電漿鍍膜應用技術
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文電漿鍍膜應用技術的執行單位是工研院機械所, 產出年度是95, 計畫名稱是機械與系統領域環境建構計畫, 技術規格是抗反射氮化矽膜；鍍率：20-45nm/min.；均勻度：±5%。, 潛力預估是太陽電池生產關鍵設備技術；可轉應用於微晶矽薄膜沉積。.
| 序號 | 1541 |
| 產出年度 | 95 |
| 技術名稱-中文 | 電漿鍍膜應用技術 |
| 執行單位 | 工研院機械所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 機械與系統領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 開發完成電容平板式與線形中空陰極管式電漿源,應用於電漿輔助化學沉積設備,可完成太陽電池鍍抗反射膜製程連續式生產。平板式大面積電漿源與遠距式線形高密度電漿源；連續式高速鍍膜。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 抗反射氮化矽膜；鍍率：20-45nm/min.；均勻度：±5%。 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 太陽電池鍍膜；半導體鍍膜；FPD鍍膜；光學鏡片與模具鍍膜。 |
| 潛力預估 | 太陽電池生產關鍵設備技術；可轉應用於微晶矽薄膜沉積。 |
| 聯絡人員 | 董福慶 |
| 電話 | 03-5916489 |
| 傳真 | 03-5826584 |
| 電子信箱 | fctung@itri.org.tw |
| 參考網址 | 無 |
| 所須軟硬體設備 | IPC 控制軟體與PECVD設備。 |
| 需具備之專業人才 | 機械、材料或化工背景。 |
| 同步更新日期 | 2024-09-03 |
序號1541 |
產出年度95 |
技術名稱-中文電漿鍍膜應用技術 |
執行單位工研院機械所 |
產出單位(空) |
計畫名稱機械與系統領域環境建構計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文開發完成電容平板式與線形中空陰極管式電漿源,應用於電漿輔助化學沉積設備,可完成太陽電池鍍抗反射膜製程連續式生產。平板式大面積電漿源與遠距式線形高密度電漿源；連續式高速鍍膜。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格抗反射氮化矽膜；鍍率：20-45nm/min.；均勻度：±5%。 |
技術成熟度試量產 |
可應用範圍太陽電池鍍膜；半導體鍍膜；FPD鍍膜；光學鏡片與模具鍍膜。 |
潛力預估太陽電池生產關鍵設備技術；可轉應用於微晶矽薄膜沉積。 |
聯絡人員董福慶 |
電話03-5916489 |
傳真03-5826584 |
電子信箱fctung@itri.org.tw |
參考網址無 |
所須軟硬體設備IPC 控制軟體與PECVD設備。 |
需具備之專業人才機械、材料或化工背景。 |
同步更新日期2024-09-03 |
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(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5916489 ...) | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸: 620*750 mm (I.e. 第3.5代LCD面板尺寸) | 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (I.E. 第5代LCD面板尺寸), 等相關技術應用 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸: 620*750 mm (第3.5代LCD面板尺寸), 光阻去除速率>3μm, 製程溫度：300℃或低於 | 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (第5代LCD面板尺寸), 高速大面積電漿蝕刻、灰化等相關技術應用 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射氮化矽膜；鍍率：20-45nm/min.；均勻度：±5%/100mm×100mm | 潛力預估: 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜沉積。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射層氮化矽膜、中空陰極遠距式電漿源，電漿源有效長度≧500 mm、鍍膜速率20-52 nm/min、成膜均勻度≦10%/125mm×125mm | 潛力預估: 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；FPD非晶矽沉積。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射氮化矽膜；鍍率：20-45nm/min.；均勻度：±5%/100mm×100mm；電漿源有效長度：710 mm、Si薄膜沉積 | 潛力預估: 開發RF/ VHF/ MW高密度電漿源，提高鍍膜沉積速率。增加產能，節省成本 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3(專利申請) 長線形遠距式射頻波電漿源：≧720 mm，電漿密度1010cm-3(已獲專利) 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1... | 潛力預估: 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；FPD非晶矽沉積 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3 長線形遠距式射頻波電漿源：≧750 mm，電漿密度1010cm-3 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1011cm-3 面形遠距... | 潛力預估: 太陽電池雙層抗反射層與背電場反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；HIT非晶矽薄膜沉積；FPD非晶矽沉積；LED電漿蝕刻。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3 長線形遠距式射頻波電漿源：≧750 mm，電漿密度1010cm-3 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1011cm-3 面... | 潛力預估: 太陽電池雙層抗反射層與背電場反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；HIT非晶矽薄膜沉積；FPD非晶矽沉積；LED電漿蝕刻。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸: 620*750 mm (I.e. 第3.5代LCD面板尺寸) | 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (I.E. 第5代LCD面板尺寸), 等相關技術應用 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 基板尺寸: 620*750 mm (第3.5代LCD面板尺寸), 光阻去除速率>3μm, 製程溫度：300℃或低於 | 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (第5代LCD面板尺寸), 高速大面積電漿蝕刻、灰化等相關技術應用 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射氮化矽膜；鍍率：20-45nm/min.；均勻度：±5%/100mm×100mm | 潛力預估: 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜沉積。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射層氮化矽膜、中空陰極遠距式電漿源，電漿源有效長度≧500 mm、鍍膜速率20-52 nm/min、成膜均勻度≦10%/125mm×125mm | 潛力預估: 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；FPD非晶矽沉積。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 抗反射氮化矽膜；鍍率：20-45nm/min.；均勻度：±5%/100mm×100mm；電漿源有效長度：710 mm、Si薄膜沉積 | 潛力預估: 開發RF/ VHF/ MW高密度電漿源，提高鍍膜沉積速率。