無線短距離超寬頻傳輸技術(DS-UWB)
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文無線短距離超寬頻傳輸技術(DS-UWB)的執行單位是工研院電通所, 產出年度是94, 計畫名稱是無線通訊技術發展五年計畫, 技術規格是Physical Layer Baseband Rx/Tx design:Based on IEEE 802.15.3a physical layer proposal for DS-UWB、Data rate support : 28/55/110Mbps_x000D_、FEC: rate = 1..., 潛力預估是建立Wireless Personal Area Network (WPAN, ex. IEEE 802.15.3a)演算法核心之設計技術能力與能量,並引導國內廠商投入WPAN系統設計技術之研發,創造高價值之產業。建立Wireless Personal Area Network (WPAN, ex.....

序號1338
產出年度94
技術名稱-中文無線短距離超寬頻傳輸技術(DS-UWB)
執行單位工研院電通所
產出單位(空)
計畫名稱無線通訊技術發展五年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文提供下世代高速無線個人網路系統技術並掌握關鍵智財,有效提高相關無線通訊產品之競爭力,並加速我國無線通訊產業之升級。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Physical Layer Baseband Rx/Tx design:Based on IEEE 802.15.3a physical layer proposal for DS-UWB、Data rate support : 28/55/110Mbps_x000D_、FEC: rate = 1/2, K = 6、Spreading code length = 24/12/6_x000D_、Modulation : BPSK (mandatory)、Operating band : lower band, 3.1GHz ~ 4.85 GHz、Supported piconet channels: 1~4 (mandatory)_x000D_、Chip rate = 1.313 ~ 1.352 Gcps_x000D_、Center frequency = 3.939 ~ 4.056 GHz_x000D_。MAC Layer design:完成符合IEEE 802.15.3規格之MAC軟體控制機制高階設計、進行符合IEEE 802.15.3規格之MAC軟體控制機制細部設計_x000D_、Radio Channel Access、Power Management_x000D_、Quality of Service、Support MAC Layer maximum 110Mbps transmission based on physical layer design
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍WUSB, IEEE1394
潛力預估建立Wireless Personal Area Network (WPAN, ex. IEEE 802.15.3a)演算法核心之設計技術能力與能量,並引導國內廠商投入WPAN系統設計技術之研發,創造高價值之產業。建立Wireless Personal Area Network (WPAN, ex. IEEE 802.15.3a)基頻核心IPs及其驗證平台之設計技術,有效提高相關無線通訊產品之競爭力,並加速我國無線通訊產業之升級。
聯絡人員吳駿寬
電話03-5914666
傳真03-5820240
電子信箱tomwu88@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.jsp
所須軟硬體設備PC
需具備之專業人才無線通訊業者尤佳、或有意往無線通訊之業者、學校。
同步更新日期2024-09-03

序號

1338

產出年度

94

技術名稱-中文

無線短距離超寬頻傳輸技術(DS-UWB)

執行單位

工研院電通所

產出單位

(空)

計畫名稱

無線通訊技術發展五年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

提供下世代高速無線個人網路系統技術並掌握關鍵智財,有效提高相關無線通訊產品之競爭力,並加速我國無線通訊產業之升級。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

Physical Layer Baseband Rx/Tx design:Based on IEEE 802.15.3a physical layer proposal for DS-UWB、Data rate support : 28/55/110Mbps_x000D_、FEC: rate = 1/2, K = 6、Spreading code length = 24/12/6_x000D_、Modulation : BPSK (mandatory)、Operating band : lower band, 3.1GHz ~ 4.85 GHz、Supported piconet channels: 1~4 (mandatory)_x000D_、Chip rate = 1.313 ~ 1.352 Gcps_x000D_、Center frequency = 3.939 ~ 4.056 GHz_x000D_。MAC Layer design:完成符合IEEE 802.15.3規格之MAC軟體控制機制高階設計、進行符合IEEE 802.15.3規格之MAC軟體控制機制細部設計_x000D_、Radio Channel Access、Power Management_x000D_、Quality of Service、Support MAC Layer maximum 110Mbps transmission based on physical layer design

