自動回饋發酵槽系統、細胞破碎機、高速離心機及磁性物質回收儀

需具備之專業人才

奈米技術,環境工程,生物技術。

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工業酵素暨高價值輔酶NADH再生技術開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 甲醛脫氫酵素之比活性達120 U/mg,Km(NAD)為1.75 mM,Km(甲醛)為1.71 mM,每分鐘轉換率(turn over rate)為3百萬次。 | 潛力預估: 目前尚在實驗室設計階段

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工業酵素暨高價值輔酶

執行單位: NADH再生技術開發 | 產出年度: 94 | 產出單位: 生技中心 | 計畫名稱: | 領域: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 技術規格: | 潛力預估: 化工產業氧化還原反應系統,生物燃料電池開發,NADH生產系統

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有機磷/氨基甲酸鹽農藥偵測用生物微感測器

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 5分鐘內完成農藥濃度測量;偵測極限達10ppb;感測器主機重量 | 潛力預估: 廠商預估光農藥生物微感測器與測試片市場一項,台灣地區的年銷售總潛力便高達6億元以上。且隨著全球性市場的開拓,預估至2010年年銷售額可達13.8億元。

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廢水中奈米顆粒生物處理技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 粉狀及液態均可。 | 潛力預估: 環保工程業及混凝劑銷售商可進行應用及技術擴散。

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剝膜顯影廢水生物處理

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 提昇剝膜顯影廢水整體COD去除率10 ~ 15%。 | 潛力預估: 環保工程業及混凝劑銷售商可進行應用及技術擴散。

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水處理用生物監測與調控技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 偵測時程小於24小時,可適用於TCE污染濃度介於100 ppm 至50 ppb的濃度範圍。 | 潛力預估: 可以增加50%的處理效能

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金屬胜肽奈米生產技術開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1mg胜肽可生產0.107mg銀棒 | 潛力預估: 生產一種全新及廣用的奈米材料

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重金屬生物反應器

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1mg胜?可生產0.93 mg銀棒 | 潛力預估: 美國重金屬生物製劑市場2002年約為三千萬美元

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工業酵素暨高價值輔酶NADH再生技術開發

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工業酵素暨高價值輔酶

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有機磷/氨基甲酸鹽農藥偵測用生物微感測器

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 5分鐘內完成農藥濃度測量;偵測極限達10ppb;感測器主機重量 | 潛力預估: 廠商預估光農藥生物微感測器與測試片市場一項,台灣地區的年銷售總潛力便高達6億元以上。且隨著全球性市場的開拓,預估至2010年年銷售額可達13.8億元。

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剝膜顯影廢水生物處理

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 提昇剝膜顯影廢水整體COD去除率10 ~ 15%。 | 潛力預估: 環保工程業及混凝劑銷售商可進行應用及技術擴散。

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水處理用生物監測與調控技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 偵測時程小於24小時,可適用於TCE污染濃度介於100 ppm 至50 ppb的濃度範圍。 | 潛力預估: 可以增加50%的處理效能

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金屬胜肽奈米生產技術開發

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1mg胜肽可生產0.107mg銀棒 | 潛力預估: 生產一種全新及廣用的奈米材料

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重金屬生物反應器

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1mg胜?可生產0.93 mg銀棒 | 潛力預估: 美國重金屬生物製劑市場2002年約為三千萬美元

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抑鈣沉澱黃豆胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜?平均鏈長3-4之間,蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 以國人鈣缺乏量(僅建議量1g/d之一半)補充計算,每年需補充4140噸之鈣當量,以鈣:抑鈣沉澱胜太以1:1之比率計算,每年就有4140噸之抑鈣沉澱胜太之需求潛力。

脂質代謝調整胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長6-7之間,蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 減重食品市場150億,飼料添加物市場80-90億。

肉類胜太替代用黃豆胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長2-3之間,蛋白質含量25-30%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 調味料相關產業產值105億。

4.1吋半穿透/反射LCD 設計與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 120:1(穿透)、30:1(反射)視角:穿透模式 ─ 左右100度,上下80度反應速度:25 ms | 潛力預估: 本計畫克服傳統半穿透半反射式顯示器中穿透區與反射區間液晶間隙的限制,且能同時達到最大之光效率。 並結合畫素電極的改造,及新型省電驅動法的技術,以達到高對比、 高亮度、 視角廣及省電之最佳效果

3-Gamma 電壓驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System,極具應用潛力

3-Gamma 電流驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Process | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number:640 x 3 x480 .Pixel pitch:90 um x 120 um .Aperture ratio: 30% .Brightness:> 30... | 潛力預估: 軟體設備:LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備:雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用,應用於各相關技術產品

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場潛力

20”UXGA LTPS with Integrated Driver 設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值,具市場潛力

4"主動式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢,相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大,CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點,而主動式FED技術更是考量省電,快速反...

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

高導電導線技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number: 320 x 3 x240 Resolution:QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容,可迅速導入量產,且適用於各類顯示器產品,市場 接受性高

抑鈣沉澱黃豆胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜?平均鏈長3-4之間,蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 以國人鈣缺乏量(僅建議量1g/d之一半)補充計算,每年需補充4140噸之鈣當量,以鈣:抑鈣沉澱胜太以1:1之比率計算,每年就有4140噸之抑鈣沉澱胜太之需求潛力。

脂質代謝調整胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長6-7之間,蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 減重食品市場150億,飼料添加物市場80-90億。

肉類胜太替代用黃豆胜太製造技術

執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長2-3之間,蛋白質含量25-30%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 調味料相關產業產值105億。

4.1吋半穿透/反射LCD 設計與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 120:1(穿透)、30:1(反射)視角:穿透模式 ─ 左右100度,上下80度反應速度:25 ms | 潛力預估: 本計畫克服傳統半穿透半反射式顯示器中穿透區與反射區間液晶間隙的限制,且能同時達到最大之光效率。 並結合畫素電極的改造,及新型省電驅動法的技術,以達到高對比、 高亮度、 視角廣及省電之最佳效果

3-Gamma 電壓驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System,極具應用潛力

3-Gamma 電流驅動設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Process | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number:640 x 3 x480 .Pixel pitch:90 um x 120 um .Aperture ratio: 30% .Brightness:> 30... | 潛力預估: 軟體設備:LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備:雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用,應用於各相關技術產品

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場,極具市場潛力

20”UXGA LTPS with Integrated Driver 設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值,具市場潛力

4"主動式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢,相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大,CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點,而主動式FED技術更是考量省電,快速反...

4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術,並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力,目前相關平面光源技術較少,量產之背光技術有CCFL、W-LED等

LTPS TFT Display相關電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環,但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點,本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電,在終端設備功能越區...

高導電導線技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number: 320 x 3 x240 Resolution:QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容,可迅速導入量產,且適用於各類顯示器產品,市場 接受性高

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