高性能封裝材料-高折射率透明封裝配方開發
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技術名稱-中文高性能封裝材料-高折射率透明封裝配方開發的執行單位是工研院辨識中心, 產出年度是96, 計畫名稱是影像顯示關鍵技術發展四年計畫, 技術規格是折射率:>1.60,透光率@450nm=85%,Hardness=83D,Gel time@150℃=70s., 潛力預估是全球LED封裝市場約85億美金,本計畫開發之材料技術不僅具有很好的加工性和信賴性,更可以提昇元件光學性能。所以應用範圍極廣且取代現有LED封裝材料商品。.

序號2147
產出年度96
技術名稱-中文高性能封裝材料-高折射率透明封裝配方開發
執行單位工研院辨識中心
產出單位(空)
計畫名稱影像顯示關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用分子結構設計將高折射率基團導入LED透明封裝材料主鏈中從而提昇了材料的折射率,也因此提昇LED元件整體發光效能。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格折射率:>1.60,透光率@450nm=85%,Hardness=83D,Gel time@150℃=70s.
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍(1)高性能LED封裝材料(2) 高性能光學材料
潛力預估全球LED封裝市場約85億美金,本計畫開發之材料技術不僅具有很好的加工性和信賴性,更可以提昇元件光學性能。所以應用範圍極廣且取代現有LED封裝材料商品。
聯絡人員李宗銘
電話03-5913108
傳真03-5820057
電子信箱TzMLee@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備硬體:材料配料設備及光電特性測試儀器
需具備之專業人才材料或化工相關領域
同步更新日期2024-09-03

序號

2147

產出年度

96

技術名稱-中文

高性能封裝材料-高折射率透明封裝配方開發

執行單位

工研院辨識中心

產出單位

(空)

計畫名稱

影像顯示關鍵技術發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用分子結構設計將高折射率基團導入LED透明封裝材料主鏈中從而提昇了材料的折射率,也因此提昇LED元件整體發光效能。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

折射率:>1.60,透光率@450nm=85%,Hardness=83D,Gel time@150℃=70s.

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

(1)高性能LED封裝材料(2) 高性能光學材料

潛力預估

全球LED封裝市場約85億美金,本計畫開發之材料技術不僅具有很好的加工性和信賴性,更可以提昇元件光學性能。所以應用範圍極廣且取代現有LED封裝材料商品。

聯絡人員

李宗銘

電話

03-5913108

傳真

03-5820057

電子信箱

TzMLee@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

硬體:材料配料設備及光電特性測試儀器

需具備之專業人才

材料或化工相關領域

同步更新日期

2024-09-03

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低溫硬化互連導電材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 1.高性能要求之電子構裝材料 2.需要特定加工操作溫度之熱硬化塗裝材料

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高性能封裝材料

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 折射率:1.63, 透光率@450nm=85%,Hardness=83D,Gel time@150℃=31s。 | 潛力預估: 全球LED封裝市場約74億美金,本技術不僅具有很好的加工性和信賴性,更可以提昇元件光學性能。所以應用範圍極廣且取代現有LED封裝材料商品。

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軟性基板與阻氣層技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 透光率: ≧90%;CTE:<30ppm/℃;Tg:>300℃;表面粗糙度:<5nm;鉛筆硬度: 3H;楊氏模數:>2.5(Gpa) | 潛力預估: 可運用產品包括軟性塑膠LCD、OLED、PDP、FED、SED、E-ink、E-Paper等軟性塑膠顯示器,另外亦可運用於軟性太陽能電池等相關軟性電子產品。

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無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 207086

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面陣列覆晶整體封裝製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳凱琪, 李巡天, 黃淑禎, 李宗銘 | 證書號碼: 205929

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 6809130

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低溫硬化互連導電材料先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 1.高性能要求之電子構裝材料 2.需要特定加工操作溫度之熱硬化塗裝材料

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高性能封裝材料

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 折射率:1.63, 透光率@450nm=85%,Hardness=83D,Gel time@150℃=31s。 | 潛力預估: 全球LED封裝市場約74億美金,本技術不僅具有很好的加工性和信賴性,更可以提昇元件光學性能。所以應用範圍極廣且取代現有LED封裝材料商品。