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

WUSB, IEEE1394

潛力預估

建立Wireless Personal Area Network (WPAN, ex. IEEE 802.15.3a)演算法核心之設計技術能力與能量,並引導國內廠商投入WPAN系統設計技術之研發,創造高價值之產業。建立Wireless Personal Area Network (WPAN, ex. IEEE 802.15.3a)基頻核心IPs及其驗證平台之設計技術,有效提高相關無線通訊產品之競爭力,並加速我國無線通訊產業之升級。

聯絡人員

吳駿寬

電話

03-5914666

傳真

03-5820240

電子信箱

tomwu88@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/select.jsp

所須軟硬體設備

PC

需具備之專業人才

無線通訊業者尤佳、或有意往無線通訊之業者、學校。

同步更新日期

2024-09-03

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WCDMA Base-band Common IP

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合3GPP R4規格之硬體演算法設計技術、完成符合3GPP R4規格之測試驗證平台技術、進行符合3GPP R5規格之硬體演算法先期研究 | 潛力預估: 掌握自有IP, 引導國內公司投入WCDMA行動絡終端晶片設計研發, 促進國內3G晶片設計廠商投資。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

WCDMA RF Transceiver IC

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Current consumption of 27.5mA, 45mA-89mA and 30mA in Rx, Tx and Sx chip. 2. A max. gain of 94.5dB... | 潛力預估: 增進對第三代WCDMA手機系統關鍵零件的掌握,促進國內3G晶片設計廠投資。

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WCDMA IP Verification Platform

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: Porting資策會開發之WCDMA R4 L2/L3 Protocol於CCL ARM target board、整合WCDMA R4 L2/L3 Protocol+L1 Software+第一版符... | 潛力預估: 建立Layer 1 軟體與上層protocol軟體整合驗證之技術、建立TTCN Test Cases 開發之技術

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Miniaturized RF Module

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 使用16層LTCC為基板,尺寸為25x25mm2 2. 符合IEEE 802.11a RF電路規格 3. 符合 GPRS電路規格 4.模組內埋帶通濾波器,非平衡至平衡轉換器,電感,電容以及傳輸線... | 潛力預估: 雛型

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Dual-mode Four-Band PA Module

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 包含GPRS與WLAN系統之單一功率放大器模組 2.自行新開發之2.4GHz GaAs HBT PA MMIC 3.利用LTCC內埋元件技術縮小功率放大器模組的尺寸 4.完成之模組整體體積為14... | 潛力預估: WLAN及雙模終端應用及市場快速成長,亦相當適合我國產業切入,本技術將加強無線終端設備的小型化產品競爭力,大幅提高市場接受度。

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行動網際網路系統

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: IETF RFC2002 (Internet Engineering Task Force)、Mobile IP (Mobile Internet Protocol ) | 潛力預估: 使用者IP Address可沿用原本地網路之IP Address、在離開原網路時,毋需改變系統設定_x000D_、Low per-packet overhead

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第三代行動通訊Layer 2&3 Protocol技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合3GPP Release 99基本功能要求。Ability to Transmit 384 kbps High Speed Data while Moving(Internet, video, m... | 潛力預估: 本研發案建立系統技術與protocal自主能力,可以衍生新的工作平台及新的應用服務。

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藍芽技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: Technology:RF 2.4GHz FHSS。Size:20mm * 12mm * 0.98mm_x000D_。Substrate:16 green sheet_x000D_。Buried co... | 潛力預估: 此技術採用NS - LTCC製程技術之Bluetooth Module

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WCDMA Base-band Common IP

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合3GPP R4規格之硬體演算法設計技術、完成符合3GPP R4規格之測試驗證平台技術、進行符合3GPP R5規格之硬體演算法先期研究 | 潛力預估: 掌握自有IP, 引導國內公司投入WCDMA行動絡終端晶片設計研發, 促進國內3G晶片設計廠商投資。

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WCDMA RF Transceiver IC

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Current consumption of 27.5mA, 45mA-89mA and 30mA in Rx, Tx and Sx chip. 2. A max. gain of 94.5dB... | 潛力預估: 增進對第三代WCDMA手機系統關鍵零件的掌握,促進國內3G晶片設計廠投資。