增加產能，節省成本 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3(專利申請) 長線形遠距式射頻波電漿源：≧720 mm，電漿密度1010cm-3(已獲專利) 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1... | 潛力預估: 太陽電池抗反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；FPD非晶矽沉積 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3 長線形遠距式射頻波電漿源：≧750 mm，電漿密度1010cm-3 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1011cm-3 面形遠距... | 潛力預估: 太陽電池雙層抗反射層與背電場反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；HIT非晶矽薄膜沉積；FPD非晶矽沉積；LED電漿蝕刻。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: | 技術規格: 電容耦合平板式電漿源:G3.5，電漿密度109cm-3 長線形遠距式射頻波電漿源：≧750 mm，電漿密度1010cm-3 長線形遠距式微波電漿源：≦2000 mm，電漿密度1011cm-3 面... | 潛力預估: 太陽電池雙層抗反射層與背電場反射層生產關鍵設備技術；可轉應用於非晶與微晶矽薄膜太陽電池沉積；HIT非晶矽薄膜沉積；FPD非晶矽沉積；LED電漿蝕刻。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 須符合軍規組裝測試 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 需通過APM2穿甲彈槍擊驗證 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 助合作廠商全面接單，產品合格率85%以上。 | 潛力預估: 高鐵、捷運構建之消耗性替換材料 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整複材雷殼成品胚件加工及檢測技術能量。試製複材雷殼通過功能驗證。 | 潛力預估: 各式高壓容器，例如FRP儲氫氣瓶、家用或車用瓦斯桶、潛水人員之水肺等 |
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 完成天線平台複材元件鍍層及進行組裝測試，其品質滿足電訊要求、密著性、耐候性試驗、熱激循環試驗等要求。 | 潛力預估: 各式輕質複材導波零件研發，包括天線反射器、天文望遠鏡等 |
| 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 須通過20機砲砲擊驗證 | 潛力預估: 96-121年：每年產值為3億元 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 電壓：24+-2V，功率：100~250W | 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 電壓：24+-2V，功率：100~250W | 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 可量產製作,規格可依使用用途及設計不同彈性開發應用. | 潛力預估: 可搶攻3C電子產業市場，極具市場淺力 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 可量產製作,長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用. | 潛力預估: 生產所須機具成本較高 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 馬達啟動時間<2sec，扭矩器扭轉率250°/sec，零亂漂移率≦0.2°/hr。 | 潛力預估: 可取代外貨，極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 12cis、3000psi | 潛力預估: 可取代外貨，極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: AMS-STD-2219A級 | 潛力預估: 可強攻航太工業、醫療用品、3C產業、精密機械產業、工業用品、汽車產業、自行車產業 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 噴嘴前段外殼：SAE4130鍛造後材質滿足AMS6370K規範，晶粒依ASTM E112B No.5或更細，強度≧100Kg/mm2，噴嘴後段外殼：6061-T6鋁合金材質符合AMS4079C規範，屈... | 潛力預估: 可取代外貨，極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤、最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎、續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里，採彈射及滑行起飛等需求規格設計 | 潛力預估: 1、可輔導國內從休閒娛樂遙控模型傳統產業，轉型國防軍用靶機產業，進行無人靶機開發，以爭取美國FCT等小靶機銷售商機，搶攻小型軍用靶機銷售市場，極具市場潛力。2、以往國軍每年數億元靶訓消耗件，皆是外購所... |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 須符合軍規組裝測試 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 需通過APM2穿甲彈槍擊驗證 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 助合作廠商全面接單，產品合格率85%以上。 | 潛力預估: 高鐵、捷運構建之消耗性替換材料 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整複材雷殼成品胚件加工及檢測技術能量。試製複材雷殼通過功能驗證。 | 潛力預估: 各式高壓容器，例如FRP儲氫氣瓶、家用或車用瓦斯桶、潛水人員之水肺等 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 完成天線平台複材元件鍍層及進行組裝測試，其品質滿足電訊要求、密著性、耐候性試驗、熱激循環試驗等要求。 | 潛力預估: 各式輕質複材導波零件研發，包括天線反射器、天文望遠鏡等 |
執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 須通過20機砲砲擊驗證 | 潛力預估: 96-121年：每年產值為3億元 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 電壓：24+-2V，功率：100~250W | 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 電壓：24+-2V，功率：100~250W | 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 可量產製作,規格可依使用用途及設計不同彈性開發應用. | 潛力預估: 可搶攻3C電子產業市場，極具市場淺力 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 可量產製作,長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用. | 潛力預估: 生產所須機具成本較高 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 馬達啟動時間<2sec，扭矩器扭轉率250°/sec，零亂漂移率≦0.2°/hr。 | 潛力預估: 可取代外貨，極具市場潛力 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 12cis、3000psi | 潛力預估: 可取代外貨，極具市場潛力 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: AMS-STD-2219A級 | 潛力預估: 可強攻航太工業、醫療用品、3C產業、精密機械產業、工業用品、汽車產業、自行車產業 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 噴嘴前段外殼：SAE4130鍛造後材質滿足AMS6370K規範，晶粒依ASTM E112B No.5或更細，強度≧100Kg/mm2，噴嘴後段外殼：6061-T6鋁合金材質符合AMS4079C規範，屈... | 潛力預估: 可取代外貨，極具市場潛力 |
執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤、最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎、續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里，採彈射及滑行起飛等需求規格設計 | 潛力預估: 1、可輔導國內從休閒娛樂遙控模型傳統產業，轉型國防軍用靶機產業，進行無人靶機開發，以爭取美國FCT等小靶機銷售商機，搶攻小型軍用靶機銷售市場，極具市場潛力。2、以往國軍每年數億元靶訓消耗件，皆是外購所... |
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