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軟性基板與阻氣層技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 透光率: ≧90%;CTE:<30ppm/℃;Tg:>300℃;表面粗糙度:<5nm;鉛筆硬度: 3H;楊氏模數:>2.5(Gpa) | 潛力預估: 可運用產品包括軟性塑膠LCD、OLED、PDP、FED、SED、E-ink、E-Paper等軟性塑膠顯示器,另外亦可運用於軟性太陽能電池等相關軟性電子產品。

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無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 207086

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面陣列覆晶整體封裝製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳凱琪, 李巡天, 黃淑禎, 李宗銘 | 證書號碼: 205929

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無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 6809130

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CMOS影像IC設計及影像處理像技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA(320×240)、CIF(352×288)、VGA(640×480)、XVGA(1024×768)與1.3百萬(1280×1024)等格式,像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年,全球產量達237Mpcs。

紅外光無線數位電子錢包付款技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE(Packet PC)或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制,以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能,創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I...

自助式數位印相系統

執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像,可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。

音效即時傳輸與播放系統

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組,預估其生產成本的降低後,可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台,創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會,亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯...

氮化鋁鎵紫外線偵檢器磊晶技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

氮化鋁鎵紫外線偵檢器製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

太陽光紫外線強度量測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

QDIP 元件磊晶製程與量測分析

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務

厚膜加工製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米;厚度可達500微米;平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場,極具市場潛力

5GHz體聲波濾波器

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率:5GHz~6GHz,頻寬:100MHz~150MHz,插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路,通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上,現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。

高清淨合金材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。

粉末射出成型技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2%。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元,並創造產值約5億元。

鈦鋯合金熔鑄技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l) | 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術,可創造年產值新台幣1.5億元。

超微結構粉末及成型技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量,銅模速冷至批量10公斤,粉化粒度至次微米 | 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸,價格競優勢弱,磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大

真空電漿噴覆技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結,結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。

CMOS影像IC設計及影像處理像技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可提供QVGA(320×240)、CIF(352×288)、VGA(640×480)、XVGA(1024×768)與1.3百萬(1280×1024)等格式,像素單元尺寸為10、7.5、6.3與5.6μ... | 潛力預估: 依據 In-Stat, Frost&Sullivan預測CIS在2005年,全球產量達237Mpcs。

紅外光無線數位電子錢包付款技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: IrDA 1.0/1.1/1.2/1.3、IrFM Version 1.0、Windows 98/2000/XP、 Symbian OS、WinCE(Packet PC)或Linux OS。 | 潛力預估: 金融機構可以減少偽卡盜刷風險(國內每年數億元)、降低交易處理成本。通信業者可以結合業者原有之SIM卡與帳單收費等機制,以及紅外線電子錢包之儲值與信用卡交易等功能,創造新的附加價值。紅外線電子錢包潛在I...

自助式數位印相系統

執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像,可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。

音效即時傳輸與播放系統

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組,預估其生產成本的降低後,可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台,創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會,亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯...

氮化鋁鎵紫外線偵檢器磊晶技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

氮化鋁鎵紫外線偵檢器製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

太陽光紫外線強度量測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

QDIP 元件磊晶製程與量測分析

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務

厚膜加工製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 微結構尺寸寬度可以小至50微米;厚度可達500微米;平整度可達±20微米以內(六吋晶圓為例) | 潛力預估: 可搶攻精密模具市場,極具市場潛力

5GHz體聲波濾波器

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率:5GHz~6GHz,頻寬:100MHz~150MHz,插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路,通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上,現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。

高清淨合金材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。

粉末射出成型技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2%。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元,並創造產值約5億元。

鈦鋯合金熔鑄技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l) | 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術,可創造年產值新台幣1.5億元。

超微結構粉末及成型技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量,銅模速冷至批量10公斤,粉化粒度至次微米 | 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸,價格競優勢弱,磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大

真空電漿噴覆技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結,結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。

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