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WCDMA IP Verification Platform

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: Porting資策會開發之WCDMA R4 L2/L3 Protocol於CCL ARM target board、整合WCDMA R4 L2/L3 Protocol+L1 Software+第一版符... | 潛力預估: 建立Layer 1 軟體與上層protocol軟體整合驗證之技術、建立TTCN Test Cases 開發之技術

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Miniaturized RF Module

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 使用16層LTCC為基板,尺寸為25x25mm2 2. 符合IEEE 802.11a RF電路規格 3. 符合 GPRS電路規格 4.模組內埋帶通濾波器,非平衡至平衡轉換器,電感,電容以及傳輸線... | 潛力預估: 雛型

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Dual-mode Four-Band PA Module

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 包含GPRS與WLAN系統之單一功率放大器模組 2.自行新開發之2.4GHz GaAs HBT PA MMIC 3.利用LTCC內埋元件技術縮小功率放大器模組的尺寸 4.完成之模組整體體積為14... | 潛力預估: WLAN及雙模終端應用及市場快速成長,亦相當適合我國產業切入,本技術將加強無線終端設備的小型化產品競爭力,大幅提高市場接受度。

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行動網際網路系統

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: IETF RFC2002 (Internet Engineering Task Force)、Mobile IP (Mobile Internet Protocol ) | 潛力預估: 使用者IP Address可沿用原本地網路之IP Address、在離開原網路時,毋需改變系統設定_x000D_、Low per-packet overhead

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第三代行動通訊Layer 2&3 Protocol技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合3GPP Release 99基本功能要求。Ability to Transmit 384 kbps High Speed Data while Moving(Internet, video, m... | 潛力預估: 本研發案建立系統技術與protocal自主能力,可以衍生新的工作平台及新的應用服務。

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藍芽技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: Technology:RF 2.4GHz FHSS。Size:20mm * 12mm * 0.98mm_x000D_。Substrate:16 green sheet_x000D_。Buried co... | 潛力預估: 此技術採用NS - LTCC製程技術之Bluetooth Module

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導電複合材料開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微晶一次粒徑:<50 nm;Surface Resistivity:~200 /□。 | 潛力預估: 導電複材導電性佳,可塗佈於絕緣體上,主要成份為銀/鎳、銀/鋁、銀/銅等混合金為主,產品單價從每公斤數萬台幣至十幾萬台幣不等,屬高單價產品,年需求量保守估計也在十萬公噸以上(且逐年增加),惟目前大部份仍...

半導體製程有害氣體過濾器研製技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依製程進行各項氣體之定量校正曲線;建立現廠分析裝備之佈線及檢測參數;建立半導體乾式蝕刻製程相關氣體分析鑑測及功能驗證技術。 | 潛力預估: 由於半導體廠或一般化工廠之排放氣體需符合環保規範,此項分析監測技術既可定量檢測排放氣體;進而可執行其吸附濾槽之功能驗證,作為濾材配方調配之指標。可同時推廣至檢測單位、半導體廠、一般化工廠、及吸附濾材廠...

藍色磷光材料FIrpic及新紅色磷光材料CSPHR1技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 昇華後之成品純度>99%。 | 潛力預估: 磷光OLED材料因發光效率高,未來具有強大商機,昇華純化設備可應用在多種OLED材料之純化製程。

聚苯基乙烯系電激發光化學品(Phenyl PPV)合成技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 聚苯基乙烯電激發光化學品:OC1C10-PPV﹐Phenyl PPVs、terPhenyl PPVs,產品分子量(Mw)≧105 Daltons,發光波長(max) 500~590 nm,發光顏色... | 潛力預估: 除可應用於手機、PDA、數位相機、車用面板等平面顯示器民生用途產品外,亦可應用於及軍用可撓式攜帶型電子地圖、頭盔顯示器、軍用通訊器材及相關儀表面板等國防應用。

酸性TiO2 Anatase溶膠應用技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜空氣中有機物分解能力:乙酸丁酯分解能力0.1~1.0μg/min.×W ×cm2;鍍膜品質:1.附?性:膠帶實驗不脫落;2.硬度≧H;3.耐刮力≧100g。 | 潛力預估: 約新台幣30億元/年。

電激光液晶混成溶膠技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 聚合物分散液晶薄膜中之液晶微粒大小~1μm,電子窗簾元件具有控制透明度之功能,經電場on-off形成之光線穿透率差ΔT(Ton-Toff)>30%,耐用性>10,000 cycle。 | 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年。

光敏材料應用技術開發之建立

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: CdSe光敏材料粒徑:2~6nm。 | 潛力預估: LED、生物標籤及太陽能電池市場產值持續成長中。

77GHz防撞雷達研發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: Target detection range : 3m~200m˙Range Resolution : ±1m˙Relative Velocity : 150Km/Hr±1.5Km/Hr˙Failur... | 潛力預估: 根據Frost & Sullivan預測2005年歐洲市場之銷售量將可達22.6萬輛、市場規模約為4,944萬歐元,較2001年的96萬歐元大幅成長了50倍以上。根據IMS的估計,2003年日本適應...

汽車用前/後乘客座氣囊袋技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.氣囊袋容積:100 ~ 120 公升。2. 75 -- 210單尼薄型Nylon布。3. 0.1mm TPU薄型高分子膜。 | 潛力預估: 原料為現有商品,無缺貨之虞。每年可製作數萬枚。

防側/後撞空氣囊裝置開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 充填氣體溫度:<200℃。防側撞空氣囊裝置:充氣時間<30msec,維持壓力時間>5sec,氣囊袋容積10-12公升。後座防撞空氣囊裝置:充氣時間<60msec,氣囊袋容積100-120公升。 | 潛力預估: 2010年啟美國與歐洲將立法要求加裝防側撞之防護裝置,簾幕型空氣囊系統預估每年有數千萬組之市場需求。中/高級車將以具有後座乘客防護空氣囊系統為訴求,預估每年需求量達數百萬組。

先進充氣模組開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 氣囊袋維持充氣狀態時間>5 sec。噴嘴耐壓>2000 psi,短期耐溫>2000℃。 | 潛力預估: 全球每年數萬組。

產品安全可靠度鑑測技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 本項技術為一品質保證技術,重點在於KNOW-HOW,並無技術規格可資描述。 | 潛力預估: 經濟部於93年8月5日所召開的「第二季促進投資擴大招商推動會議」,亦指示工業局提出「壯大汽車零組件產業發展策略」─預期 2008 年台灣的汽車零組件產業產值可達新台幣3784億元,其中電子零組件可達...

電腦模擬技術在方向盤Body Block試驗之應用

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 模擬結果與試驗比對,趨勢須一致,關鍵數值誤差在10%以內。 | 潛力預估: 承受衝擊環境之產品設計皆可使用此技術。

MB-OFDM UWB V1.0 Matlab baseband simulation platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform;Group A,B,C,D,E bands... | 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場,極具市場淺力

MB-OFDM UWB V1.0 ADS RF and baseband co-simulation platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform;Group A,B,C,D,E bands... | 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場,極具市場淺力

導電複合材料開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微晶一次粒徑:<50 nm;Surface Resistivity:~200 /□。 | 潛力預估: 導電複材導電性佳,可塗佈於絕緣體上,主要成份為銀/鎳、銀/鋁、銀/銅等混合金為主,產品單價從每公斤數萬台幣至十幾萬台幣不等,屬高單價產品,年需求量保守估計也在十萬公噸以上(且逐年增加),惟目前大部份仍...

半導體製程有害氣體過濾器研製技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依製程進行各項氣體之定量校正曲線;建立現廠分析裝備之佈線及檢測參數;建立半導體乾式蝕刻製程相關氣體分析鑑測及功能驗證技術。 | 潛力預估: 由於半導體廠或一般化工廠之排放氣體需符合環保規範,此項分析監測技術既可定量檢測排放氣體;進而可執行其吸附濾槽之功能驗證,作為濾材配方調配之指標。可同時推廣至檢測單位、半導體廠、一般化工廠、及吸附濾材廠...

藍色磷光材料FIrpic及新紅色磷光材料CSPHR1技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 昇華後之成品純度>99%。 | 潛力預估: 磷光OLED材料因發光效率高,未來具有強大商機,昇華純化設備可應用在多種OLED材料之純化製程。

聚苯基乙烯系電激發光化學品(Phenyl PPV)合成技術

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 聚苯基乙烯電激發光化學品:OC1C10-PPV﹐Phenyl PPVs、terPhenyl PPVs,產品分子量(Mw)≧105 Daltons,發光波長(max) 500~590 nm,發光顏色... | 潛力預估: 除可應用於手機、PDA、數位相機、車用面板等平面顯示器民生用途產品外,亦可應用於及軍用可撓式攜帶型電子地圖、頭盔顯示器、軍用通訊器材及相關儀表面板等國防應用。

酸性TiO2 Anatase溶膠應用技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜空氣中有機物分解能力:乙酸丁酯分解能力0.1~1.0μg/min.×W ×cm2;鍍膜品質:1.附?性:膠帶實驗不脫落;2.硬度≧H;3.耐刮力≧100g。 | 潛力預估: 約新台幣30億元/年。

電激光液晶混成溶膠技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 聚合物分散液晶薄膜中之液晶微粒大小~1μm,電子窗簾元件具有控制透明度之功能,經電場on-off形成之光線穿透率差ΔT(Ton-Toff)>30%,耐用性>10,000 cycle。 | 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年。

光敏材料應用技術開發之建立

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: CdSe光敏材料粒徑:2~6nm。 | 潛力預估: LED、生物標籤及太陽能電池市場產值持續成長中。

77GHz防撞雷達研發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: Target detection range : 3m~200m˙Range Resolution : ±1m˙Relative Velocity : 150Km/Hr±1.5Km/Hr˙Failur... | 潛力預估: 根據Frost & Sullivan預測2005年歐洲市場之銷售量將可達22.6萬輛、市場規模約為4,944萬歐元,較2001年的96萬歐元大幅成長了50倍以上。根據IMS的估計,2003年日本適應...

汽車用前/後乘客座氣囊袋技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.氣囊袋容積:100 ~ 120 公升。2. 75 -- 210單尼薄型Nylon布。3. 0.1mm TPU薄型高分子膜。 | 潛力預估: 原料為現有商品,無缺貨之虞。每年可製作數萬枚。

防側/後撞空氣囊裝置開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 充填氣體溫度:<200℃。防側撞空氣囊裝置:充氣時間<30msec,維持壓力時間>5sec,氣囊袋容積10-12公升。後座防撞空氣囊裝置:充氣時間<60msec,氣囊袋容積100-120公升。 | 潛力預估: 2010年啟美國與歐洲將立法要求加裝防側撞之防護裝置,簾幕型空氣囊系統預估每年有數千萬組之市場需求。中/高級車將以具有後座乘客防護空氣囊系統為訴求,預估每年需求量達數百萬組。

先進充氣模組開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 氣囊袋維持充氣狀態時間>5 sec。噴嘴耐壓>2000 psi,短期耐溫>2000℃。 | 潛力預估: 全球每年數萬組。

產品安全可靠度鑑測技術開發

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 本項技術為一品質保證技術,重點在於KNOW-HOW,並無技術規格可資描述。 | 潛力預估: 經濟部於93年8月5日所召開的「第二季促進投資擴大招商推動會議」,亦指示工業局提出「壯大汽車零組件產業發展策略」─預期 2008 年台灣的汽車零組件產業產值可達新台幣3784億元,其中電子零組件可達...

電腦模擬技術在方向盤Body Block試驗之應用

執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 模擬結果與試驗比對,趨勢須一致,關鍵數值誤差在10%以內。 | 潛力預估: 承受衝擊環境之產品設計皆可使用此技術。

MB-OFDM UWB V1.0 Matlab baseband simulation platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform;Group A,B,C,D,E bands... | 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場,極具市場淺力

MB-OFDM UWB V1.0 ADS RF and baseband co-simulation platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform;Group A,B,C,D,E bands... | 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場,極具市場淺力

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